-
公开(公告)号：CN118412521A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410497334.8
申请日：2018-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种劣化少的正极活性物质粒子。或者，提供一种劣化少的蓄电装置。或者，提供一种安全性高的蓄电装置。一种正极活性物质粒子包括第一晶粒、第二晶粒及位于第一晶粒与第二晶粒间的晶界，其中第一晶粒及第二晶粒包含锂、过渡金属及氧，晶界包含镁和氧，并且该正极活性物质具有晶界中的镁的原子浓度与第一晶粒及第二晶粒中的过渡金属的原子浓度比为0.010以上且0.50以下的区域。
-
公开(公告)号：CN117616585A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280049794.3
申请日：2022-07-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/792 , H01L29/788 , H10B41/70 , H10B12/00 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L21/8234 , H01L21/66 , H01L21/428 , H01L21/336 , H01L21/316 , H01L21/314 , H01L21/268
Abstract: 提供一种晶体管的电特性不均匀小的半导体装置。半导体装置包括：氧化物、氧化物上的第一导电体、第二导电体及第一绝缘体、第一导电体及第二导电体上的第二绝缘体、第一绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及第二绝缘体及第三导电体上的第四绝缘体。第四绝缘体与第二绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触。第一绝缘体具有分别与氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面及第二绝缘体的侧面接触的区域。氧化物包含铟、镓、铝及锌。第一绝缘体及第四绝缘体都包含铝及氧。第四绝缘体具有非晶结构。氧化物具有铝的浓度从氧化物的底面向氧化物的顶面变高的浓度梯度。
-
公开(公告)号：CN117038959A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310994375.3
申请日：2018-05-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/058 , H01M10/0525 , H01M4/04
Abstract: 本发明提供一种大容量且循环特性优良的锂离子二次电池的制造方法。该正极活性物质的充电状态和放电状态间的结晶结构变化小。例如在放电状态下具有层状岩盐型结晶结构，并且在以4.6V左右的高电压充电的状态下具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质的起因于充放电的结晶结构及体积的变化比现有的正极活性物质少。
-
公开(公告)号：CN116845332A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310819946.X
申请日：2017-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/525 , H01M4/485 , H01M4/36 , H01M4/04
Abstract: 本发明提供一种电子设备、锂离子二次电池、正极活性物质及其制造方法。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
-
公开(公告)号：CN116544521A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310763612.5
申请日：2017-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/058 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种锂离子二次电池的制造方法。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116387601A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310126252.8
申请日：2017-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/525 , H01M4/485 , H01M4/131 , H01M10/0566 , H01M4/38 , H01M4/583
Abstract: 本公开的发明名称是“正极活性物质粒子以及正极活性物质粒子的制造方法”。提供一种当被用于锂离子二次电池时抑制因充放电循环导致的容量减少的正极活性物质。通过偏析在正极活性物质的表层部形成覆盖层。正极活性物质包括第一区域及第二区域。第一区域存在于正极活性物质的内部。第二区域存在于正极活性物质的表层部及内部的一部分。第一区域包含锂、过渡金属及氧。第二区域包含镁、氟及氧。
-
公开(公告)号：CN116053451A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310269282.4
申请日：2017-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/525 , H01M10/0525 , H01M4/38 , H01M4/48
Abstract: 本发明提供一种锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表面设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
-
公开(公告)号：CN110911639B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201911291482.X
申请日：2017-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/131 , H01M4/1315 , H01M4/1391 , H01M4/13915 , H01M4/62
Abstract: 提供一种可以提高二次电池的循环特性的正极活性物质。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表面设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和外表部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
-
公开(公告)号：CN113597408A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202080021983.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种锂离子二次电池的正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：在加热炉中配置装有锂氧化物、氟化物及镁化合物的混合物的第一容器的第一工序；使加热炉内部的气氛为含氧气氛的第二工序；以及对加热炉的内部加热的第三工序，其中，在进行第一工序及第二工序之后进行第三工序。优选的是，在对加热炉加热内部之前使加热炉内为含氧气氛。更优选的是，氟化物为氟化锂且镁化合物为氟化镁。
-
公开(公告)号：CN107403730B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201710327977.8
申请日：2012-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置，并且提供该半导体装置的制造方法。以高成品率制造可靠性高的半导体装置，而可以实现高生产化。在具有接触于氧化物半导体膜上地设置源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置中，抑制杂质混入到该氧化物半导体膜的侧面端部中、以及发生氧缺陷。由此在该氧化物半导体膜的侧面端部形成寄生沟道而防止该晶体管的电特性变动。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
179
records
(took 0.033 seconds)
