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公开(公告)号：CN103606634B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310565869.6
申请日：2013-11-14
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种图案化金属电极及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：（1）在衬底上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯得到聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀层；（2）通过喷墨打印腐蚀性溶剂，按照版图设计，在所述聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀层的表面腐蚀出图案化的结构，即得到图案化的抗蚀层；（3）在所述图案化的抗蚀层的表面沉积金属得到导电层；然后将所述衬底与所述图案化的抗蚀层进行剥离，即得到图案化的金属电极。本发明所涉及的图案化金属电极对于衬底没有特殊要求，能够在绝大多数平面衬底上加工；本发明所涉及的方法具有价格低廉，金属分辨率和光刻工艺分辨率持平，沟道分辨率优于光刻工艺分辨率的优点。
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公开(公告)号：CN102320752B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110154332.1
申请日：2011-06-09
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种材料的图案化方法。该方法，包括如下步骤：1)在基底上制备一层高分子薄膜；2)在所得高分子薄膜表面利用喷墨打印的方法涂布所述高分子薄膜的良溶剂，得到图案化后的高分子薄膜；3)在所得图案化后的高分子薄膜上及暴露出的所述基底表面依次制备一层目标材料的薄膜和一层聚苯乙烯薄膜后，于水中浸泡后剥掉所述聚苯乙烯薄膜和除图案外所有的目标材料的薄膜和所述高分子薄膜，完成所述材料的图案化。该石墨烯电极的沟道长度最小可达到2微米，在二氧化硅基底上得到的该石墨烯电极可以直接应用于有机场效应晶体管，作为有效的载流子注入电极，而不需要其他的转移或者后处理手段。
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公开(公告)号：CN103606634A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310565869.6
申请日：2013-11-14
申请人： 中国科学院化学研究所
CPC分类号： H01L51/102 , H01L51/0023
摘要： 本发明公开了一种图案化金属电极及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：（1）在衬底上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯得到聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀层；（2）通过喷墨打印腐蚀性溶剂，按照版图设计，在所述聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀层的表面腐蚀出图案化的结构，即得到图案化的抗蚀层；（3）在所述图案化的抗蚀层的表面沉积金属得到导电层；然后将所述衬底与所述图案化的抗蚀层进行剥离，即得到图案化的金属电极。本发明所涉及的图案化金属电极对于衬底没有特殊要求，能够在绝大多数平面衬底上加工；本发明所涉及的方法具有价格低廉，金属分辨率和光刻工艺分辨率持平，沟道分辨率优于光刻工艺分辨率的优点。
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公开(公告)号：CN102255046B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110137729.X
申请日：2011-05-25
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种透明有机聚合物绝缘层及其制备方法与在有机场效应晶体管中的应用。该制备有机绝缘层的方法，包括如下步骤：在有栅电极层的衬底上制备一层聚合物层后进行热处理，冷却后在所述栅电极层上得到所述有机绝缘层。本发明提供的有机场效应晶体管，由下至上依次由衬底、栅电极层、前述有机绝缘层、有机半导体层和位于同一层的源电极层和漏电极层组成；所述源电极层和漏电极层之间不接触。本发明提供的有机场效应晶体管，其有机绝缘层抗溶剂能力强，适用于溶液法过程的器件制备，该晶体管具有低处理温度、较低漏电流和低操作电压。该方法工艺简单、易于操作、成本低廉，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102637824A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210129781.5
申请日：2012-04-27
申请人： 中国科学院化学研究所
CPC分类号： Y02E10/549
摘要： 本发明公开了一种有机电子器件。所述电子器件由下至上包括依次叠加的栅电极、栅绝缘层、有机存储层、有机半导体层以及位于同一层的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间不接触；所述有机存储层由有机共轭分子组成；所述有机半导体层为并五苯或聚噻吩类有机聚合物。本发明通过引入具备电荷存储特性的有机存储层，与具备场效应半导体特性和光电导特性的有机半导体层组成多层结构，在写入电压的影响下，将光生载流子吸收到有机存储层中保留起来；存储的光生载流子在有机半导体层诱导出同等密度电荷，这样通过测量有机半导体的电导性，无损的读出光信号强弱。
