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公开(公告)号：CN119486460A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411531048.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 深圳大学
IPC: H10K30/65 , H10K71/12 , H10K71/60 , H10K101/60
Abstract: 本发明公开一种有机场效应晶体管及其制备方法与应用，所述有机场效应晶体管的结构从下到上依次为衬底、栅电极、量子点层、有机活性层和源漏电极；其中，所述量子点层采用的材料为上转换量子点。本发明将对近红外光敏感的上转换量子点与有机活性层中的有机活性物质相结合，同时构建有机活性层和近红外光敏感的量子点层，有利于补充单一成分(仅有机活性层)有机场效应晶体管近红外光响应的缺失，提升有机场效应晶体管的近红外光响应性能。
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公开(公告)号：CN119300622A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202310838197.5
申请日：2023-07-10
Applicant: 中国科学院化学研究所
IPC: H10K39/30 , H10K39/00 , H10K30/81 , H10K30/84 , H10K30/00 , H10K30/65 , H10K85/10 , H10K77/10 , H10K71/60 , H10K71/12
Abstract: 本发明公开了一种高密度可拉伸有机光晶体管阵列及其制备方法和应用。本发明高密度可拉伸有机光晶体管阵列为基于纳米限域下聚合物薄膜的有机光晶体管；有机光晶体管采用顶栅顶接触、顶栅底接触、底栅顶接触或底栅底接触结构，包括可拉伸衬底、可拉伸绝缘层、可拉伸聚合物半导体层以及可拉伸栅电极和可拉伸源、漏微电极层；其中，可拉伸聚合物半导体层为纳米限域的聚合物薄膜，且纳米限域的聚合物薄膜同时作为光敏层和半导体层，在感生光子的同时直接参与载流子传输。本发明高密度有机光晶体管阵列具有高灵敏、低压和低剂量的X射线探测能力，高可拉伸性和器件均一性，可直接贴附于复杂物体表面或内部，在较低辐射剂量和极短时间内获得高清晰检测结果。
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公开(公告)号：CN119277879A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310827494.X
申请日：2023-07-06
Applicant: 中国科学院化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用手性团簇半导体界面实现圆偏振光分辨和存储的方法及其应用。本发明将手性团簇作为圆偏振光探测、光电信号转换和存储单元，半导体作为电信号传递输出单元，构筑手性团簇半导体界面。该界面实现圆偏振光信息的传递，实现圆偏振光的分辨和存储的感存一体化，有效的减小了器件制备加工成本和器件结构复杂程度。本发明提供的圆偏振光光电晶体管器件在加密传输、编码解码、防伪等领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119212410A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202310765776.1
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国科学院化学研究所
Abstract: 本发明公开了基于准连续杂化光敏层的可拉伸宽波段光自适应‑突触晶体管及其制备方法。其由底栅顶接触结构的全可拉伸晶体管及可拉伸量子点/弹性体杂化光敏层构筑而成。所述可拉伸量子点/弹性体杂化光敏层通过调控感光量子点和弹性体聚合物的共混比例、预聚集形态以及自组装准连续‑微球形貌制备而成。本发明所制备的本征可拉伸宽波段光自适应‑突触晶体管具有优异的场效应特性、卓越的光电响应性能以及高的拉伸应变能力；同时具备出色的突触行为模拟功能、宽波段的仿生视觉自适应功能及成像效果，拓宽了量子点在可拉伸器件构筑中的应用前景，为未来可穿戴光电器件、电子皮肤、类脑神经计算以及仿生视觉网络等领域提供了一种切实可行的策略。
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公开(公告)号：CN111952462B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010665708.4
申请日：2020-07-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，具体为一种基于共价有机框架材料的紫外与可见光探测器及其制备方法。本发明方法包括：首先，制备半导体沟道暴露在外的晶体管器件；然后，在半导体沟道上沉积一层光敏性的共价有机框架材料；最后，将器件置于液体环境中，得到高性能的紫外与可见光探测器。本发明以光敏性的共价有机框架材料作为光能吸收材料，在液体辅助下可利用液固界面积累大量电荷，改变半导体沟道的掺杂状态和导电性，从而将光信号转化为电信号。本发明工艺简单，可实现紫外可见光（254纳米–760纳米）探测，响应度高，响应时间短，稳定性好，在信息、通讯、人工智能等领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114672002B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210459993.3
