公开(公告)号：CN109715848A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780056833.1

申请日：2017-08-28

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 约翰·多尔蒂 ,  乔伊迪普·古哈 ,  瓦希德·瓦赫迪 ,  理查德·艾伦·戈特思酷

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B81C2201/0138 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32926 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67242 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

Abstract: 提供了用于控制等离子体反应器的处理状态以启动生产衬底的方法和系统。方法使用等离子体反应器的调节按钮的设置启动等离子体反应器中的衬底的处理，设置被逼近以实现期望的处理状态值。多个数据流被接收并用于识别当前的处理状态值。方法包括生成补偿矢量，补偿矢量识别当前的处理状态值与期望的处理状态值之间的差异。补偿矢量的生成使用机器学习来改善和修整期望的补偿的识别和数量，如在补偿矢量中所识别的。方法还将补偿矢量转换为对调节按钮的设置的调整且然后将调整应用于等离子体反应器的调节按钮。

公开(公告)号：CN109686680A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811195803.1

申请日：2018-10-15

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李相起

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01J37/32724 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/002 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明提供一种基板支撑部件及基板处理方法。根据本发明的一个实施例的基板支撑部件包括：气体流路，向所述基板背面供给气体，所述气体流路设置有气体流动限制部件，所述气体流动限制部件在所述气体流路中沿气体流动方向对气体流动进行不同流量的限制。根据本发明，因具有沿气体流动方向不同程度限制气体流动的气体流动限制部件，能够预防导热气体流路中产生电弧，并且最小化导热气体排气所需要的时间。

公开(公告)号：CN109496345A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201680087883.1

申请日：2016-08-12

Applicant: EV ,  集团 ,  E·索尔纳有限责任公司

Inventor： D.青纳 ,  T.瓦根莱特纳 ,  J.M.聚斯 ,  J.马林格 ,  T.普拉赫

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6838

Abstract: 本发明涉及一种用于将第一衬底(4o)与第二衬底(4u)在所述衬底(4o、4u)的面向彼此的接触面(4k)处接合的方法和设备。

公开(公告)号：CN104882387B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201510126097.5

申请日：2015-02-27

Applicant: 库利克和索夫工业公司

Inventor： M·B·瓦塞尔曼

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/81 ,  B32B37/0046 ,  B32B37/06 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/67248 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81092 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81948 ,  H05K3/3494 ,  H05K2203/0475 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供了一种用于接合半导体元件的热压接合系统。所述热压接合系统包括(1)接合头组件，其包括用于加热要接合的半导体元件的加热器，所述接合头组件包括被配置为接收冷却流体的流体路径；(2)加压冷却流体源；(3)增压泵，其用于接收来自所述加压冷却流体源的加压冷却流体，并且用于增加所接收的加压冷却流体的压力；(4)加压流体储存器，其用于接收来自所述增压泵的加压冷却流体；以及(5)控制阀，其用于对加压冷却流体从所述加压流体储存器向所述流体路径的供应进行控制。

公开(公告)号：CN108885139A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780009778.0

申请日：2017-02-08

Applicant: 沃特洛电气制造公司

Inventor： 穆罕默德·诺斯拉蒂 ,  蒂莫西·B·汤普金斯

IPC: G01K1/02

CPC classification number: H01L21/67248 ,  G01K1/024 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68792

Abstract: 一种半导体处理设备包括晶圆支承组件、在晶圆支承组件中集成以测量晶圆支承组件的温度的温度传感器和信号传输装置，该信号传输装置将关于通过温度传感器获得的温度测量的信号无线地发送至外部控制模块。

公开(公告)号：CN108701642A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014952.0

申请日：2017-01-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·D·帕科

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68785

Abstract: 一种静电吸盘包含：陶瓷主体，具有顶部及底部；一或多个加热元件，设置于陶瓷主体中；以及一或多个电极，设置于陶瓷主体中。所述静电吸盘进一步包含多个物件，该多个物件通过金属接合物接合至陶瓷主体的底部，其中多个物件全体包含多个特征，该多个特征分布在陶瓷主体的底部上从由陶瓷主体的底部限定的圆的中心开始的多个不同距离处，且其中该多个特征中的特征容置紧固件。

公开(公告)号：CN108604565A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780008227.2

申请日：2017-01-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 法里恩·阿德尼·哈贾 ,  戴维·莫多

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67248 ,  B65G43/00 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/67389 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/6773

Abstract: 用于操作基板处理集群工具的方法，包括以下步骤：将基板存储盒定位在所述基板处理集群工具的工厂界面内，其中所述基板存储盒界定内部容积，所述内部容积被调整尺寸并被布置以接收一个或多个基板；和通过由与多个传感器操作地相关联的处理器执行储存指令，来感测所述内部容积内的多个条件中的一个条件的发生或感测所述内部容积内的所述多个条件中的一个条件的持续中的至少一者。响应于所述感测步骤，进行产生警报或执行涉及所述基板存储盒的替代操作中的至少一个步骤。

公开(公告)号：CN108475656A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680074971.8

申请日：2016-12-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  鸟居谦悟

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H05B3/08 ,  H05B3/283

Abstract: 静电卡盘加热器(10)在圆盘状的陶瓷基体(30)埋设有多个发热体(20)。静电卡盘加热器(10)的作为晶片载置面的上表面(12)分为多个区，在各区且在陶瓷基体(30)埋设有具有端子(22、24)的发热体(20)。在静电卡盘加热器(10)的下表面(14)具有数量(这里为8个)比发热体(20)的总数少的端子汇聚区域(16)。全部的发热体(20)的端子(22、24)通过陶瓷基体(30)的内部而配线于任一个端子汇聚区域(16)。

公开(公告)号：CN108428645A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810150054.4

申请日：2018-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永井高志 ,  佐藤秀明 ,  北野淳一 ,  後藤堅司

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67086 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

Abstract: 一种更精确地控制处理槽内的处理液的温度的基板液处理装置。基板液处理装置具备：处理槽(34)，其贮存处理液，并且通过将基板浸于所贮存的处理液中来进行基板的处理；循环线(50)，其与处理槽连接；泵(51)，其设置于循环线，用于形成从处理槽出来经过循环线后返回到处理槽的所述处理液的流动；以及加热器(52)，其设置于循环线，加热处理液。设置有设置于包括处理槽和循环线的循环系统内的彼此不同的位置的至少两个温度传感器(81、82、83)。控制器(90、100)基于这至少两个温度传感器的检测温度来控制加热器的发热量。

公开(公告)号：CN108389824A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810106554.8

申请日：2018-02-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 有田毅彦 ,  三森章祥 ,  山口伸

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供一种能够进行与热输入量的分布变化相对应的调温的技术。在一个实施方式的处理装置中，流动制冷剂的冷却台包含第一区域～第三区域和制冷剂的流路组，第一区域～第三区域沿冷却台上的静电吸盘的表面配置，第一区域配置在冷却台的中央，第二区域以包围第一区域的方式配置，第三区域以包围第一区域和第二区域的方式配置，流路组包括第一流路～第三流路，第一流路配置在第一区域，第二流路配置在第二区域，第三流路配置在第三区域，制冷剂的配管系统包括第一阀组和第二阀组，第一流路与第二流路之间和第二流路与第三流路之间均经由第一阀组连接，冷却单元与流路组经由第二阀组连接。由此，能够进行与热输入量的分布的变化相对应的调温。