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公开(公告)号：CN117637821A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311044351.8
申请日：2023-08-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L27/07 , H01L21/82
Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够实现半导体装置的特性的稳定化的技术。半导体装置具有：半导体衬底，其设置有半导体部，该半导体部是栅极绝缘膜、pn结部和末端区域的漂移层中的至少任意1者；绝缘膜，其设置于半导体部之上；金属电极，其具有开口部，该开口部在俯视观察时与半导体部重叠，在剖视观察时相对于绝缘膜而设置于与半导体部相反侧；以及镀敷电极，其将金属电极作为被镀敷材料而设置于开口部内的至少一部分。
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公开(公告)号：CN114866076A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210111398.0
申请日：2022-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/081 , H03K17/567
Abstract: 得到保护功率开关元件不受到过电流状态损害，并且对施加负驱动电压时产生的逆向电流进行抑制的半导体装置。半导体装置(S1)作为主要结构要素包含主IGBT(5)、感测用IGBT(4)、电阻(2)、MOSFET(3)及二极管(1)。感测用IGBT(4)及主IGBT(5)彼此并联连接。MOSFET(3)的漏极与感测用IGBT(4)的栅极连接，源极与主IGBT(5)的栅极连接，栅极与感测用IGBT(4)的发射极及二极管(1)的阴极连接。电阻(2)的一端与主IGBT(5)的栅极及MOSFET(3)的源极连接，电阻(2)的另一端与主IGBT(5)的发射极及二极管(1)的阳极连接。
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公开(公告)号：CN114388612A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111204390.0
申请日：2021-10-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L27/07 , H01L21/28 , H01L21/822
Abstract: 提供适于抑制闩锁的半导体装置。在被相邻的有源沟槽夹着的台面区域，第3半导体层具有以与相邻的有源沟槽中的一个有源沟槽接触且与另一个有源沟槽不接触的方式离散地配置于第1方向的区域、以与另一个有源沟槽接触且与一个有源沟槽不接触的方式离散地配置于第1方向的区域，在被相邻的有源沟槽夹着的台面区域，第4半导体层在俯视观察时配置于与一个有源沟槽接触侧的第3半导体层和与另一个有源沟槽接触侧的第3半导体层之间、以及在第1方向上离散的第3半导体层的各区域之间。
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公开(公告)号：CN110062957B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201680091464.5
申请日：2016-12-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置(100)具备在集电极电极(103)以及发射极电极(111)之间并联电连接的多个第1晶体管单元(120a)以及第2晶体管单元(120b)。各第1晶体管单元(120a)的栅极电压由第1栅极配线(114a)进行控制。各第2晶体管单元(120b)的栅极电压由第2栅极配线(114b)进行控制。驱动电路(130)在半导体装置(100)的导通时，对第1以及第2栅极配线(114a、114b)这两者施加半导体装置(100)的接通电压，并且在从开始施加接通电压起经过了预先设定的时间之后，对第2栅极配线(114b)施加半导体装置(100)的断开电压，另一方面，对第1栅极配线(114a)施加接通电压。
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公开(公告)号：CN110416293B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201910317952.9
申请日：2019-04-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 田中翔
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 半导体装置(1)具备半导体衬底(2)。半导体衬底(2)包含活性区域(6)以及将活性区域(6)包围的外周区域(7)。半导体衬底(2)具有表面(2a)和背面(2b)。半导体元件(3)包含n‑漂移区域(5)以及p+集电极层(25)。外周区域(7)包含n‑漂移区域(5)以及p+背面外周层(26)。p+背面外周层(26)设置于n‑漂移区域(5)的背面(2b)侧。p+背面外周层(26)中的第1空穴浓度比p+集电极层(25)中的第2空穴浓度大。使半导体装置(1)的短路耐受量提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113471277A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110320182.0
申请日：2021-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/861
Abstract: 提供能抑制外部配线和半导体层之间的电阻，且抑制在外部配线连接时由于异物而在半导体层出现损伤的频率的半导体装置。根据一个方式，半导体装置具有：缓冲层，其设置于第2半导体层的表面之上，在俯视观察时具有至少1个开口；以及电极，其设置于第2半导体层及缓冲层的上侧，通过至少1个开口与第2半导体层接触，缓冲层的维氏硬度比电极的维氏硬度高，在将缓冲层的厚度设为s，将电极的厚度设为t，Wth＝2×(s×t‑s2)0.5的情况下，至少1个开口各自的宽度w满足w
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公开(公告)号：CN110416293A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910317952.9
申请日：2019-04-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 田中翔
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 半导体装置(1)具备半导体衬底(2)。半导体衬底(2)包含活性区域(6)以及将活性区域(6)包围的外周区域(7)。半导体衬底(2)具有表面(2a)和背面(2b)。半导体元件(3)包含n-漂移区域(5)以及p+集电极层(25)。外周区域(7)包含n-漂移区域(5)以及p+背面外周层(26)。p+背面外周层(26)设置于n-漂移区域(5)的背面(2b)侧。p+背面外周层(26)中的第1空穴浓度比p+集电极层(25)中的第2空穴浓度大。使半导体装置(1)的短路耐受量提高。
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公开(公告)号：CN119730265A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411255034.5
申请日：2024-09-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H10D12/00 , H10D64/27 , H03K17/687
Abstract: 本发明的目的在于提供能够减少瞬态导通期间的能量损失的技术。半导体装置具备第一晶体管、第二晶体管以及控制部。控制部在第一晶体管进入瞬态截止状态之前对第二栅极施加比第一截止电压低的第二截止电压，在第一晶体管进入瞬态导通状态之前导通第二晶体管，并且在第一晶体管导通之后对第二栅极施加第一截止电压而截止第二晶体管。
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公开(公告)号：CN113471277B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202110320182.0
申请日：2021-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/861
Abstract: 提供能抑制外部配线和半导体层之间的电阻，且抑制在外部配线连接时由于异物而在半导体层出现损伤的频率的半导体装置。根据一个方式，半导体装置具有：缓冲层，其设置于第2半导体层的表面之上，在俯视观察时具有至少1个开口；以及电极，其设置于第2半导体层及缓冲层的上侧，通过至少1个开口与第2半导体层接触，缓冲层的维氏硬度比电极的维氏硬度高，在将缓冲层的厚度设为s，将电极的厚度设为t，Wth＝2×(s×t‑s2)0.5的情况下，至少1个开口各自的宽度w满足w
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公开(公告)号：CN117525125A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310941298.5
申请日：2023-07-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/32 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够对二极管区域及IGBT区域的至少任一者的正向特性及通断损耗进行调整的技术。半导体装置具有：半导体区域，其在主面侧设置有半导体层；以及第1缺陷，其设置于半导体层，沿包含厚度方向的成分的方向从主面侧延伸。半导体区域包含二极管区域和IGBT区域的至少任意1者，该二极管区域设置有阴极层作为半导体层，该IGBT区域设置有集电极层作为半导体层。
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