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公开(公告)号：CN114300527A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111163574.7
申请日：2021-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供即使在半导体基板内形成成为寿命抑制要素的晶体缺陷，电气特性也稳定的半导体装置。具有：第1半导体层(2)，其设置于第1主面(1a)与n‑型漂移层(1)之间；第1缓冲层(5)，其设置在第2主面(1b)与n‑型漂移层之间，具有氢致施主；第2半导体层(3)，其设置于第2主面(1b)与第1缓冲层(5)之间，第1缓冲层5具有从第2主面(1b)朝向第1主面(1a)侧而密度下降的间隙碳与间隙氧之间的复合缺陷。
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公开(公告)号：CN112786692A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011202590.8
申请日：2020-11-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低接通电压的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：Si衬底(2)；p型阳极层(4)，其设置于Si衬底(2)的表面；阳极电极(5)，其设置于p型阳极层(4)之上；n型阴极层(6)以及p型阴极层(7)，它们在Si衬底(2)的背面以彼此相邻的方式设置；Al合金层(8)，其设置于n型阴极层(6)之上，包含Si；以及Al合金层(9)，其设置于p型阴极层(7)之上，包含Si，n型阴极层(6)的杂质浓度大于或等于1E19cm‑3，p型阴极层(7)的杂质浓度小于或等于n型阴极层(6)的杂质浓度的10％。
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公开(公告)号：CN109994543A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811473769.X
申请日：2018-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L29/861
Abstract: 使n型区域、p型区域和与上述两个区域接触的金属电极之间的欧姆电阻降低。作为二极管的半导体装置(10)具有：作为n型区域的n阴极层(4a)和作为p型区域的p阴极层(4b)，它们形成于半导体基板的表层部；以及作为金属电极的阴极电极(6)，其与上述两个阴极层接触。阴极电极(6)包含：第1金属层(6a)，其与n阴极层(4a)及p阴极层(4b)这两者接触；以及第2金属层(6b)，其形成在第1金属层之上。第1金属层(6a)的与第2金属层(6b)的接触面的氧浓度低于第1金属层(6a)的与n阴极层(4a)及p阴极层(4b)的接触面的氧浓度。
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公开(公告)号：CN119054203A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202280095072.1
申请日：2022-04-28
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/687 , H03K17/56
Abstract: 本发明的栅极驱动装置在高端和低端的这两个端动作以驱动功率晶体管的栅极。栅极驱动装置包括控制器件和开关元件，其中，控制器件成对设置以构成两个端，响应于所输入的控制信号，输出包括高电平、低电平及高电平与低电平之间的一个以上的中间电平的三个以上的电平的开关信号；开关元件与控制器件对应地成对设置，将与从控制器件输入的开关信号的电平对应的电压输出至功率晶体管的栅极。
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公开(公告)号：CN117917765A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311334031.6
申请日：2023-10-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L23/14 , H02P27/08 , H02M7/5387 , H02M7/5395
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法。对半导体装置的生产成本增高进行抑制，并且实现可靠性的提高及延长寿命。半导体装置(100)具有：半导体元件(41)；上表面电极，其形成于该半导体元件(41)的上表面；以及以铜为主成分的导电性金属板(22)，其接合于半导体元件(41)的上表面电极之上。导电性金属板(22)以铜为主成分，与半导体元件(41)的上表面电极之上进行固相扩散接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116264250A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211583146.4
申请日：2022-12-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。抑制在注入用于形成缓冲层的杂质时由于异物等产生未注入区域。半导体装置具备在正面侧的第一主面(101)和背面侧的第二主面(102)之间具有第一导电型的漂移层(1)的半导体基板(100)、在半导体基板的第二主面侧的表层部形成的第二导电型的背面杂质层即集电极层(2)。在漂移层和集电极层之间设置与漂移层相比杂质浓度的峰值更高的第一导电型的第一缓冲层(31)、在第一缓冲层和集电极层之间形成的杂质浓度峰值比漂移层高的第二缓冲层(32)。在从第二主面算起的深度方向上的杂质浓度分布中，第二缓冲层的杂质浓度的峰部的尖度低于第一缓冲层的杂质浓度的峰部的尖度。
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公开(公告)号：CN117637821A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311044351.8
申请日：2023-08-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L27/07 , H01L21/82
Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够实现半导体装置的特性的稳定化的技术。半导体装置具有：半导体衬底，其设置有半导体部，该半导体部是栅极绝缘膜、pn结部和末端区域的漂移层中的至少任意1者；绝缘膜，其设置于半导体部之上；金属电极，其具有开口部，该开口部在俯视观察时与半导体部重叠，在剖视观察时相对于绝缘膜而设置于与半导体部相反侧；以及镀敷电极，其将金属电极作为被镀敷材料而设置于开口部内的至少一部分。
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公开(公告)号：CN116264200A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211574121.8
申请日：2022-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/49
Abstract: 获得成品率高、容易制造的半导体装置。在半导体芯片(1)的第1主面形成有第1主电极(10)和第1控制电极焊盘(15)。在半导体芯片(1)的第2主面形成有第2主电极(29)和第2控制电极焊盘(31)。第2主电极(29)和第2控制电极焊盘(31)分别接合到绝缘基板(36)的第1金属图案(39)以及第2金属图案(40)。第1导线(42)以及第2导线(43)的键合部在俯视观察时与第2主电极(29)或第2控制电极焊盘(31)的接合部重叠。第1金属图案(39)以及第2金属图案(40)的厚度小于等于0.2mm。
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公开(公告)号：CN116031257A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211295518.3
申请日：2022-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/8222
Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够减小芯片尺寸的技术。半导体装置具有第一电极和第二电极。第一电极与集电极层、阴极层的集电极层侧的第一部分连接。第二电极与阴极层的除了第一部分的第二部分连接。第一电极的功函数大于第二电极的功函数，第一电极及第二电极中的一者与半导体基板在半导体基板的厚度方向上夹着第一电极及第二电极中的另一者。
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公开(公告)号：CN108574015B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810203934.3
申请日：2018-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 田中香次
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H02M1/00
Abstract: 本发明的目的是提供可不依赖于寿命控制而对VF‑EREC折衷特性进行调整的半导体装置以及具有该半导体装置的电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具有n型阴极层(5)、p型阴极层(6)及包含施主杂质及受主杂质的p‑型阳极层(3)，n型阴极层(5)的厚度大于等于p型阴极层(6)的厚度，p型阳极层(2)的厚度大于等于p‑型阳极层(3)的厚度，n型阴极层(5)的施主杂质浓度大于等于p型阴极层(6)的受主杂质浓度，p型阳极层(2)的受主杂质浓度大于等于p‑型阳极层(3)的施主杂质浓度，p‑型阳极层(3)的受主杂质浓度大于等于p‑型阳极层(3)的施主杂质浓度，p‑型阳极层(3)的施主杂质浓度大于等于n‑型漂移层(1)的施主杂质浓度。
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