公开(公告)号：CN111771287B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201980015327.7

申请日：2019-02-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  马场晴之 ,  村山史织

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H10B12/00 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第三氧化物、第二氧化物上的第一导电体及第二导电体、第二绝缘体、第三导电体、第一导电体及第二导电体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第三绝缘体，其中在第三绝缘体及第四绝缘体中设置到达第二氧化物的开口，以覆盖开口的内壁的方式配置第三氧化物，以隔着第三氧化物覆盖开口的内壁的方式配置第二绝缘体，以隔着第三氧化物及第二绝缘体填充开口的方式配置第三导电体，并且在晶体管的沟道长度方向上，第一绝缘体的底面和与第二导电体相对的第一导电体的侧面所形成的角度小于90度。

公开(公告)号：CN108780757B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201780018390.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  松田慎平 ,  马场晴之 ,  本田龙之介

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。

公开(公告)号：CN109121438B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201780023312.6

申请日：2017-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  津吹将志 ,  马场晴之 ,  重信幸惠 ,  肥冢绘美

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 在包括氧化物半导体的晶体管中，抑制电特性的变动且提高可靠性。半导体装置包括晶体管。晶体管包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的第二栅电极、以及氧化物半导体膜及第二栅电极上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括与第二栅电极重叠的沟道区域、与第三绝缘膜接触的源区域以及与第三绝缘膜接触的漏区域。第一栅电极与第二栅电极电连接。在对晶体管的饱和区域中的场效应迁移率进行测量时，场效应迁移率的最小值与场效应迁移率的最大值之差为15cm2/Vs以下。

公开(公告)号：CN115241045B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202210902715.0

申请日：2017-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  松田慎平 ,  马场晴之 ,  本田龙之介

IPC: H01L21/02 ,  H10D30/67 ,  H10D86/60 ,  H10D62/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。

公开(公告)号：CN117616585A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280049794.3

申请日：2022-07-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 斋藤暁 ,  高桥正弘 ,  奥野直树 ,  马场晴之 ,  国武寛司 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/792 ,  H01L29/788 ,  H10B41/70 ,  H10B12/00 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/66 ,  H01L21/428 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L21/314 ,  H01L21/268

Abstract: 提供一种晶体管的电特性不均匀小的半导体装置。半导体装置包括：氧化物、氧化物上的第一导电体、第二导电体及第一绝缘体、第一导电体及第二导电体上的第二绝缘体、第一绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及第二绝缘体及第三导电体上的第四绝缘体。第四绝缘体与第二绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触。第一绝缘体具有分别与氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面及第二绝缘体的侧面接触的区域。氧化物包含铟、镓、铝及锌。第一绝缘体及第四绝缘体都包含铝及氧。第四绝缘体具有非晶结构。氧化物具有铝的浓度从氧化物的底面向氧化物的顶面变高的浓度梯度。

公开(公告)号：CN116134600A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202180063322.9

申请日：2021-09-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  马场晴之

IPC: H01L21/822

Abstract: 提供一种用来执行包含反铁电性元件的电路的模拟的程序。该程序为设定有反铁电性元件的等效电路模型的程序。等效电路模型的第一端子与第二端子之间具备铁电性元件、线性电阻器、第一晶体管及第二晶体管。第一端子与铁电性元件的一对电极中的一方及线性电阻器的第一端子连接，铁电性元件的一对电极中的另一方与第一晶体管的源电极和漏电极中的一个连接，第一晶体管的栅电极与第二晶体管的栅电极、第二晶体管的源电极和漏电极中的一个以及线性电阻器的第二端子连接，第二端子与第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个以及第二晶体管的源电极和漏电极中的另一个连接。

公开(公告)号：CN114284364A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111645114.8

申请日：2017-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  津吹将志 ,  马场晴之 ,  重信幸惠 ,  肥冢绘美

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。在包括氧化物半导体的晶体管中，抑制电特性的变动且提高可靠性。半导体装置包括晶体管。晶体管包括第一栅电极、第一栅电极之上的第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜之上的第二绝缘膜、第二绝缘膜之上的第二栅电极、以及氧化物半导体膜及第二栅电极之上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括与第二栅电极重叠的沟道区域、与第三绝缘膜接触的源区域以及与第三绝缘膜接触的漏区域。第一栅电极与第二栅电极电连接。在对晶体管的饱和区域中的场效应迁移率进行测量时，场效应迁移率的最小值与场效应迁移率的最大值之差为15cm2/Vs以下。

公开(公告)号：CN118235535A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280075718.X

申请日：2022-11-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 马场晴之 ,  国武宽司

IPC: H10B51/30 ,  G11C11/22 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种具有新颖的结构的存储元件。存储元件层叠有第一电极、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层及第二电极，并且第一电极、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层及第二电极各自具有彼此重叠的区域。作为半导体层使用金属氧化物之一的氧化物半导体。作为第一绝缘层使用具有反铁电性的材料。

公开(公告)号：CN116158204A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180052288.5

申请日：2021-08-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  马场晴之 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  樱田勇二郎 ,  青木健

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种特性不均匀小的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括泄漏电流得到减少的电容器，该半导体装置的制造方法包括如下步骤：形成第一导电体；在第一导电体上形成第二绝缘体；在第二绝缘体上形成第三绝缘体；在第三绝缘体上形成第二导电体；以及在第二导电体及第三绝缘体上沉积第四绝缘体，其中，包含在第三绝缘体中的氢通过进行加热处理扩散并吸收到第二绝缘体，第一导电体为电容器的一个电极，第二导电体为电容器的另一个电极，并且，第二绝缘体及第三绝缘体为电容器的电介质。

公开(公告)号：CN111771287A

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201980015327.7

申请日：2019-02-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  马场晴之 ,  村山史织

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第三氧化物、第二氧化物上的第一导电体及第二导电体、第二绝缘体、第三导电体、第一导电体及第二导电体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第三绝缘体，其中在第三绝缘体及第四绝缘体中设置到达第二氧化物的开口，以覆盖开口的内壁的方式配置第三氧化物，以隔着第三氧化物覆盖开口的内壁的方式配置第二绝缘体，以隔着第三氧化物及第二绝缘体填充开口的方式配置第三导电体，并且在晶体管的沟道长度方向上，第一绝缘体的底面和与第二导电体相对的第一导电体的侧面所形成的角度小于90度。