申请日：2022-04-24
Applicant: 青岛海湾化学股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于制作有机光电晶体管的聚合物P‑PPAB‑IDT及有机光电晶体管，聚合物P‑PPAB‑IDT中采用席夫碱氮杂功能化的PPAB分子作为吸电子单元，采用IDT作为供电子单元，PPAB分子和IDT通过耦合得到聚合物P‑PPAB‑IDT，使得聚合物P‑PPAB‑IDT具有更高的平面性和更好的堆积模式，IDT的引入增加了聚合物的共轭长度，使得聚合物P‑PPAB‑IDT具有更高的载流子迁移率，并进一步发现采用聚合物P‑PPAB‑IDT作为活性和光敏层的有机光电晶体管在具有高π‑π堆积的同时反而具有相对较弱的光敏性，进而可以通过合理的分子结构设计降低π‑π堆积的程度提高光敏性，为共轭聚合物在有机光电晶体管中的应用提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN117460377A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311173821.0
申请日：2023-09-12
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明提供了一种有机光电突触晶体管阵列的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，在洗烘后的基底上制备栅电极；步骤S2，在栅电极上制备绝缘层；步骤S3，在绝缘层上旋涂光刻胶，得到第一光刻胶层，进行光刻得到多个源漏电极图案，通过真空蒸镀将电极材料沉积在绝缘层上，剥离光刻胶，得到多个共面的源漏电极形成源漏电极阵列；步骤S4，在带有源漏电极阵列的绝缘层上旋涂光刻胶，得到第二光刻胶层，进行光刻得到图案模板，基于图案模板旋涂有机聚合物半导体，剥离光刻胶后，得到图案化的有机聚合物半导体作为有源活性层，制备完成后，得到有机光电突触晶体管阵列，其中，源漏电极、有源活性层均通过光刻法进行图案化。
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公开(公告)号：CN116768893A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310606040.X
申请日：2023-05-26
Applicant: 西北工业大学太仓长三角研究院 , 西北工业大学
IPC: C07D471/06 , H10K85/60 , H10K30/65
Abstract: 本发明涉及一种基于萘四酰二亚胺的N型光敏场效应晶体管材料，其结构通式为#imgabs0#其中R为烷基，苄基，取代苄基，芳基或取代芳基，X为O或S。本发明的N型光敏场效应晶体管材料具有高迁移率和强光响应性能，光敏性良好，为光敏传感器的研究及应用提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN116768892A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310606036.3
申请日：2023-05-26
Applicant: 西北工业大学太仓长三角研究院
IPC: C07D471/06 , H10K30/65 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及一种硫代苝二酰亚胺的N型光敏场效应晶体管材料，其结构通式为#imgabs0#其中R为烷基，苄基，取代苄基，芳基或取代芳基。本发明的N型光敏场效应晶体管材料具有高迁移率与强光响应性能，光敏性良好，为光敏传感器的研究及应用提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN115666142A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211354772.6
申请日：2022-11-01
Applicant: 同济大学
Abstract: 一种具有宽光谱响应的突触晶体管器件，其特征在于，包括：浮栅层，用于捕获不同波长的光信号从而产生光生载流子；隧穿层，设置在浮栅层上，用于储存浮栅层内产生的光生载流子；有源层，设置在隧穿层上，用于传输电荷载流子和光生载流子；源漏电极，两个源漏电极对称设置在有源层上，用于提供驱动电压，驱动有源层中电荷载流子和光生载流子的流动，形成回路；基底，设置在突触晶体管器件最底端，用于作为制备突触晶体管器件的基础；栅电极，设置在基底上，用于诱导出有源层中的电荷载流子；绝缘层，设置在栅电极与浮栅层之间，用于隔绝栅电极和有源层的导通，其中，浮栅层的材料为具有宽光谱响应的量子点，浮栅层与有源层之间形成异质结结构。
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