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公开(公告)号：CN118984638A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411078143.4
申请日：2024-08-07
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H10K71/16 , C23C14/24 , C23C14/58 , C23C14/12 , C23C14/06 , H10K71/00 , H10K30/40 , H10K30/50 , H10K71/40
摘要： 本申请涉及钙钛矿电池技术领域，具体提供一种钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿电池及其制备方法。旨在解决现有的钙钛矿薄膜在制备过程中存在无机盐骨架层内的碘化铅与有机盐反应不彻底，影响产品性能的问题。为此，本申请的制备方法包括以下步骤：通过第一蒸镀操作在基材的表面制备包含有添加剂的无机盐骨架层，之后进行第一退火处理，在基材的表面得到内部具有若干孔隙的无机盐骨架层；通过第二蒸镀操作在内部具有若干孔隙的无机盐骨架层的表面制备有机层，之后进行第二退火处理，在基材的表面得到钙钛矿薄膜；其中，添加剂包括能够在第一退火处理中挥发的铵盐添加剂。本申请的钙钛矿薄膜的制备方法能够使碘化铅完全反应，提升钙钛矿电池性能。
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公开(公告)号：CN118984637A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411075087.9
申请日：2024-08-07
申请人： 江苏科技大学
摘要： 本发明公开了一种缩小有机发光二极管像素尺寸的电子束刻蚀方法，包括以下步骤：(1)清洁基片；(2)将导电阳极溅射在基片上；(3)将电子束光刻胶涂敷在带有导电阳极的基片上；(4)在电子束光刻胶上刻蚀盲孔结构；(5)提高基片上导电阳极的表面功函数；(6)将有机发光二极管的各有机功能层和导电阴极蒸镀在带有盲孔结构的电子束光刻胶上，制备像素尺寸为百纳米尺度的有机发光二极管。本发明通过引入电子束光刻工艺方法，摆脱了目前制造有机发光二极管显示屏幕采用通过精细金属掩模版蒸镀的方法，采用绝缘的电子束光刻胶作为固定掩模版，避免材料热胀冷缩及移动或者更换精细金属掩模版时的定位误差。
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公开(公告)号：CN118984631A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411051790.6
申请日：2024-07-31
申请人： 合肥维信诺科技有限公司
发明人： 王海月
IPC分类号： H10K71/00 , H10K50/844 , H10K59/12 , H10K59/80
摘要： 本发明提供了一种喷墨打印装置及显示面板制备方法，包括载台，所述载台上设有基板放置区，所述基板放置区形成至少一个喷墨打印区；冷却组件，所述基板上喷墨打印区在所述载台上的正投影面为第一投影面，所述冷却组件在所述载台上的正投影面为第二投影面，所述第二投影面绕所述第一投影面的边缘一圈周向设置，且所述第二投影面与所述第一投影面连接；本方案在喷墨打印装置中设置冷却组件，通过冷却组件降低喷墨打印区边缘处的温度，让流动至喷墨打印区边缘部位的油墨流动速度降低，有效地解决油墨溢流至Dam外导致模组封装失败的问题，同时还能让原本内外双层的Dam结构改成单层Dam结构，从而实现显示面板的窄边框设计。
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公开(公告)号：CN118984630A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411051779.X
申请日：2024-07-31
申请人： 合肥维信诺科技有限公司
发明人： 赵学峰
摘要： 本申请提供一种显示面板制程中异常膜层处理装置及方法，装置包括：切割组件，用于在目标基板上的功能层破裂时，对功能层上的目标区域进行切割；其中，目标区域至少包括破裂区域。本申请提供的一种显示面板制程中异常膜层处理装置可以避免破裂的功能层影响正常生产，该装置具有工作效率高的优点。同时，避免人工手动修复造成功能层再次破裂，从而对其他显示面板造成污染，影响产品良率。
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公开(公告)号：CN118984623A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411086378.8
申请日：2024-08-08
申请人： 固安翌光科技有限公司
IPC分类号： H10K59/131 , H01L27/12 , H01L21/77 , H10K71/00
摘要： 本发明公开了一种发光装置和发光装置的制作方法。发光装置包括：驱动走线层、第一绝缘层、阻隔层和第二绝缘层；第一绝缘层覆盖驱动走线层，第二绝缘层覆盖非发光区；基板的发光区设置有发光单元；发光单元包括第一电极、发光层和第二电极，第二电极设置于发光层远离基板的一侧，第二电极覆盖发光区和以及覆盖非发光区的第二绝缘层的至少部分区域；每一第一电极与一驱动走线电连接，驱动走线用于向第一电极传输驱动信号；阻隔层在基板的垂直投影至少覆盖部分驱动走线，阻隔层用于阻挡第一绝缘层上的缺陷向第二绝缘层传输，以及阻挡第一绝缘层上的缺陷向第二绝缘层传输。本发明能够防止第一电极和第二电极短路，增加了发光装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN118984604A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411045890.8
