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公开(公告)号：CN106783908A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611138823.6
申请日：2016-12-12
申请人： 中国科学院化学研究所
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/4206 , H01L27/307 , H01L51/0036 , H01L51/0057 , H01L51/0512
摘要： 本发明公开了一种基于有机染料的抗可见光近红外记忆像素。该记忆像素，由上至下依次为光敏分压器中的薄膜电阻层、金属电极层、隔离层和有机场效应晶体管存储器；其中，光敏分压器中的金属电极层位于有机场效应晶体管存储器中的金属电极层之上；隔离层填充光敏分压器中的薄膜电阻层和有机场效应晶体管存储器中的介电层之间未被光敏分压器中的金属电极层覆盖的区域。光敏分压器在近红外下光响应明显优于可见光。该近红外记忆像素能在近红外光敏分压器驱动下，将近红外信号转换为非挥发性存储信号，有潜力应用在红外探测器和波段选择的图像传感器领域。
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公开(公告)号：CN106750193A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611138353.3
申请日：2016-12-12
申请人： 中国科学院化学研究所
CPC分类号： C08G61/126 , C08G61/124 , C08G2261/12 , C08G2261/1412 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0512
摘要： 本发明公开了一种连三吡咯并吡咯二酮聚合物及其合成方法与应用。该聚合物的结构如式Ⅰ所示，其中，R为C1～C60的直链或支链烷基。本发明还提供了式I所示聚合物的制备方法。本发明的原料为商业化产品；合成路线简单；产率高。以本发明的连三吡咯并吡咯二酮聚合物为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的空穴迁移率最高为1.12cm2V‑1s‑1，电子迁移率最高为1.27cm2V‑1s‑1，在有机场效应晶体管器件中有着良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106783908B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201611138823.6
申请日：2016-12-12
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种基于有机染料的抗可见光近红外记忆像素。该记忆像素，由上至下依次为光敏分压器中的薄膜电阻层、金属电极层、隔离层和有机场效应晶体管存储器；其中，光敏分压器中的金属电极层位于有机场效应晶体管存储器中的金属电极层之上；隔离层填充光敏分压器中的薄膜电阻层和有机场效应晶体管存储器中的介电层之间未被光敏分压器中的金属电极层覆盖的区域。光敏分压器在近红外下光响应明显优于可见光。该近红外记忆像素能在近红外光敏分压器驱动下，将近红外信号转换为非挥发性存储信号，有潜力应用在红外探测器和波段选择的图像传感器领域。
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公开(公告)号：CN105884794A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410646023.X
申请日：2014-11-15
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C07D495/22 , H01L51/30
摘要： 本发明公开了一种富含氮硫有机共轭小分子及其制备方法与应用。富含氮硫有机共轭小分子，结构如式(I)所示，其中，R为氢、烷基或芳基。本发明还提供了式(I)化合物的制备方法。本发明的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性，可以推广应用到其他各种取代基取代的并四噻吩衍生物的合成。以本发明合成的5，11?二氢?2，2′?([1，3]二硫醇并[4，5?e]吡嗪并[2，3?g][1，3]二硫醇并[4，5?b]喹喔啉?2，8?二亚基)二丙二腈化合物(DTYM)为有机半导体层制备的OFET的迁移率和开关比都比较高，电子迁移率最高为0.005cm2V?1s?1，开关比大于103，它们在n型OFET器件中有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104868055A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510166195.1
申请日：2015-04-09
申请人： 中国科学院化学研究所
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/424 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/0091
摘要： 本发明公开了一种有机异质结薄膜光敏电阻与基于有机共轭分子的光敏分压器。该光敏分压器由下至上依次由基底、衬底、图案化的金属电极层和电阻层组成；其中，所述电阻层由共平面的异质结薄膜和酞菁薄膜II组成，且所述异质结薄膜与所述酞菁薄膜II的连接方式为串联；所述异质结薄膜与所述酞菁薄膜II共用一段金属电极。本发明首次利用了两种廉价常见的有机染料酞菁铜/氮，氮-二辛基-3,4,9,10-苝酰亚胺制备了具有线性动态范围最高可达81dB的有机薄膜光敏电阻，并获得了具有对弱光辐照极为敏感的分压器，为今后的弱光探测器和全有机共轭分子构建的光探测电路打下了基础。
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公开(公告)号：CN103606634A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310565869.6
