公开(公告)号：CN106423755B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201611028101.5

申请日：2016-11-22

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 王建峰 ,  吴凯民 ,  魏崇喜 ,  陈鹏 ,  祝磊

IPC分类号： B05C11/10 ,  B05C5/02 ,  B05B15/55

CPC分类号： B05C11/1039 ,  B05B15/55 ,  B05C5/0254 ,  B08B3/14 ,  B08B9/00 ,  B08B9/0321 ,  B08B9/0328 ,  G02F1/133345 ,  G02F2001/133357 ,  G03F7/16 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715

摘要： 一种涂布设备、利用其回收涂布液的方法及其清洁方法。该涂布设备包括供给装置、涂布装置以及回收装置。所述供给装置包括进液口、出液口、连接所述进液口的涂布液供给单元和连接所述出液口的供给泵。所述涂布装置包括具有接收口、涂布口和排气口的涂布头，所述接收口与所述供给装置的出液口连接。所述回收装置包括至少一个回收入口和回收液出口，所述至少一个回收入口包括的供给过程回收入口与所述涂布头的排气口连接，所述回收液出口与所述供给装置的进液口连接。本发明实施例可以减少涂布液的浪费。

公开(公告)号：CN109390254A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810902225.4

申请日：2018-08-09

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 束野宪人 ,  五师源太郎 ,  增住拓朗 ,  清濑浩巳 ,  福井祥吾

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02101 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/67017

摘要： 本发明提供能够提高形成在基片的表面上的处理液的液膜的厚度的精度的基片处理方法。在本发明的基片处理方法中，首先，作为液膜形成步骤，使基片(W)以第一转速旋转并且向基片(W)的表面供给处理液，形成覆盖基片(W)的表面的处理液的液膜。在液膜形成步骤之后，作为供给停止步骤，使基片(W)的转速成为第一转速以下的转速，并且停止向基片(W)供给处理液。在供给停止步骤之后，作为液量调整步骤，使基片(W)的转速成为比第一转速大的转速，减少形成液膜的处理液的液量。

公开(公告)号：CN109037111A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810886178.9

申请日：2016-02-19

申请人： 株式会社思可林集团

发明人： 泽岛隼 ,  波多野章人 ,  小林健司 ,  西村优大 ,  岛井基行 ,  林豊秀

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/6708 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051

摘要： 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。供给流路分支成多个上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。返回流路与上游流路连接。下游加热器对在上游流路内流动的液体进行加热。下游切换单元能够将从供给流路供给到多个上游流路的液体有选择地供给到多个喷出口以及返回流路中的一方。

公开(公告)号：CN108886001A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780016943.5

申请日：2017-03-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 凯文·布拉希尔 ,  阿什利·M·奥卡达 ,  丹尼斯·L·德玛斯 ,  叶祉渊 ,  杰德夫·拉贾拉姆 ,  玛塞勒·E·约瑟夫森

IPC分类号： H01L21/54 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67253 ,  G05D11/132 ,  H01L21/67017

摘要： 方法和气体流量控制组件经配置而将气体以所需流量比输送到处理腔室区。在一些实施方式中，组件包括一或多个MFC和背压控制器(BPC)。组件包括控制器、处理气体源、分配歧管、压力传感器、处理腔室、一或多个质量流量控制器和背压控制器，压力传感器耦接至分配歧管且经配置而感测分配歧管的背压，一或多个质量流量控制器连接于分配歧管与处理腔室之间以控制分配歧管与处理腔室之间的气体流量，背压控制器与一或多个质量流量控制器以流体并联关系设置，其中实现精确的流量比控制。替代实施方式包括上游压力控制器，上游压力控制器经配置而控制载气的流量，以控制背压。作为其他方面本案描述用于控制分区气体流量比的进一步方法与组件。

公开(公告)号：CN108538750A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810167755.9

申请日：2018-02-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木启之 ,  薮田贵士 ,  野中纯

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/6708 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/67017

摘要： 本发明提供一种提高基板处理的面内均匀性的基板处理装置和基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理装置具备保持部、旋转机构、喷嘴、移动机构以及控制部。保持部将基板水平保持。旋转机构用于使保持部旋转。喷嘴对由保持部保持着的基板供给蚀刻液。移动机构用于使喷嘴移动。控制部对旋转机构和移动机构进行控制，来执行扫描处理，在该扫描处理中，一边从喷嘴对进行旋转的基板供给蚀刻液，一边使喷嘴在基板上方的第一位置与比第一位置靠基板的外周侧的第二位置之间进行往复运动。另外，控制部一边变更第一位置一边多次执行扫描处理。

