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公开(公告)号：CN114334626A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210003795.6
申请日：2016-02-16
Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC: H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种用于将第一衬底（2）与第二衬底（2＇）在所述衬底（2，2＇）的接触面（2o，2o＇）处接合的方法，其具有如下步骤、尤其是如下流程：‑用保持力FH1将所述第一衬底（2）保持在第一样品支架（1）的第一样品支架表面（1o）上，以及用保持力FH2将所述第二衬底（2＇）保持在第二样品支架（1＇）的第二样品支架表面（1o＇）上，‑将所述接触面（2o，2o＇）在接合发起部位（20）处接触并且至少将所述第二样品支架表面（1o，1o＇）加热到加热温度TH，‑沿着从所述接合发起部位（20）伸展至所述衬底（2，2＇）的侧边缘（2s，2s＇）的接合波，将所述第一衬底（2）与所述第二衬底（2＇）接合，其特征在于，在接合期间减小在所述第二样品支架表面（1o＇）上的所述加热温度TH。
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公开(公告)号：CN114334623A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210003742.4
申请日：2016-02-16
Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC: H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种用于将第一衬底（2）与第二衬底（2＇）在所述衬底（2，2＇）的接触面（2o，2o＇）处接合的方法，其具有如下步骤、尤其是如下流程：‑用保持力FH1将所述第一衬底（2）保持在第一样品支架（1）的第一样品支架表面（1o）上，以及用保持力FH2将所述第二衬底（2＇）保持在第二样品支架（1＇）的第二样品支架表面（1o＇）上，‑将所述接触面（2o，2o＇）在接合发起部位（20）处接触并且至少将所述第二样品支架表面（1o，1o＇）加热到加热温度TH，‑沿着从所述接合发起部位（20）伸展至所述衬底（2，2＇）的侧边缘（2s，2s＇）的接合波，将所述第一衬底（2）与所述第二衬底（2＇）接合，其特征在于，在接合期间减小在所述第二样品支架表面（1o＇）上的所述加热温度TH。
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公开(公告)号：CN103718282B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201180072828.2
申请日：2011-08-22
Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司
Inventor： T.瓦根莱特纳
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种装置，所述装置用于接合、尤其是临时接合第一衬底(15)与第二衬底，所述装置具有以下特征：‑ 装配装置，所述装配装置用于利用所述装配装置的有效装配面(7，7'，7"，7'"，7IV)来在装配轮廓(8，8'，8"，8"'，8IV)上装配所述第一衬底(15)，其具有用于可控制地固定所述第一衬底(15)的外环区段(10)，‑ 变形装置，所述变形装置用于可控制地使所述第一衬底(15)变形，其中，所述变形装置可操作地构造在所述外环区段内，以及‑ 用于接合所述第一衬底(15)与所述第二衬底()的接合装置。此外，本发明涉及一种用于接合、尤其是临时接合第一衬底(15)与第二衬底的方法，所述方法具有以下步骤、尤其是以下流程：‑ 利用所述装配装置(1)的有效装配面(7，7'，7"，7'"，7IV)来在装配轮廓(8，8'，8"，8"')上装配第一衬底(15)，其具有用于可控制地固定所述第一衬底(15)的外环区段(10)，‑ 通过用于可控制地使所述第一衬底(15)变形的变形装置使所述第一衬底(15)在所述外环区段内变形，‑ 通过接合装置来接合所述第一衬底(15)与所述第二衬底。
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公开(公告)号：CN104658950A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510048231.4
申请日：2010-12-20
Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/67092 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及用于容纳并且保持晶片的容纳装置，具有下面的特征：-保持面（1o），-用于将晶片保持在保持面（1o）上的保持装置和-补偿装置（3，4，5，6），用于对晶片的全局变形进行主动的、尤其是局部可控制的、至少部分的补偿。本发明还涉及用于使用前述容纳装置将第一晶片与第二晶片对齐的装置和方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103283000A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201080070797.2
申请日：2010-12-20
Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/68 , H01L21/67092 , H01L21/67288 , H01L21/683 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及用于容纳并且保持晶片的容纳装置，具有下面的特征：保持面（1o），用于将晶片保持在保持面（1o）上的保持装置和-补偿装置（3，4，5，6），用于对晶片的局部和/或全局变形进行主动的、尤其是局部可控制的、至少部分的补偿。本发明还涉及用于使用前述容纳装置将第一晶片与第二晶片对齐的装置和方法。
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公开(公告)号：CN109390221B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201811177139.8
申请日：2013-05-29
Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8)，其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。
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公开(公告)号：CN109616408B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201811176948.7
申请日：2013-05-29
Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8)，其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。
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公开(公告)号：CN109449081B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201811176939.8
申请日：2013-05-29
Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8)，其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。
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公开(公告)号：CN107078013A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480078566.4
申请日：2014-05-09
Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32091 , H01J37/32532 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/68785
Abstract: 本发明涉及一种装置，其用于将至少一个衬底(7)施加以等离子体，该装置具有第一电极(1)和可与该第一电极相对布置的第二电极(12)，该电极构造成在该电极(1、12)之间产生该离子体，其特征在于，该电极(1、12)中的至少一个由至少两个电极单元(2、3)形成。此外，本发明涉及相应方法。
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