申请日：2013-11-14
申请人： 中国科学院化学研究所
CPC分类号： H01L51/102 , H01L51/0023
摘要： 本发明公开了一种图案化金属电极及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：（1）在衬底上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯得到聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀层；（2）通过喷墨打印腐蚀性溶剂，按照版图设计，在所述聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀层的表面腐蚀出图案化的结构，即得到图案化的抗蚀层；（3）在所述图案化的抗蚀层的表面沉积金属得到导电层；然后将所述衬底与所述图案化的抗蚀层进行剥离，即得到图案化的金属电极。本发明所涉及的图案化金属电极对于衬底没有特殊要求，能够在绝大多数平面衬底上加工；本发明所涉及的方法具有价格低廉，金属分辨率和光刻工艺分辨率持平，沟道分辨率优于光刻工艺分辨率的优点。
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公开(公告)号：CN104868055B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510166195.1
申请日：2015-04-09
申请人： 中国科学院化学研究所
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种有机异质结薄膜光敏电阻与基于有机共轭分子的光敏分压器。该光敏分压器由下至上依次由基底、衬底、图案化的金属电极层和电阻层组成；其中，所述电阻层由共平面的异质结薄膜和酞菁薄膜II组成，且所述异质结薄膜与所述酞菁薄膜II的连接方式为串联；所述异质结薄膜与所述酞菁薄膜II共用一段金属电极。本发明首次利用了两种廉价常见的有机染料酞菁铜/氮，氮‑二辛基‑3,4,9,10‑苝酰亚胺制备了具有线性动态范围最高可达81dB的有机薄膜光敏电阻，并获得了具有对弱光辐照极为敏感的分压器，为今后的弱光探测器和全有机共轭分子构建的光探测电路打下了基础。
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公开(公告)号：CN105968326A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610330560.2
申请日：2016-05-18
申请人： 中国科学院化学研究所
CPC分类号： C08G61/126 , C08G61/124 , C08G2261/12 , C08G2261/228 , C08G2261/3223 , C08G2261/3229 , C08G2261/512 , C08G2261/514 , C08G2261/94 , H01L51/0036
摘要： 本发明公开了一种双吡咯并吡咯二酮聚合物制备方法与应用。该聚合物的结构如式Ⅰ所示，其中，R为C1～C40的直链或支链烷基。本发明还提供了式I所示聚合物的制备方法。本发明的原料为商业化产品；合成路线简单；合成方法具有普适性。以本发明的双吡咯并吡咯二酮聚合物为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的空穴迁移率最高为2.05cm2V‑1s‑1，开关比大于106，电子迁移率最高为1.81cm2V‑1s‑1，开关比大于103，在双极性有机场效应晶体管器件中有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105968326B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610330560.2
申请日：2016-05-18
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种双吡咯并吡咯二酮聚合物制备方法与应用。该聚合物的结构如式Ⅰ所示，其中，R为C1～C40的直链或支链烷基。本发明还提供了式I所示聚合物的制备方法。本发明的原料为商业化产品；合成路线简单；合成方法具有普适性。以本发明的双吡咯并吡咯二酮聚合物为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的空穴迁移率最高为2.05cm2V‑1s‑1，开关比大于106，电子迁移率最高为1.81cm2V‑1s‑1，开关比大于103，在双极性有机场效应晶体管器件中有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103606634B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310565869.6
申请日：2013-11-14
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种图案化金属电极及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：（1）在衬底上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯得到聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀层；（2）通过喷墨打印腐蚀性溶剂，按照版图设计，在所述聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀层的表面腐蚀出图案化的结构，即得到图案化的抗蚀层；（3）在所述图案化的抗蚀层的表面沉积金属得到导电层；然后将所述衬底与所述图案化的抗蚀层进行剥离，即得到图案化的金属电极。本发明所涉及的图案化金属电极对于衬底没有特殊要求，能够在绝大多数平面衬底上加工；本发明所涉及的方法具有价格低廉，金属分辨率和光刻工艺分辨率持平，沟道分辨率优于光刻工艺分辨率的优点。
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