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公开(公告)号：CN105849886B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201480070870.4
申请日：2014-06-25
Applicant: 爱思开矽得荣株式会社
CPC classification number: G06T7/0006 , G06T7/60 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01L22/12
Abstract: 一种根据实施例的用于分析晶圆的形状的方法包括以下步骤：采集显示有待分析的晶圆的剖面图像；在该剖面图像中发现该晶圆的表面轮廓的坐标行；并且使用该坐标行获得包括关于该晶圆的形状的信息在内的形状分析数据。
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公开(公告)号：CN106716112B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201580052315.3
申请日：2015-09-29
Applicant: 统一半导体公司
CPC classification number: G01B11/2441 , G01B9/02034 , G01B2210/56 , G01M11/331 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法，其包括：使晶片绕与所述晶片的主表面垂直的对称轴转动；从与干涉装置(30)耦接的光源(20)发射两条类准直入射光束，以在两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的测量空间，缺陷通过所述测量空间的时间特征取决于缺陷在所述测量空间中通过的位置处的条纹间距的值，所述干涉装置(30)和所述晶片相对于彼此布置为使得所述测量空间在所述晶片的区域中延伸；收集由所述晶片的所述区域散射的光的至少一部分；捕获所收集的光并发射电信号；在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量；从所述缺陷通过的位置处的所述条纹间距的值，确定所述缺陷在径向方向和/或所述晶片的厚度中的位置。
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公开(公告)号：CN105009297B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201480011873.0
申请日：2014-03-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明通常有关于测量针孔的确认方法。在一方面，提供了在叠层中测量针孔的方法，所述叠层例如是薄膜晶体管叠层。所述方法可包括形成有源层于基板的沉积表面上、形成介电层于有源层之上、传送蚀刻剂于至少所述介电层，以蚀刻介电层与形成于介电层中的任何的针孔两者，以及使用有源层对蚀刻过的介电层的针孔密度进行光学测量。
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公开(公告)号：CN106252220B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610633597.2
申请日：2011-04-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/66 , B24B37/013 , B24B49/12
CPC classification number: B24B37/042 , B24B37/005 , B24B49/12 , H01L22/12 , H01L22/26
Abstract: 公开了用于终点检测的动态或适应性追踪光谱特征。一种控制研磨的方法包括以下步骤：研磨基板；以及接收选定光谱特征的识别、具有宽度的波长范围，及该选定光谱特征的特性以在研磨期间进行监视。在研磨该基板的同时测量来自该基板的光的一系列光谱。根据该系列光谱产生该选定光谱特征的该特性的一系列值。对于来自该系列光谱的至少一些光谱而言，基于该光谱特征在用于该系列光谱中的先前光谱的先前波长范围内的位置，产生修改波长范围，在该修改波长范围中搜寻该选定光谱特征，且确定该选定光谱特征的特性的值。
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公开(公告)号：CN106206419B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610099796.X
申请日：2016-02-23
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76819 , C23C16/45574 , C23C16/52 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 一种半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性偏差。本发明提供一种技术，其具有下述工序：第一研磨工序，对衬底进行研磨，所述衬底在形成有多个布线用槽的第一绝缘膜上成膜有作为金属布线的第一层的金属膜；绝缘膜形成工序，在所述第一研磨工序之后，在所述衬底上形成构成为层合绝缘膜的一部分的第二绝缘膜；第二研磨工序，对所述第二绝缘膜进行研磨；测定工序，在所述第二研磨工序之后，测定所述第二绝缘膜的衬底面内的膜厚分布；和修正工序，在所述第二绝缘膜上，以与所述测定工序所测得的膜厚分布不同的膜厚分布形成构成为所述层合绝缘膜的一部分的第三绝缘膜，修正所述层合绝缘膜的膜厚分布。
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公开(公告)号：CN106252248B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610051623.0
申请日：2016-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 周廷璁
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01J37/265 , H01J37/21 , H01J2237/004 , H01J2237/216 , H01L22/12
Abstract: 提供一种用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括：将半导体晶圆定位在扫描电子显微镜(SEM)中。该方法进一步包括：产生在半导体晶圆的工艺表面上指定的测试区域的至少部分的图像。该方法还包括：在测试区域中选择的检查点处，调整SEM的带电粒子束的状态。此外，该方法包括：在调整带电粒子束的状态之后，产生测试区域的另一部分的图像。本发明实施例涉及用于在半导体制造中使具有聚焦的带电的粒子束的晶圆成像的方法。
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公开(公告)号：CN104730858B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201410100608.1
申请日：2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F9/00 , G03F7/20 , H01L21/306
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/02019 , H01L21/3065 , H01L21/31144 , H01L21/3213 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/6831 , H01L22/20
Abstract: 一种对晶圆进行图案化的方法包括：对晶圆执行第一图案化；以及在执行第一图案化之后，计算模拟剂量分布（DoMa）图，其预测晶圆的临界尺寸由于对晶圆执行第二图案化而产生的变化。该方法还包括对晶圆执行第二图案化。执行第二图案化包括根据模拟DoMa图与晶圆的期望临界尺寸之间的差值调整第二图案化的一个或多个蚀刻参数。本发明公开了采用反馈控制改善晶圆图案化的均匀性。
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公开(公告)号：CN109671640A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811594175.4
申请日：2018-12-25
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 姚龙杰
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种有源层厚度的监控方法。该有源层厚度的监控方法通过监控机台监控GOA区中的薄膜晶体管的有源层的厚度，当有源层的厚度小于一预设的阈值时，该监控机台报警，当有源层的厚度大于或等于一预设的阈值时，该监控机台不报警，从而及时调整制作工艺，避免造成大量显示面板出现异常。
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公开(公告)号：CN109378279A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811342637.3
申请日：2018-11-12
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
Inventor： 罗聪
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种晶圆检测方法及晶圆检测系统，用于检测晶圆的目标缺陷，所述晶圆检测方法包括：对待检测晶圆进行光学扫描以形成原始图像；去除所述原始图像中的干扰图像；对去除干扰图像后的所述原始图像进行图像增强以形成增强图像；去除所述增强图像中的干扰图像；提取去除干扰图像后的所述增强图像中的目标缺陷的信息。所述晶圆检测方法能够检测出晶圆的目标缺陷同时能够实现目标缺陷的自动识别和自动量化的方法，从而及时有效地得到生产线上的晶圆存在目标缺陷的情况，在第一时间发现工艺或者机台的异常情况，节约了人工成本并且减少人工误差，并对晶圆缺陷的特征提取更加准确高效。
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公开(公告)号：CN109148315A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810978762.7
申请日：2018-08-27
Applicant: 苏州芯联成软件有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种芯片内两金属层间通孔连接的辨别方法，在第二金属层时，初步判断是否存在通孔虚假连接的状态，确定多处通孔的位置，进行FIB的纵切确认，若确认芯片在制作工艺中使用了虚假通孔后，运用IBE对第二金属层的表面进行轻微蚀刻，将通孔在高度的同一平面上同时进行刻蚀，再运用扫描电子显微镜的二次电子扫描从而辨别出有实际连接关系的通孔。通过上述，本发明的芯片内两金属层间通孔连接的辨别方法，运用IBE对芯片表面进行轻微蚀刻，将两类通孔在高度的同一平面上同时进行降低，加强二次电子扫描成像效果，从而区分出虚假连接的通孔，排除了由于虚假连接的通孔对于后期电路分析影响，可以大大的提高电路逆向分析的正确性。
