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公开(公告)号：CN120035137A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510098845.7
申请日：2019-02-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , G11C11/4097 , H10D30/67
Abstract: 提供一种新颖的存储装置。具有多个存储单元的第一单元阵列和具有多个存储单元的第二单元阵列设置为彼此重叠。包括在第一位线对中的两个位线分别与包括在第一单元阵列中的部分存储单元及包括在第二单元阵列中的部分存储单元电连接。包括在第二位线对中的两个位线分别与包括在第一单元阵列中的部分存储单元及包括在第二单元阵列中的部分存储单元电连接。在第一单元阵列中，包括在第二位线对中的两个位线之一具有与部分第一位线对重叠的区域，在第二单元阵列中，包括在第二位线对中的两个位线之另一具有与部分第一位线对重叠的区域。
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公开(公告)号：CN120019726A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380070619.7
申请日：2023-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种半导体装置，包括晶体管、第一层间绝缘层、第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层。晶体管包括用作源电极和漏电极中的一个的第一导电层及用作源电极和漏电极中的另一个的第二导电层，在第一导电层与第二导电层之间设置第一和第二层间绝缘层。在第一和第二层间绝缘层以及第二导电层中设置有到达第一导电层的开口部，以具有位于该开口部的内部的区域的方式依次设置半导体层、第一栅极绝缘层及第一栅电极。在第一层间绝缘层与第二层间绝缘层之间以覆盖半导体层的侧面的方式设置第二栅电极。第二栅电极包括具有与半导体层接触的区域的氧化物区域。氧化物区域被用作第二栅极绝缘层。
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公开(公告)号：CN119968775A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202380064088.0
申请日：2023-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K17/06 , G02F1/1368 , G09F9/30 , G09G3/20 , H10D84/01 , H10D84/00 , H10D84/83 , H10D30/67 , H03K17/687 , H05B33/02 , H05B33/14 , H10K59/129 , H10K59/131
Abstract: 提供一种工作稳定的半导体装置。本发明是一种包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第一电容器的半导体装置。第三晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第三晶体管的源极和漏极中的另一个与第一晶体管的栅极及第一电容器的第一端子电连接。另外，第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的栅极以及第一电容器的第二端子电连接。另外，可以在具有将用来显示图像的信号发送到显示器件的功能的驱动电路中设置该半导体装置。
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公开(公告)号：CN114489254B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202210133259.8
申请日：2014-06-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 松本博
Abstract: 本发明涉及数据处理装置。为了提供一种一览性强的数据处理装置或提供一种可携带性好的数据处理装置，构想出包括如下的数据处理装置：包括能够折叠及展开的显示部以及能够感测显示部的折叠及展开状态而供应折叠数据的感测部的输入/输出单元；以及存储根据折叠数据使运算部执行不同处理的程序的运算单元。
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公开(公告)号：CN112955946B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201980073616.2
申请日：2019-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G09G3/3233 , G09G3/3275 , G09G3/36
Abstract: 提供一种包括低功耗的驱动器且由像素升高该驱动器的输出电压的显示装置。该显示装置包括逻辑部与放大器部以同一低电压适当地工作的源极驱动器，像素具有保持第一数据的功能，并且具有将第一数据和第二数据相加来生成第三数据而将第三数据供应给显示器件的功能。因此，由于即使从源极驱动器输出的电压低也可以由像素升压，所以可以适当地使显示器件工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119908173A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380064404.4
申请日：2023-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 一种存储装置包括：衬底上的第一绝缘体；覆盖第一绝缘体的至少一部分的氧化物半导体；氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体上的第二绝缘体；第二导电体上的第三绝缘体；第二绝缘体上的第三导电体；第三绝缘体上的第四导电体；配置在第三导电体及第四导电体上且具有重叠于第一导电体、第二绝缘体及第三导电体与第二导电体、第三绝缘体及第四导电体间的第一开口的第四绝缘体；配置在第一开口内的第五绝缘体；配置在第五绝缘体上的第五导电体；配置在形成于第四绝缘体中的第二开口内且接触于第三导电体的顶面的第六导电体；以及配置在形成于第四绝缘体、第三绝缘体及第四导电体中的第三开口内且接触于第二导电体的顶面的第七导电体，其中，第一绝缘体的高度比第一绝缘体的宽度长，第一绝缘体的顶面与第五绝缘体接触。
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公开(公告)号：CN111788696B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN201980015985.6
申请日：2019-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括：第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的导电体；与第二氧化物及第三氧化物接触的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三绝缘体，其中，第二氧化物包括第一区域至第五区域，第一区域及第二区域的电阻比第三区域的电阻低，第四区域及第五区域的电阻比第三区域的电阻低且比第一区域及第二区域的电阻高，并且，导电体以与第三区域、第四区域及第五区域重叠的方式设置在第三区域、第四区域及第五区域的上方。
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公开(公告)号：CN119785687A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510112614.7
申请日：2019-05-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G02F1/133 , G09G3/3225 , G09G3/36 , H10K59/121 , H10K59/123
Abstract: 提供一种能够提高图像品质的显示装置及电子设备。本发明的一个方式是将加法电路设置在显示区域的内部和外部的显示装置，加法电路具有对从源极驱动器供应的多个数据进行加法运算的功能。加法电路的部分构成要素分割地配置在显示区域内。因此，可以缓和对加法电路所包括的构成要素的尺寸的限制而高效地对数据进行加法运算。此外，通过将加法电路所包括的其他构成要素设置在显示区域的外部，可以减少显示区域的内部的布线数并提高像素的开口率。
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公开(公告)号：CN119769190A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380060987.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖半导体装置。在电容器上层叠设置垂直沟道型晶体管。作为电容器的介电层使用铁电体。铁电体优选包含铪、锆或者选自第13至15族元素中的至少一个元素。通过将氧化物半导体用于垂直沟道型晶体管的半导体层，源极与漏极间的绝缘耐压得到提高而可以缩短沟道长度。
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公开(公告)号：CN114185216B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210029672.X
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H10K59/131
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线；扫描线；第一电极；第二电极；第三电极；第一像素电极；第二像素电极；以及半导体膜，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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