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公开(公告)号：CN116437707A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211639564.0
申请日：2022-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K50/84 , H10K50/844 , H10K59/12 , H10K59/35
Abstract: 在具有在有机半导体层上以与该有机半导体层接触的方式形成氧化铝膜的工序的有机半导体器件、有机EL器件、发光装置、电子设备以及照明装置中抑制高电压化。本发明提供一种有机半导体器件，其包括第一电极、第二电极、有机半导体层以及缓冲层，有机半导体层位于第一电极与第二电极之间，缓冲层位于有机半导体层与第二电极之间，有机半导体层的侧面与缓冲层的侧面大致对齐。
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公开(公告)号：CN109478514A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780043080.0
申请日：2017-07-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种稳定的电特性的半导体装置。或者，提供一种适合于微细化或高密度化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置，包括：第一阻挡层；第二阻挡层；第三阻挡层；具有氧化物的晶体管；绝缘体；以及导电体。绝缘体包括过剩氧区域。绝缘体及氧化物位于第一阻挡层与第二阻挡层之间。导电体隔着第三阻挡层位于第一阻挡层的开口、第二阻挡层的开口、绝缘体的开口中。
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公开(公告)号：CN111524967B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010201041.2
申请日：2015-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/24 , H01L29/04 , H01L29/786 , H01L27/12 , C01G15/00
Abstract: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。
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公开(公告)号：CN116918486A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280014941.3
申请日：2022-02-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/12 , H10K59/30 , H10K59/123 , H10K71/00
Abstract: 提供一种高清晰度或高分辨率的显示装置。一种包括多个发光元件、受光元件、着色层及第一侧壁的显示装置。发光元件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层、第一发光层上的中间层及第一中间层上的第二发光层上的公共电极。第一像素电极、第一发光层、中间层及第二发光层在各发光元件中分开地设置。着色层以具有与发光元件重叠的区域的方式设置。受光元件包括第二像素电极、第二像素电极上的受光层及受光层上的公共电极。第一侧壁以覆盖第一像素电极的侧面的至少一部分、第一发光层的侧面的至少一部分、第一中间层的侧面的至少一部分及第二发光层的侧面的至少一部分的方式设置。此外，第二侧壁以覆盖第二像素电极的侧面的至少一部分及受光层的侧面的至少一部分的方式设置。
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公开(公告)号：CN116686034A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202280008245.1
申请日：2022-01-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括发光元件以及以覆盖发光元件的方式配置的绝缘层，发光元件包括第一导电层、第一导电层上的EL层以及EL层上的第二导电层，绝缘层包括第一层、第一层上的第二层以及第二层上的第三层，第一层具有俘获或固定水和氧中的至少一方的功能，第二层具有抑制水和氧中的至少一方扩散的功能，第三层的碳浓度比第一层和第二层中的至少一方高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116034488A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180057131.1
申请日：2021-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种晶体管特性不均匀小的半导体装置。包括如下工序：在包括氧化物半导体器件的结构体中形成到达氧化物半导体器件的开口的工序；将第一导电体嵌入开口中的工序；以与第一导电体的顶面接触的方式形成第二导电体的工序；通过溅射法以覆盖结构体、第一导电体及第二导电体的方式形成第一阻挡绝缘膜的工序；以及通过ALD法在第一阻挡绝缘膜上形成第二阻挡绝缘膜的工序，其中第一阻挡绝缘膜及第二阻挡绝缘膜具有抑制氢的扩散的功能。
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公开(公告)号：CN107210230B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201680008956.3
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下，M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。
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公开(公告)号：CN113793872A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111054048.7
申请日：2015-12-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/34 , H01L21/02 , C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 本公开的发明名称是“半导体装置及其制造方法”，且目的之一是提供一种具有稳定的电特性的晶体管。该晶体管包括：衬底上形成的第一绝缘体；第一绝缘体上形成的第一至第三氧化物绝缘体；第三氧化物绝缘体上形成的第二绝缘体；第二绝缘体上形成的第一导电体；以及第一导电体上形成的第三绝缘体，其中，第一氧化物绝缘体及第二氧化物绝缘体的导带底能级比氧化物半导体的导带底能级更近于真空能级，第三氧化物绝缘体的导带底能级比第二氧化物绝缘体的导带底能级更近于真空能级，第一绝缘体包含氧，通过热脱附谱分析测量的从第一绝缘体脱离的氧分子量为1E14 molecules/cm2以上且1E16 molecules/cm2以下。
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公开(公告)号：CN111373515B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201880075796.3
申请日：2018-11-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , H10B12/00 , H10B41/70 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体材料。半导体材料是包含金属元素和氮的氧化物，金属元素是铟(In)、元素M(M为铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)或锡(Sn))及锌(Zn)，氮被引入到氧化物的氧空位内或者与金属元素的原子键合。
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公开(公告)号：CN117242899A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280029612.6
申请日：2022-04-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/12
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。提供一种可靠性高的显示装置。提供一种功耗低的显示装置。提供一种容易高清晰化的显示装置。提供一种兼具有高显示品质和高清晰度的显示装置。提供一种对比度高的显示装置。显示装置包括第一层、第一层上的第二层以及第二层上的第三层，第一层包括沟道形成区域中包含硅的第一晶体管，第二层包括沟道形成区域中包含金属氧化物的第二晶体管，第三层包括第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件、具有发射白色光的发光层的EL层、第一发光元件上的第一着色层、第二发光元件上的第二着色层以及第三发光元件上的第三着色层，在第二发光元件与第三发光元件之间确认不到串扰。
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