公开(公告)号：CN117916891A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202180102038.8

申请日：2021-09-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 须藤雅贵 ,  工藤智人

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 目的在于提供能够提高使用感测IGBT区域的电流对主IGBT区域的电流进行检测的精度的技术。半导体装置具有第一IGBT区域、二极管区域、第二IGBT区域。第一IGBT区域及第二IGBT区域包含呈第一导电型的一个集电极层，二极管区域包含与第一IGBT区域的集电极层相邻且呈第二导电型的阴极层，第二IGBT区域还包含与第二IGBT区域的集电极层相邻且呈第二导电型的杂质层。

公开(公告)号：CN118198114A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311679162.8

申请日：2023-12-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 附田正则 ,  山本晃央 ,  川濑达也 ,  须藤雅贵 ,  曾根田真也 ,  藤井秀纪 ,  寺岛知秀 ,  野口贵也

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 提供即使是在背面侧具有栅极电极的结构也能够实现量产化的半导体装置。具有：用于通断的第1控制电极及第2控制电极，它们分别设置于半导体衬底的第1主面及第2主面；第1控制电极焊盘，其与第1控制电极电连接；第1贯通孔，其将半导体衬底沿厚度方向贯通，在内部具有将第1主面与第2主面之间电连接的导电体；以及第2控制电极焊盘，其设置于第1主面之上，经由第1贯通孔与第2控制电极电连接。

公开(公告)号：CN118591887A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202280089940.5

申请日：2022-01-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 须藤雅贵 ,  足立宽人

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体装置(100)具有半导体衬底(1)、多个元件沟槽(ET)和多个末端沟槽(TT)。半导体衬底(1)具有元件区域(1a)和末端区域(1b)。元件沟槽(ET)具有比作为第2扩散层的p基极层(5b)的厚度大的深度。末端沟槽(TT)具有比作为第1扩散层的p扩散层(5e)的厚度大的深度。将多个元件沟槽(ET)彼此的间隔设为第1沟槽间隔L1。将多个元件沟槽(ET)中的配置于最靠近末端区域(1b)处的元件沟槽(ET)与多个末端沟槽(TT)中的配置于最靠近元件区域(1a)处的末端沟槽(TT)之间的间隔设为第2沟槽间隔L2。此时，第1沟槽间隔L1与第2沟槽间隔L2呈L1≤L2≤1.5×L1的关系。