公开(公告)号：CN108511367A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810144376.8

申请日：2018-02-12

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 德满直哉 ,  新井贤

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： B26F3/004 ,  B26D7/088 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67288 ,  H05F1/00 ,  H01L21/67253

摘要： 提供加工液提供装置，适当地判定添加剂向加工液的注入不良。加工液提供装置(2)包含：蓄留容器(26)，其对添加至在流路(31)中流动的液体中的添加剂(A)进行收纳，该流路在一端与液体提供源(20)连接，另一端与加工装置(1)连接；注入泵(27)，其将蓄留容器的添加剂注入流路；重量测量单元(40)，在液体在流路内流动并且添加剂被注入的期间，该重量测量单元按照规定的间隔对蓄留容器的重量进行测量并转换成电信号；判断单元(41)，其接收来自重量测量单元的电信号，对蓄留容器的重量的测量值是否按照规定的比率减少进行判断；以及警告单元(42)，其在判断单元判断为重量的测量值未按照规定的比率减少的情况下，发出注入不良的警告。

公开(公告)号：CN108505020A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810165871.7

申请日：2018-02-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小川淳 ,  吹上纪明 ,  大槻志门 ,  尾谷宗之 ,  辛川孝行 ,  小山峻史 ,  岩崎征英

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/6835 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67017

摘要： 本发明涉及成膜装置，提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术，该成膜装置遍及基板的径向地向载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。在以沿旋转台的径向横跨晶圆的移动区域的方式供给气体、以包围气体喷出区域的周围的方式设置有排气口的气体供排气单元中，沿旋转台的径向将气体喷出区域划分为三个以上的区域。而且，在气体喷出区域中的内侧区域中，在与晶圆的通过区域的内侧的周缘相向的区域设置有气体喷出孔，在外侧区域中，在晶圆的通过区域的外侧的周缘设置有气体喷出孔。因此，能够使向晶圆的通过区域的缘部供给的气体的供给量增多，因此能够抑制晶圆的周缘的膜厚的降低。

公开(公告)号：CN104851810B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510155886.1

申请日：2011-03-30

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/383 ,  H01L21/425 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66969 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67017 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

摘要： 所公开的发明的一种方式是一种半导体装置的制造方法，其包括如下步骤：形成第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行氧掺杂处理来对第一绝缘膜供给氧；在第一绝缘膜上形成源电极、漏电极及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；在氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成栅电极。利用该制造方法可以形成具有稳定的电特性及高可靠性的包括氧化物半导体的半导体装置。

公开(公告)号：CN108447766A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201710773155.2

申请日：2017-08-31

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 岛本聪 ,  芦原洋司 ,  丰田一行 ,  大桥直史

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C01B21/068 ,  C23C16/345 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67017

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质。本发明的课题为在三维结构的FLASH存储器中也可形成良好特性的半导体器件。为了解决上述课题，本发明提供一种技术，该技术包括：在形成有绝缘膜的衬底被载置于处理室内的衬底载置部的状态下，向所述处理室供给处理气体；从等离子体生成部向所述处理室供给第一电力从而进行等离子体生成，并在所述绝缘膜上形成第一氮化硅层；以与所述等离子体生成并行的方式从离子控制部向所述处理室供给第二电力，从而在所述第一氮化硅层上形成比所述第一氮化硅层应力低的第二氮化硅层。

公开(公告)号：CN108428654A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810135324.4

申请日：2018-02-09

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 阿部任弘

IPC分类号： H01L21/673 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67766 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67389 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67775 ,  H01L21/67393

摘要： 本发明提供一种能够抑制微粒的飞散的基板处理系统和基板输送方法。一实施方式的基板处理系统具备：承载件输送区域，其用于相对于基板处理装置输送收容基板的承载件；基板输送区域，其与所述承载件输送区域之间被分隔壁分隔开，该基板输送区域用于将收容于所述承载件的所述基板向处理炉输送；输送口，其形成于所述分隔壁，该输送口用于在所述承载件输送区域与所述基板输送区域之间输送所述基板；开闭门，其对所述输送口进行开闭；以及同压化部件，其使所述基板输送区域的压力与由所述承载件和所述开闭门包围的空间的压力大致同压。