公开(公告)号：CN105514116B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201510882240.3

申请日：2015-12-03

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 周星宇

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/77 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/12

摘要： 本发明提供一种TFT背板结构及其制作方法。该TFT背板结构通过设置栅极绝缘层(4)对应于TFT(T)所在的区域为三层结构，自下至上依次为介电层(41)、氮化硅层(42)、与二氧化硅层(43)，能够增强TFT的可靠性；设置栅极绝缘层(4)对应于存储电容(C)所在的区域为双层结构，自下至上依次为介电层(41)、与至少部分氮化硅层(42)，或者所述栅极绝缘层(4)对应于存储电容(C)所在的区域为单层结构，仅包括介电层(41)，能够增大介电常数，减小存储电容(C)两电极板之间的距离，从而能够在保证存储电容性能的前提下，减少电容面积，提高开口率。

公开(公告)号：CN108305842A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810011800.1

申请日：2018-01-05

申请人： 株式会社斯库林集团

发明人： 尾辻正幸

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： C23F1/02 ,  H01L21/02019

摘要： 一种基板处理方法，在基板(W)的上表面形成处理液的液膜(30)，向该液膜(30)喷出含有低表面张力液体的蒸汽的气体来形成液膜除去区域(31)，使该液膜除去区域(31)扩大，向基板(W)的下表面供给冷却液(29)，一边将液膜(30)冷却至低于低表面张力液体的沸点的温度，一边喷出加热气体来选择性地排除冷却液(29)，并且通过加热气体来对已排除了冷却液(29)的范围(33)进行加热，选择性地将基板(W)的上表面的液膜除去区域(31)加热到低表面张力液体的沸点以上的温度，并使对液膜除去区域(31)进行加热的范围，与液膜除去区域(31)的扩大同步地扩大。

公开(公告)号：CN104781057B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201380048864.4

申请日：2013-03-15

申请人： 希波特公司 ,  首尔半导体股份有限公司

发明人： 桥本忠朗 ,  艾德华·里特斯 ,  锡拉·霍夫

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  B28D5/04 ,  B24B1/04 ,  C30B7/10 ,  C30B33/10

CPC分类号： H01L29/201 ,  C30B7/105 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L29/2003

摘要： 本发明揭示一种其中一个表面在视觉上可区别于另一个表面的第III族氮化物晶片(例如GaN、AlN、InN和其合金)。在利用机械方法(例如多线锯)从第III族氮化物块晶切割所述晶片后，化学蚀刻所述晶片以使所述晶片的一个表面在视觉上可区别于另一个表面。本发明还揭示一种制造此类晶片的方法。

公开(公告)号：CN106367811A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610808851.8

申请日：2013-02-14

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 石桥惠二

IPC分类号： C30B29/36 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B31/04 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/812 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065

摘要： 本发明涉及碳化硅衬底、半导体器件及其制造方法。该碳化硅衬底(1)具有第一主面(1A)和面对第一主面(1A)的第二主面(1B)。包含第一主面(1A)和第二主面(1B)中的至少一个的区域包括单晶碳化硅。在该主面中的一个上，硫原子以60×1010原子/cm2到2000×1010原子/cm2的范围存在，作为杂质的碳原子以3at％到25at％的范围存在。由此，可以提供具有稳定表面的碳化硅衬底、使用该碳化硅衬底的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN106274059A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610473940.1

申请日：2016-06-24

申请人： 佳能株式会社

发明人： 渡边诚 ,  田川义则 ,  村山裕之 ,  大宅修平 ,  真锅贵信

IPC分类号： B41J2/16

CPC分类号： H01L21/02019 ,  B41J2/14145 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1634 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1626

摘要： 本发明涉及一种硅基板的加工方法和液体喷出头用基板的制造方法。进行以下步骤：未贯通孔形成步骤，用于将第二面的供给路径形成区域划分成与梁的形成位置相对应的第一区域、在第一区域的两侧与第一区域邻接的第二区域、以及不是第一区域和第二区域的第三区域，并且在第二区域和第三区域中形成多个未贯通孔；以及蚀刻步骤，用于从第二面对硅基板进行各向异性蚀刻，由此形成供给路径并在供给路径中形成梁。在未贯通孔形成步骤中，使得未贯通孔的间隔和深度至少之一在第二区域和第三区域中不同，由此控制在蚀刻步骤中要形成的梁的形状和尺寸。

公开(公告)号：CN105244299A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510382246.4

申请日：2015-07-02

申请人： 斯克林集团公司

发明人： 藤原直澄 ,  江户彻 ,  泽岛隼 ,  下村辰美

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/6708 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/26 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67023