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公开(公告)号：CN102255046A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110137729.X
申请日：2011-05-25
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种透明有机聚合物绝缘层及其制备方法与在有机场效应晶体管中的应用。该制备有机绝缘层的方法，包括如下步骤：在有栅电极层的衬底上制备一层聚合物层后进行热处理，冷却后在所述栅电极层上得到所述有机绝缘层。本发明提供的有机场效应晶体管，由下至上依次由衬底、栅电极层、前述有机绝缘层、有机半导体层和位于同一层的源电极层和漏电极层组成；所述源电极层和漏电极层之间不接触。本发明提供的有机场效应晶体管，其有机绝缘层抗溶剂能力强，适用于溶液法过程的器件制备，该晶体管具有低处理温度、较低漏电流和低操作电压。该方法工艺简单、易于操作、成本低廉，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101710607B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200910237346.2
申请日：2009-11-10
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： H01L51/40
摘要： 本发明公开了一种在有机半导体薄膜上制备聚合物绝缘薄膜的方法。该方法包括下述步骤：1)在亲水性基片表面制备聚合物薄膜，然后将所述亲水性基片浸入水中，水侵入所述聚合物薄膜与所述亲水性基片之间，使所述聚合物薄膜从所述亲水性基片表面剥落，并自发铺展于水的表面，将所述聚合物薄膜从水的表面转移到框架上，并将支撑着所述聚合物薄膜的框架放入烘箱，使所述聚合物薄膜烘干；2)使有机半导体薄膜表面与所述高分子聚合物薄膜表面相接触，并将它们置于烘箱中，在真度为0.001Kpa-1Kpa的条件下进行加热，冷却至室温后将薄膜取出，即在有机半导体薄膜表面制备得到高分子聚合物薄膜。采用上述方法可以最大程度上降低顶层绝缘层构建对有机半导体薄膜的负面作用，提高顶栅OFET的性能。
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公开(公告)号：CN102320752A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110154332.1
申请日：2011-06-09
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种材料的图案化方法。该方法，包括如下步骤：1)在基底上制备一层高分子薄膜；2)在所得高分子薄膜表面利用喷墨打印的方法涂布所述高分子薄膜的良溶剂，得到图案化后的高分子薄膜；3)在所得图案化后的高分子薄膜上及暴露出的所述基底表面依次制备一层目标材料的薄膜和一层聚苯乙烯薄膜后，于水中浸泡后剥掉所述聚苯乙烯薄膜和除图案外所有的目标材料的薄膜和所述高分子薄膜，完成所述材料的图案化。该石墨烯电极的沟道长度最小可达到2微米，在二氧化硅基底上得到的该石墨烯电极可以直接应用于有机场效应晶体管，作为有效的载流子注入电极，而不需要其他的转移或者后处理手段。
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公开(公告)号：CN101710607A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910237346.2
申请日：2009-11-10
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： H01L51/40
摘要： 本发明公开了一种在有机半导体薄膜上制备聚合物绝缘薄膜的方法。该方法包括下述步骤：1)在亲水性基片表面制备聚合物薄膜，然后将所述亲水性基片浸入水中，水侵入所述聚合物薄膜与所述亲水性基片之间，使所述聚合物薄膜从所述亲水性基片表面剥落，并自发铺展于水的表面，将所述聚合物薄膜从水的表面转移到框架上，并将支撑着所述聚合物薄膜的框架放入烘箱，使所述聚合物薄膜烘干；2)使有机半导体薄膜表面与所述高分子聚合物薄膜表面相接触，并将它们置于烘箱中，在真度为0.001KPa-1KPa的条件下进行加热，冷却至室温后将薄膜取出，即在有机半导体薄膜表面制备得到高分子聚合物薄膜。采用上述方法可以最大程度上降低顶层绝缘层构建对有机半导体薄膜的负面作用，提高顶栅OFET的性能。
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公开(公告)号：CN102637824B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210129781.5
申请日：2012-04-27
申请人： 中国科学院化学研究所
CPC分类号： Y02E10/549
摘要： 本发明公开了一种有机电子器件。所述电子器件由下至上包括依次叠加的栅电极、栅绝缘层、有机存储层、有机半导体层以及位于同一层的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间不接触；所述有机存储层由有机共轭分子组成；所述有机半导体层为并五苯或聚噻吩类有机聚合物。本发明通过引入具备电荷存储特性的有机存储层，与具备场效应半导体特性和光电导特性的有机半导体层组成多层结构，在写入电压的影响下，将光生载流子吸收到有机存储层中保留起来；存储的光生载流子在有机半导体层诱导出同等密度电荷，这样通过测量有机半导体的电导性，无损的读出光信号强弱。
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