公开(公告)号：CN118435359A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280084947.8

申请日：2022-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  国武宽司 ,  斋藤晓 ,  高桥正弘 ,  奥野直树 ,  太田将志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/26 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H10B99/00

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一半导体层、第一半导体层上的具有沟道形成区域的第二半导体层、第二半导体层上的第一导电体及第二导电体、在第二半导体层上并位于第一导电体和第二导电体之间的第二绝缘体、以及第二绝缘体上的第三导电体。在晶体管的沟道宽度方向的截面中，第三导电体覆盖第二半导体层的侧面及顶面。第二半导体层的介电常数比第一半导体层高。在晶体管的沟道宽度方向的截面中，第一半导体层和第二半导体层的界面的长度为1nm以上且20nm以下，从第二半导体层的底面到第三导电体的不与第二半导体层重叠的区域的底面的长度比第二半导体层的膜厚度大。

公开(公告)号：CN111373515B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201880075796.3

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三本菅正太 ,  山根靖正 ,  远藤佑太 ,  奥野直树

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体材料。半导体材料是包含金属元素和氮的氧化物，金属元素是铟(In)、元素M(M为铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)或锡(Sn))及锌(Zn)，氮被引入到氧化物的氧空位内或者与金属元素的原子键合。

公开(公告)号：CN117730419A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280048397.4

申请日：2022-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  国武宽司 ,  奥野直树 ,  神保安弘 ,  大野敏和 ,  大贯达也

IPC: H01L29/786 ,  H10B41/70 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H10B12/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种电特性不均匀少的晶体管。晶体管包括第一至第四导电体、第一至第十绝缘体以及氧化物。第三至第五绝缘体位于第二绝缘体上，第六绝缘体具有与第一绝缘体的顶面、氧化物的侧面、第二导电体的侧面及顶面以及第三导电体的侧面及顶面接触的区域，第一导电体与氧化物及第四导电体重叠，第三绝缘体与氧化物及第四导电体重叠，第四绝缘体与氧化物及第二导电体重叠，第五绝缘体与氧化物及第三导电体重叠，第八绝缘体与第三绝缘体的侧面、氧化物的侧面及第七绝缘体的侧面分别接触，第三绝缘体的顶面的高度与第四绝缘体的顶面及第五绝缘体的顶面的高度一致或大致一致。

公开(公告)号：CN105047601A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510345359.7

申请日：2010-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 奥野直树

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种SOI衬底的制造方法及SOI衬底。本发明的目的之一在于抑制当贴合玻璃衬底和单晶半导体衬底来制造SOI衬底时产生的硅层表面的粗糙。或者，本发明的目的之一在于提供一种抑制上述粗糙并提高成品率的半导体装置。通过对接合衬底照射加速了的离子来在该接合衬底中形成脆化区，在接合衬底或支撑衬底的表面上形成绝缘层，隔着绝缘层使接合衬底和支撑衬底贴合并在接合衬底和支撑衬底的一部分中形成不贴合的区域，通过进行热处理，在脆化区中分离接合衬底来在支撑衬底上形成半导体层。

公开(公告)号：CN101887842B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201010178206.5

申请日：2010-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 奥野直树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种SOI衬底的制造方法及SOI衬底。本发明的目的之一在于抑制当贴合玻璃衬底和单晶半导体衬底来制造SOI衬底时产生的硅层表面的粗糙。或者，本发明的目的之一在于提供一种抑制上述粗糙并提高成品率的半导体装置。通过对接合衬底照射加速了的离子来在该接合衬底中形成脆化区，在接合衬底或支撑衬底的表面上形成绝缘层，隔着绝缘层使接合衬底和支撑衬底贴合并在接合衬底和支撑衬底的一部分中形成不贴合的区域，通过进行热处理，在脆化区中分离接合衬底来在支撑衬底上形成半导体层。

公开(公告)号：CN113924657A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202080041969.7

申请日：2020-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  泽井宽美 ,  驹形大树 ,  神保安弘 ,  奥野直树 ,  小松良宽 ,  安藤元晴 ,  森若智昭 ,  森谷幸司 ,  石川纯

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括半导体膜、半导体膜上的一对遮蔽膜、位于半导体膜上且设置在一对遮蔽膜间的绝缘膜，其中半导体膜包括一对n型区域、设置在一对n型区域间的i型区域，n型区域与遮蔽膜重叠，i型区域与绝缘膜重叠。

公开(公告)号：CN112335024A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201980039953.X

申请日：2019-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 种村和幸 ,  三本菅正太 ,  奥野直树

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786 ,  H01L33/16

Abstract: 提供一种在低温下通过外延生长形成金属氧氮化物膜的方法。金属氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：在单晶的衬底上，导入含有氮气体的气体，通过使用氧化物靶材利用溅射法对金属氧氮化物膜进行外延生长，其中，氧化物靶材包含锌，形成金属氧氮化物膜时的衬底为80℃以上且400℃以下，氮气体的流量为气体的总流量中的50％以上且100％以下。

公开(公告)号：CN112335024B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN201980039953.X

申请日：2019-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 种村和幸 ,  三本菅正太 ,  奥野直树

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H10D30/67 ,  H10H20/817

Abstract: 提供一种在低温下通过外延生长形成金属氧氮化物膜的方法。金属氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：在单晶的衬底上，导入含有氮气体的气体，通过使用氧化物靶材利用溅射法对金属氧氮化物膜进行外延生长，其中，氧化物靶材包含锌，形成金属氧氮化物膜时的衬底为80℃以上且400℃以下，氮气体的流量为气体的总流量中的50％以上且100％以下。

公开(公告)号：CN117616585A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280049794.3

申请日：2022-07-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 斋藤暁 ,  高桥正弘 ,  奥野直树 ,  马场晴之 ,  国武寛司 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/792 ,  H01L29/788 ,  H10B41/70 ,  H10B12/00 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/66 ,  H01L21/428 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L21/314 ,  H01L21/268

Abstract: 提供一种晶体管的电特性不均匀小的半导体装置。半导体装置包括：氧化物、氧化物上的第一导电体、第二导电体及第一绝缘体、第一导电体及第二导电体上的第二绝缘体、第一绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及第二绝缘体及第三导电体上的第四绝缘体。第四绝缘体与第二绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触。第一绝缘体具有分别与氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面及第二绝缘体的侧面接触的区域。氧化物包含铟、镓、铝及锌。第一绝缘体及第四绝缘体都包含铝及氧。第四绝缘体具有非晶结构。氧化物具有铝的浓度从氧化物的底面向氧化物的顶面变高的浓度梯度。

公开(公告)号：CN112534588A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201980051407.8

申请日：2019-08-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  奥野直树 ,  本田龙之介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156

Abstract: 提供一种在高温下也稳定地进行工作的半导体装置。该半导体装置包括金属氧化物、绝缘层、第一导电层、第二导电层及第三导电层，金属氧化物包括第一区域、第二区域及第三区域，第一区域与第一导电层重叠，第二区域与第二导电层重叠，第三区域隔着绝缘层与第三导电层重叠，相对于第三区域的载流子浓度的第一区域的载流子浓度的比值为100以上，相对于第三区域的载流子浓度的第二区域的载流子浓度的比值为100以上。