摘要： 本发明提供基板处理装置及方法，以低成本抑制基板的所希望的处理量与实际的处理量的差异和在各部分的处理量的偏差。装置具有：旋转保持部，保持基板并使其旋转；第一供给源，供给第一温度的第一纯水；第二供给源，供给比第一温度高的第二温度的第二纯水；配管系统，将第一纯水分配为一方第一纯水和另一方第一纯水并引导；处理液供给部，将混合一方第一纯水和药液的处理液供至基板的上表面中央区；第一供给部，将主要包含另一方第一纯水的第一液体供至下表面中央区；第二供给部，将主要包含第二纯水的第二液体分别供至下表面周边区与中间区；热量控制部，独立控制第一供给部供给的热量和第二供给部供给的热量，以便变更基板的径向的温度分布。

公开(公告)号：CN105047530A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510295709.3

申请日：2015-06-02

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 张姗 ,  林春 ,  廖清君 ,  胡晓宁 ,  叶振华

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  G01N1/32 ,  G01N1/28 ,  G01N1/34

CPC分类号： H01L21/02019 ,  G01N1/286 ,  G01N1/32 ,  G01N1/34 ,  G01N2001/2866 ,  H01L21/02057 ,  H01L22/12

摘要： 本发明公开了一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀工艺。工艺包括探测器芯片的衬底减薄抛光和清洗、芯片保护、衬底氧化层腐蚀、衬底选择性湿法腐蚀四个步骤，本发明的特征在于：将化学机械减薄抛光后的Si基碲镉汞芯片衬底朝上贴于宝石片上并固化，将制好的样品放入氢氟酸中去氧化层，再将其放入高选择比腐蚀液中进行腐蚀。本发明的特点在于：能获得衬底完全去除的碲化镉/碲镉汞外延薄膜材料和光亮的碲化镉界面，为从碲化镉界面入手研究探测器芯片中位错提供了方便。

公开(公告)号：CN104992991A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510275434.7

申请日：2015-05-27

申请人： 上饶光电高科技有限公司

发明人： 黄明 ,  杨晓琴 ,  陈圆 ,  金阳 ,  张广路 ,  张宇

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02363 ,  H01L21/02019 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明公开了一种制备太阳能黑硅电池的方法，包括以下步骤：在正常制绒后硅片表面沉积纳米银颗粒；通过金属催化化学刻蚀方法形成纳米级绒面；在使用修正液修饰纳米绒面，改善纳米绒面的均匀性；使用硝酸浸泡去除纳米银颗粒；使用盐酸和双氧水去除金属离子；使用氢氟酸浸泡去除氧化层，使硅片表面容易脱水；最后使用甩干机甩干。甩干后的硅片依次进行后续电池生产工艺流程制成黑硅电池。应用该方法能够在硅片上形成具有很强吸光特性、对光极其敏感的黑硅，同时该方法成本较低，工艺流程简单，且可以直接制备大面积的黑硅，具有较高的制备效率。

公开(公告)号：CN104854683A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201380065498.3

申请日：2013-11-28

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 佐佐木有三

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C30B29/36

CPC分类号： H01L21/0475 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/1608

摘要： 一种SiC基板的制造方法，具备：牺牲膜形成工序，该工序在SiC基板的表面形成膜厚为表面的最大高低差以上的牺牲膜；牺牲膜平坦化工序，该工序通过机械加工将牺牲膜的表面平坦化；和SiC基板平坦化工序，该工序通过在SiC基板与牺牲膜的蚀刻选择比成为0.5～2.0的范围的条件下进行干式蚀刻，在除去牺牲膜的同时将SiC基板的所述表面平坦化。

公开(公告)号：CN104821349A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510146939.3

申请日：2015-03-31

申请人： 山西南烨立碁光电有限公司

发明人： 薛娜

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/005 ,  H01L21/02019

摘要： 本发明一种四元LED芯片湿法蚀刻方法，属于LED蚀刻技术领域；解决的技术问题是提供了一种四元LED芯片湿法蚀刻方法，采用多次反应多次蘸水的方法，使芯片表面蚀刻的更加干净，无残留；采用超声波震荡方式，使被蚀刻表面更加均匀，产品质量提高；采用的技术方案为：一种四元LED芯片湿法蚀刻方法，按照以下步骤进行：将带有掩膜的待蚀刻材料放入特定的化学蚀刻液内；将待蚀刻材料停留在化学蚀刻液内45±2s后在水中蘸水5次；将蘸水后的待蚀刻材料重新放入化学蚀刻液内停留35±2s后再次在水中蘸水5次；将再次蘸水后的待蚀刻材料再次放入化学蚀刻液内停留25±2s后放入水槽中水洗；将水洗后的材料放入热氮中吹干。