申请日：2024-07-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开提供一种可拉伸显示基板及其制作方法、显示装置，能够改善显示失效的问题。本公开提供的可拉伸显示基板包括：第一基板部分，包括第一衬底、第二衬底及发光器件，第一衬底设于第二衬底上，第一衬底包括镂空区、岛和连接桥，发光器件设于岛上；第二基板部分，包括第三衬底及第一像素电路，第一像素电路至少包括多根走线；连接部分，包括多个连接线和包覆住连接线的绝缘结构，一个岛对应至少一根连接线设置，连接线的第一端连接至对应岛上的发光器件，连接线的第二端连接至第一像素电路，第一端随第一基板部分的拉伸变形相对第二端可位移，绝缘结构随第一端的位移可变形。本公开的可拉伸显示基板及其制作方法、显示装置可改善显示失效的问题。
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公开(公告)号：CN118984603A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411042620.1
申请日：2024-07-30
申请人： 惠科股份有限公司
摘要： 本申请提供的阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板，通过设置第一电极层设于透光基板上，第一电极层为透光结构；发光层设于第一电极层上；第二电极层设于发光层上，第二电极层包括至少一层透光微结构及导电层，导电层设于透光微结构背离发光层的一侧，透光微结构与导电层之间接触以形成反光面，反光面至少用于将发光层发射的光线反射至经透光基板射出，以提高阵列基板中发光层发出的光线经透光基板射出的出光率。
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公开(公告)号：CN118973360A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411443451.2
申请日：2024-10-16
申请人： 南开大学
摘要： 本发明涉及晶体管制备技术领域，提供一种分子膜光电晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底上旋涂光刻胶，对衬底依次进行曝光处理和蒸镀处理，获得包含金属电极的第一中间物；在第一中间物上自组装光敏分子膜，获得第二中间物；制备生长有单层石墨烯的第三中间物；制备包含石墨烯条带的第四中间物；制备包含石墨烯金属电极的第五中间物；在第五中间物上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，浸泡于三氯化铁盐酸溶液中，刻蚀去除铜箔，清洗，获得第六中间物；将第六中间物置于第二中间物上，获得分子膜光电晶体管。本发明实现快速制备成本低、环境稳定性高、制备工艺简单和良品率高的分子膜光电晶体管。
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公开(公告)号：CN118973353A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411028103.9
申请日：2024-07-30
申请人： 天合光能股份有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种钙钛矿层的制备方法、涂布设备以及钙钛矿太阳能电池。其中，钙钛矿层的制备方法包括：采用涂布装置朝向目标基板涂布钙钛矿前驱体溶液，以在目标基板上形成钙钛矿液膜；风刀位于涂布装置的背向涂布方向的一侧；采用风刀吹出气流，气流流向钙钛矿液膜的表面；气流包括带走钙钛矿液膜中溶剂的第一成分，和延缓钙钛矿液膜表面的结晶速度的第二成分。本申请实施例的技术方案，通过向钙钛矿液膜的表面通入包括有延缓钙钛矿液膜表面的结晶速度的第二成分的气流，气流吹向钙钛矿液膜的表面可以延缓液膜表面的结晶，使得在涂覆完成整个钙钛矿液膜的情况下，整个钙钛矿液膜均匀结晶，提高钙钛矿层的品质。
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公开(公告)号：CN118973302A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411008995.6
申请日：2024-07-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本公开提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，该显示基板包括：驱动背板，包括衬底和有机平坦层，衬底包括显示区及围绕显示区的非显示区，在从显示区指向非显示区的第一方向上，非显示区远离显示区的一侧形成为基板切割边；依次堆叠在所述驱动背板上的发光器件层、薄膜封装层、有机功能层、有机保护层；在第一方向上，有机平坦层和有机保护层中至少一者的图案相对基板切割边向显示区所在一侧缩进预定距离、和/或在垂直驱动背板的第二方向上，有机平坦层和有机保护层之间在靠近基板切割边的位置设有阻断结构，以阻断有机平坦层与有机保护层的材料之间的化学反应路径。本公开提供的显示基板及其制作方法、显示装置可提高显示产品品质。
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