公开(公告)号：CN109923645B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201680090353.2

申请日：2016-10-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野隆二 ,  砂本昌利

IPC: H01L21/28

Abstract: 目的在于提供能够对上方配置有镍膜的半导体基板的污染进行抑制的技术。半导体装置具备：半导体基板；铝合金膜，其配置于半导体基板的表面以及背面中的至少任意一个面之上；催化剂金属膜，其配置于铝合金膜上方，且具有能够进行析出镍的自催化反应的催化活性；无电解镍镀膜，其配置于催化剂金属膜之上；以及反应物层，其配置于铝合金膜和催化剂金属膜之间，且包含催化剂金属膜的金属。

公开(公告)号：CN107533963A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201580079099.1

申请日：2015-04-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野隆二 ,  砂本昌利

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/288 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/78 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/288

Abstract: 特征在于，具有下述工序：薄化工序，通过研磨晶片的背面的中央部，然后在该晶片的背面实施湿蚀刻，从而形成在外周部具有环状凸部的晶片；在该晶片的背面形成背面电极的工序；镀敷工序，在该环状凸部之上的该背面电极通过镀敷法均一地形成金属膜；粘贴工序，在该金属膜粘贴切割胶带；以及切割工序，对粘贴有该切割胶带的该晶片进行切割。

公开(公告)号：CN118693135A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410299285.7

申请日：2024-03-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野隆二 ,  铃木干人 ,  前川佑树 ,  三好启友

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/40 ,  H01L21/28 ,  H02M1/00 ,  H02M3/00 ,  H02M7/00

Abstract: 目的在于提供减少电极之上的金属层的外观不均的半导体装置。还涉及电力变换装置及半导体装置的制造方法。半导体装置(101)具有半导体基板(1)、表面电极(2)、第1金属层(3)及第2金属层(4)。表面电极(2)包含Al。表面电极(2)设置于半导体基板(1)的表面。第1金属层(3)包含Ni。第1金属层(3)设置于表面电极(2)之上。第2金属层(4)包含Ni。第2金属层(4)设置于第1金属层(3)之上。第1金属层(3)的表面粗糙度大于第2金属层(4)的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN110249074B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201880010334.3

申请日：2018-02-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 砂本昌利 ,  上野隆二

IPC: C23C18/26 ,  C23C18/42 ,  H01L21/288 ,  H01L21/52 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种在具有表侧电极以及背侧电极的表背导通型基板的至少单侧的电极上形成有非电解镀层的半导体元件。非电解镀层具有非电解镍磷镀层和形成于非电解镍磷镀层上的非电解镀金层，在非电解镀的作为被焊料接合的面的表面形成有多个凹部。

公开(公告)号：CN109923645A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201680090353.2

申请日：2016-10-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野隆二 ,  砂本昌利

IPC: H01L21/28

Abstract: 目的在于提供能够对上方配置有镍膜的半导体基板的污染进行抑制的技术。半导体装置具备：半导体基板；铝合金膜，其配置于半导体基板的表面以及背面中的至少任意一个面之上；催化剂金属膜，其配置于铝合金膜上方，且具有能够进行析出镍的自催化反应的催化活性；无电解镍镀膜，其配置于催化剂金属膜之上；以及反应物层，其配置于铝合金膜和催化剂金属膜之间，且包含催化剂金属膜的金属。

公开(公告)号：CN110197799B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201910128639.0

申请日：2019-02-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野隆二 ,  砂本昌利

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L21/02

Abstract: 目的在于提供半导体制造装置，其在半导体晶片的被镀面使用无电解镀法形成膜厚的均匀性优异的镀膜。半导体制造装置在保持于能够对多个晶片进行保持的载体的各晶片所具有的被镀面形成镀膜，该半导体制造装置具有：整流机构，其包含设置有多个通孔的整流板，整流板与各晶片的被镀面相面对地保持于载体；浸渍槽，其储存用于形成镀膜的药液，对整流机构和多个晶片进行保持的载体浸渍于药液；以及驱动装置，其在将各晶片与多个通孔的相对位置关系保持为恒定的状态下，使浸渍于浸渍槽的载体摆动。

公开(公告)号：CN112786692A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011202590.8

申请日：2020-11-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中香次 ,  上野隆二 ,  氏家正浩

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低接通电压的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：Si衬底(2)；p型阳极层(4)，其设置于Si衬底(2)的表面；阳极电极(5)，其设置于p型阳极层(4)之上；n型阴极层(6)以及p型阴极层(7)，它们在Si衬底(2)的背面以彼此相邻的方式设置；Al合金层(8)，其设置于n型阴极层(6)之上，包含Si；以及Al合金层(9)，其设置于p型阴极层(7)之上，包含Si，n型阴极层(6)的杂质浓度大于或等于1E19cm‑3，p型阴极层(7)的杂质浓度小于或等于n型阴极层(6)的杂质浓度的10％。

公开(公告)号：CN107431001B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201680019663.5

申请日：2016-04-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 砂本昌利 ,  上野隆二

IPC: H01L21/288 ,  C23C18/16 ,  C23C18/36 ,  C23C18/42 ,  C23C18/52 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明的半导体元件(1)在表面背面导通型基板(2)的表面侧电极(3a)以及背面侧电极(3b)上形成有非电解镍磷镀层(4)以及非电解镀金层(5)。表面侧电极(3a)以及背面侧电极(3b)包括铝或者铝合金。另外，形成于表面侧电极(3a)上的非电解镍磷镀层(4)的厚度相对于形成于背面侧电极(3b)上的非电解镍磷镀层(4)的厚度的比例是1.0以上且3.5以下。本发明的半导体元件(1)在通过钎焊安装时能够防止在焊料内部产生空孔。

公开(公告)号：CN110249074A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201880010334.3

申请日：2018-02-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 砂本昌利 ,  上野隆二

IPC: C23C18/26 ,  C23C18/42 ,  H01L21/288 ,  H01L21/52 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种在具有表侧电极以及背侧电极的表背导通型基板的至少单侧的电极上形成有非电解镀层的半导体元件。非电解镀层具有非电解镍磷镀层和形成于非电解镍磷镀层上的非电解镀金层，在非电解镀的作为被焊料接合的面的表面形成有多个凹部。

公开(公告)号：CN118737915A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410336153.7

申请日：2024-03-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木干人 ,  上野隆二 ,  中村祥太郎

IPC: H01L21/673

Abstract: 本发明提供能够在确保高的脱液性的同时防止晶片的旋转以及浮起的晶片收纳容器。晶片收纳容器具备：重叠配置的两个以上的框体框架(10)；和形成于框体框架(10)彼此之间的晶片保持构造。晶片保持构造具备从该晶片保持构造的两侧的框体框架(10)分别延伸的多个臂(11)，并且通过由一侧的框体框架(10)的多个臂(11)和另一侧的框体框架(10)的多个臂(11)夹持晶片(1)的外缘部来保持晶片(1)。