-
-
公开(公告)号：CN118974947A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380032991.9
申请日：2023-04-03
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/41 , H01L29/417 , H05B33/14 , H05B44/00 , H10K50/10
摘要： 提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一导电层、位于第一导电层上的第二导电层、与第一导电层的顶面以及第二导电层的顶面及侧面接触的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的第三导电层、与第三导电层、第一导电层的顶面及第一绝缘层的侧面接触的半导体层、位于第一绝缘层、半导体层及第三导电层上的第二绝缘层以及位于第二绝缘层上且隔着第二绝缘层与半导体层重叠的第四导电层，第一导电层的顶面至第二导电层的顶面的最短距离比第一导电层的顶面至第四导电层的底面的最短距离长。
-
公开(公告)号：CN118974805A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380030737.5
申请日：2023-04-10
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G09F9/30 , G09F9/00 , H05B44/00 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , H05B33/10 , H10K50/00
摘要： 提供一种能够实现集成度高的半导体装置。该半导体装置包括彼此电连接的第一及第二晶体管以及第一绝缘层，其中第一晶体管包括第一半导体层、第二绝缘层以及第一至第三导电层，第二晶体管包括第二半导体层、第三绝缘层以及第四至第六导电层，第一绝缘层位于第一导电层上且包括到达第一导电层的开口，第二导电层位于第一绝缘层上，第一半导体层接触于第一导电层的顶面、开口的内壁以及第二导电层，第三导电层以在第二绝缘层上重叠于开口的内壁的方式设置，第三绝缘层位于第四导电层上，第五及第六导电层隔着第三绝缘层在第四导电层上设置，第二半导体层接触于第五及第六导电层的顶面、彼此相对的侧面以及夹在第五导电层与第六导电层之间的第三绝缘层的顶面。
-
公开(公告)号：CN113646265B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202080026420.0
申请日：2020-03-23
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 提供一种锂离子二次电池的正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：在加热炉中配置装有锂氧化物、氟化物及镁化合物的混合物的第一容器且在第一容器的外部配置氟化物；以氟化物挥发或升华的温度以上对加热炉进行加热。更优选的是，氟化物为氟化锂且上述镁化合物为氟化镁。
-
公开(公告)号：CN118891970A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380027960.4
申请日：2023-03-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H10K50/19 , H10K71/20 , H10K71/40 , H10K101/20
摘要： 提供一种高清晰且高效率的显示装置。提供一种发光器件的制造方法，包括如下步骤：形成第一电极，在第一电极上形成包括在第一发光层与第二发光层之间的包含碱金属或碱金属化合物的中间层的有机化合物层，通过光刻法加工有机化合物层，进行加热处理，以覆盖第一电极及有机化合物层的方式形成第二电极。
-
公开(公告)号：CN118891737A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380028618.6
申请日：2023-03-09
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/417 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
摘要： 提供一种能够微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括金属氧化物、金属氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、在第一导电体与第二导电体之间且在金属氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体、在第三导电体上且与第三导电体电连接的第四导电体、第四导电体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第五绝缘体以及具有与第四导电体重叠的区域的第五导电体。金属氧化物具有与第一导电体重叠且在第一方向上延伸的第一区域。在第一区域中，金属氧化物的端部与第一导电体的端部对齐。第一方向平行于第五导电体延伸的方向。
-
公开(公告)号：CN118872407A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380028081.3
申请日：2023-03-07
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖的显示装置。一种显示装置包括第一串联型发光器件和第二串联型发光器件。第一串联型发光器件包括第一中间层，第二串联型发光器件与第一串联型发光器件相邻，第二串联型发光器件包括第二中间层。第二中间层与第一中间层间有间隙，第二中间层包含具有电子注入性的有机化合物，具有电子注入性的有机化合物由通式(G0)表示。#imgabs0#其中，A是取代或未取代的碳原子数为6以上且30以下的芳基骨架或取代或未取代的碳原子数为2以上且30以下的杂芳基骨架，n为1以上且4以下的整数。
-
公开(公告)号：CN118872402A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380027107.2
申请日：2023-03-13
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H10B12/00 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H10B41/70
摘要： 提供一种半导体装置，该半导体装置包括第一存储单元、第一存储单元上的第二存储单元、第一导电体及第一导电体上的第二导电体，第一存储单元及第二存储单元都包括晶体管、电容器及晶体管上的第一绝缘体，晶体管包括金属氧化物、金属氧化物上的第三导电体、第四导电体、第二绝缘体、第二绝缘体上的第五导电体、金属氧化物下的第三绝缘体及第三绝缘体下的第六导电体，电容器包括第七导电体、第七导电体上的第四绝缘体及第四绝缘体上的第八导电体。通过设置在第一绝缘体中的开口，第四导电体与第七导电体接触。第一导电体及第二导电体都包括与第三导电体接触的部分。第三导电体的一个侧端部与金属氧化物的一个侧端部大致对齐，第四导电体的一个侧端部与金属氧化物的另一个侧端部大致对齐。
-
公开(公告)号：CN113227728B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201980085307.7
申请日：2019-12-12
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G01J1/02 , H05B33/02 , H05B33/12 , H10K50/11 , H10K50/15 , H10K59/10 , H05B33/22 , H05B33/24 , H05B33/26 , H05B33/28 , G02B5/20 , G09F9/30
摘要： 提供一种具有发射可见光及红外光的功能以及光检测功能的显示装置。本发明的一个方式是一种在显示部包括第一发光器件、第二发光器件及受光器件的显示装置。第一发光器件发射可见光及红外光的双方，第二发光器件发射可见光。受光器件具有吸收可见光及红外光中的至少一部分的功能。第一发光器件包括第一像素电极、第一发光层、第二发光层及公共电极。第二发光器件包括第二像素电极、第三发光层及公共电极。受光器件包括第三像素电极、活性层及公共电极。第一发光层包含发射红外光的发光材料。第二发光层及第三发光层各自包含发射波长彼此不同的可见光的发光材料。活性层包含有机化合物。
-
公开(公告)号：CN118749229A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202380019144.9
申请日：2023-01-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H10B12/00 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H10B41/70
摘要： 本发明的一个方式提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，在绝缘表面上包括：第一晶体管；以及第二晶体管，其中，第一晶体管和第二晶体管共同使用金属氧化物和金属氧化物上的第一导电体，第一晶体管包括金属氧化物上的第二导电体及第一绝缘体以及第一绝缘体上的第三导电体，第二晶体管包括金属氧化物上的第四导电体及第二绝缘体以及第二绝缘体上的第五导电体，第一绝缘体位于第一导电体与第二导电体之间的区域，金属氧化物与第三导电体隔着第一绝缘体重叠，第二绝缘体位于第一导电体与第四导电体之间的区域，并且，金属氧化物与第五导电体隔着第二绝缘体重叠。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
9599 条记录 (耗时 0.086 秒)
