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公开(公告)号：CN114334626A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210003795.6
申请日：2016-02-16
申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/66 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种用于将第一衬底（2）与第二衬底（2＇）在所述衬底（2，2＇）的接触面（2o，2o＇）处接合的方法，其具有如下步骤、尤其是如下流程：‑用保持力FH1将所述第一衬底（2）保持在第一样品支架（1）的第一样品支架表面（1o）上，以及用保持力FH2将所述第二衬底（2＇）保持在第二样品支架（1＇）的第二样品支架表面（1o＇）上，‑将所述接触面（2o，2o＇）在接合发起部位（20）处接触并且至少将所述第二样品支架表面（1o，1o＇）加热到加热温度TH，‑沿着从所述接合发起部位（20）伸展至所述衬底（2，2＇）的侧边缘（2s，2s＇）的接合波，将所述第一衬底（2）与所述第二衬底（2＇）接合，其特征在于，在接合期间减小在所述第二样品支架表面（1o＇）上的所述加热温度TH。
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公开(公告)号：CN114334623A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210003742.4
申请日：2016-02-16
申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/66 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种用于将第一衬底（2）与第二衬底（2＇）在所述衬底（2，2＇）的接触面（2o，2o＇）处接合的方法，其具有如下步骤、尤其是如下流程：‑用保持力FH1将所述第一衬底（2）保持在第一样品支架（1）的第一样品支架表面（1o）上，以及用保持力FH2将所述第二衬底（2＇）保持在第二样品支架（1＇）的第二样品支架表面（1o＇）上，‑将所述接触面（2o，2o＇）在接合发起部位（20）处接触并且至少将所述第二样品支架表面（1o，1o＇）加热到加热温度TH，‑沿着从所述接合发起部位（20）伸展至所述衬底（2，2＇）的侧边缘（2s，2s＇）的接合波，将所述第一衬底（2）与所述第二衬底（2＇）接合，其特征在于，在接合期间减小在所述第二样品支架表面（1o＇）上的所述加热温度TH。
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公开(公告)号：CN107195541B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201710599033.6
申请日：2012-07-24
申请人： EV , 集团 , E·索尔纳有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种永久结合晶圆的方法及装置，其中该第二衬底具有最少一个反应层：将该衬底容纳于第一电极与第二电极之间或线圈内，通过对第一接触面施加借助于电极的电容耦合所产生的等离子体而在第一接触面上的储存器形成层中形成储存器，其中在等离子体产生或借助于线圈的电感耦合产生等离子体期间向该第一电极施加与该第二电极的第二频率不同的第一频率，其中在等离子体产生期间在第一发生器产生与第二发生器的第二频率不同的第一频率。此外，本发明涉及一种相应装置。
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公开(公告)号：CN104364882B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201380031975.4
申请日：2013-05-29
申请人： EV , 集团 , E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： B32B38/1833 , B32B37/0076 , H01L21/187 , Y10T156/17
摘要： 本发明涉及一种用以使用以下步骤、尤其按以下顺序在该衬底(3、8)的接触表面(3k、8k)上将第一衬底(3)接合至第二衬底(8)的方法：‑在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8)，‑在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k)，‑沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8)，其特征在于：该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。此外，本发明涉及一种对应装置。
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公开(公告)号：CN109390221B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201811177139.8
申请日：2013-05-29
申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号： H01L21/18
摘要： 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8)，其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。
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公开(公告)号：CN109616408B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201811176948.7
申请日：2013-05-29
申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8)，其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。
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公开(公告)号：CN109449081B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201811176939.8
申请日：2013-05-29
申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号： H01L21/18
摘要： 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8)，其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。
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公开(公告)号：CN108766873B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810604777.7
申请日：2011-01-25
申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L23/488
摘要： 本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：‑在所述第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，其中孔分布随厚度增加而减小趋于零，‑用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，‑使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接。
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公开(公告)号：CN109591424B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201811176956.1
申请日：2013-05-29
申请人： EV , 集团 , E·索尔纳有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8)，其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。
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公开(公告)号：CN109591424A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811176956.1
申请日：2013-05-29
申请人： EV , 集团 , E·索尔纳有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8)，其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。
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