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发明公开
半导体装置及半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN118591887A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202280089940.5

申请日：2022-01-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 须藤雅贵 , 足立宽人

IPC: H01L29/78 , H01L29/06

Abstract: 半导体装置(100)具有半导体衬底(1)、多个元件沟槽(ET)和多个末端沟槽(TT)。半导体衬底(1)具有元件区域(1a)和末端区域(1b)。元件沟槽(ET)具有比作为第2扩散层的p基极层(5b)的厚度大的深度。末端沟槽(TT)具有比作为第1扩散层的p扩散层(5e)的厚度大的深度。将多个元件沟槽(ET)彼此的间隔设为第1沟槽间隔L1。将多个元件沟槽(ET)中的配置于最靠近末端区域(1b)处的元件沟槽(ET)与多个末端沟槽(TT)中的配置于最靠近元件区域(1a)处的末端沟槽(TT)之间的间隔设为第2沟槽间隔L2。此时，第1沟槽间隔L1与第2沟槽间隔L2呈L1≤L2≤1.5×L1的关系。

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