公开(公告)号：CN109121438A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201780023312.6

申请日：2017-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  津吹将志 ,  马场晴之 ,  重信幸惠 ,  肥冢绘美

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 在包括氧化物半导体的晶体管中，抑制电特性的变动且提高可靠性。半导体装置包括晶体管。晶体管包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的第二栅电极、以及氧化物半导体膜及第二栅电极上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括与第二栅电极重叠的沟道区域、与第三绝缘膜接触的源区域以及与第三绝缘膜接触的漏区域。第一栅电极与第二栅电极电连接。在对晶体管的饱和区域中的场效应迁移率进行测量时，场效应迁移率的最小值与场效应迁移率的最大值之差为15cm2/Vs以下。

公开(公告)号：CN114284364A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111645114.8

申请日：2017-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  津吹将志 ,  马场晴之 ,  重信幸惠 ,  肥冢绘美

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。在包括氧化物半导体的晶体管中，抑制电特性的变动且提高可靠性。半导体装置包括晶体管。晶体管包括第一栅电极、第一栅电极之上的第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜之上的第二绝缘膜、第二绝缘膜之上的第二栅电极、以及氧化物半导体膜及第二栅电极之上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括与第二栅电极重叠的沟道区域、与第三绝缘膜接触的源区域以及与第三绝缘膜接触的漏区域。第一栅电极与第二栅电极电连接。在对晶体管的饱和区域中的场效应迁移率进行测量时，场效应迁移率的最小值与场效应迁移率的最大值之差为15cm2/Vs以下。

公开(公告)号：CN109121438B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201780023312.6

申请日：2017-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  津吹将志 ,  马场晴之 ,  重信幸惠 ,  肥冢绘美

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 在包括氧化物半导体的晶体管中，抑制电特性的变动且提高可靠性。半导体装置包括晶体管。晶体管包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的第二栅电极、以及氧化物半导体膜及第二栅电极上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括与第二栅电极重叠的沟道区域、与第三绝缘膜接触的源区域以及与第三绝缘膜接触的漏区域。第一栅电极与第二栅电极电连接。在对晶体管的饱和区域中的场效应迁移率进行测量时，场效应迁移率的最小值与场效应迁移率的最大值之差为15cm2/Vs以下。