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公开(公告)号：CN111788696A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980015985.6
申请日：2019-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/108 , H01L21/336 , H01L21/8242
Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括：第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的导电体；与第二氧化物及第三氧化物接触的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三绝缘体，其中，第二氧化物包括第一区域至第五区域，第一区域及第二区域的电阻比第三区域的电阻低，第四区域及第五区域的电阻比第三区域的电阻低且比第一区域及第二区域的电阻高，并且，导电体以与第三区域、第四区域及第五区域重叠的方式设置在第三区域、第四区域及第五区域的上方。
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公开(公告)号：CN104733540B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201510102867.2
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/34 , H01L27/12
Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。
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公开(公告)号：CN117898024A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280058019.4
申请日：2022-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/12 , G02B5/20 , G09F9/30 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131 , H05B33/04 , H05B33/22
Abstract: 提供一种开口率高的显示装置。该显示装置包括第一、第二像素、第一、第二着色层、第一、第二导电层以及第一绝缘层，第一像素包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层以及第一EL层上的公共电极，第二像素包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层以及第二EL层上的公共电极，第二像素以与第一像素相邻的方式配置，第一着色层以与第一像素重叠的方式配置，第二着色层以与第二像素重叠的方式配置，第二着色层与第一着色层所透过的光的波长区域不同，第一导电层配置在公共电极上，第一绝缘层配置在第一导电层上，第二导电层配置在第一绝缘层上，第一导电层和第二导电层中的任一方或双方重叠于夹在第一EL层和第二EL层间的区域，并且，第一EL层的一个侧面与第二EL层的一个侧面彼此相对地配置。
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公开(公告)号：CN109560140A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811483289.1
申请日：2011-01-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。
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公开(公告)号：CN102598278A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080045729.0
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78678 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117796145A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280054006.X
申请日：2022-08-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种开口率高的显示装置。该显示装置包括第一像素、与第一像素相邻配置的第二像素、第一导电层、第二导电层及第一绝缘层，第一像素包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层及第一EL层上的公共电极，第二像素包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层及第二EL层上的公共电极，第一导电层配置在公共电极上，第一绝缘层配置在第一导电层上，第二导电层配置在第一绝缘层上，第一导电层和第二导电层中的任一方或双方与由第一EL层与第二EL层夹持的区域重叠，以彼此对置的方式配置第一EL层的一个侧面与第二EL层的一个侧面。
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公开(公告)号：CN105590964A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510993428.5
申请日：2011-01-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66742
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。
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公开(公告)号：CN102687275B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180005276.3
申请日：2011-01-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。
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公开(公告)号：CN117981468A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280062869.1
申请日：2022-09-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种开口率高的显示装置。该显示装置包括发光器件、受光器件、第一导电层、第二导电层以及第一绝缘层，发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一层以及第一层上的公共电极，受光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二层以及第二层上的公共电极，第一层包括发光层，第二层包括光电转换层，第一导电层配置在公共电极上，第一绝缘层配置在第一导电层上，第二导电层配置在第一绝缘层上，第一导电层和第二导电层中的任一方或双方重叠于夹在第一层与第二层之间的区域，第一层的一个侧面和第二层的一个侧面以彼此对置的方式配置。
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公开(公告)号：CN117957919A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280063212.7
申请日：2022-09-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种开口率高的显示装置。本发明包括第一发光器件、第二发光器件、第一导电层、第二导电层及第一绝缘层，第一发光器件包括第一像素电极、第一EL层及第一EL层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极、第二EL层及第二EL层上的公共电极，第一导电层配置在公共电极上，第一绝缘层配置在第一导电层上，第二导电层配置在第一绝缘层上，第一导电层和第二导电层中的任一方或双方重叠于夹在第一EL层与第二EL层之间的区域，第一EL层的一个侧面和第二EL层的一个侧面以彼此对置的方式配置，第一发光器件发射与第二发光器件不同的颜色的光，第一EL层包括第一发光单元、第一电荷产生层及第二发光单元，第二EL层包括第三发光单元、第二电荷产生层及第四发光单元。
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