公开(公告)号：CN117616585A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280049794.3

申请日：2022-07-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 斋藤暁 ,  高桥正弘 ,  奥野直树 ,  马场晴之 ,  国武寛司 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/792 ,  H01L29/788 ,  H10B41/70 ,  H10B12/00 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/66 ,  H01L21/428 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L21/314 ,  H01L21/268

Abstract: 提供一种晶体管的电特性不均匀小的半导体装置。半导体装置包括：氧化物、氧化物上的第一导电体、第二导电体及第一绝缘体、第一导电体及第二导电体上的第二绝缘体、第一绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及第二绝缘体及第三导电体上的第四绝缘体。第四绝缘体与第二绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触。第一绝缘体具有分别与氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面及第二绝缘体的侧面接触的区域。氧化物包含铟、镓、铝及锌。第一绝缘体及第四绝缘体都包含铝及氧。第四绝缘体具有非晶结构。氧化物具有铝的浓度从氧化物的底面向氧化物的顶面变高的浓度梯度。