-
公开(公告)号：CN117801229A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211170629.1
申请日：2022-09-23
申请人： 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种苯并呋喃酮二吲哚酮‑二噻吩乙烯类聚合物及其绿色制备方法与应用。所述聚合物其结构式如式Ⅰ所示。所述苯并呋喃酮二吲哚酮‑二噻吩乙烯类聚合物的合成原料都可以简单合成或者从商业途径大量采购得到，制备方法绿色环保，步骤少，宜于大规模合成。本发明苯并呋喃酮二吲哚酮‑二噻吩乙烯类聚合物具有宽的紫外‑可见光吸收光谱，优良的热学稳定性，优异的成膜性能，有望通过溶液法制备高性能聚合物场效应晶体管器件。本发明苯并呋喃酮二吲哚酮‑二噻吩乙烯类聚合物为半导体层制备的薄膜场效应晶体管具有优秀的空穴/电子迁移率，具有十分广阔的潜在应用前景。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN117209724A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210608099.8
申请日：2022-05-31
申请人： 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种氮杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物及其制备方法与应用。本发明氮杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物结构式如式Ⅰ所示，式Ⅰ中，R1和R2选自C10‑C100的直链或支链烷基中的至少一种，n为5～200。本发明式Ⅰ所示聚合物通过底物由Stille偶联反应和Aldol反应制备单体，单体进行共轭偶联的方法制备得到。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，宜于大规模合成。以本发明的氮杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，电子迁移率最高为1.65cm2·V‑1·s‑1，空穴迁移率最高为0.75cm2·V‑1·s‑1。本发明的聚合物在有机场效应器件中有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN117209723A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210606956.0
申请日：2022-05-31
申请人： 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种乙烯桥连氮杂异靛蓝聚合物及其制备方法与应用。本发明乙烯桥连氮杂异靛蓝聚合物结构式如式Ⅰ所示，式Ⅰ中，R1和R2选自直链或支链烷基中的任意一种：C5‑C80的直链或支链烷基，聚合度n为5～200。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，宜于大规模合成。以本发明乙烯桥连氮杂异靛蓝聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，电子迁移率最高为1.60cm2·V‑1·s‑1，空穴迁移率最高为0.70cm2·V‑1·s‑1。本发明的聚合物在有机场效应器件中有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN116284695A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310197932.9
申请日：2023-03-03
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种异喹啉二酮类聚合物及其制备方法与应用。本发明异喹啉二酮类聚合物为式I所示聚合物：式Ⅰ中，R选自C8～C80的直链或支链烷基中任意一种；Ar选自如下式(1)‑式(3)所示化合物中的任一种：式(1)‑式(3)中，*表示取代位；n表示聚合度，为10～1000。本发明聚合物主要通过取代反应和缩合反应制备得到。本发明异喹啉二酮类聚合物具有较宽的紫外‑可见光吸收光谱，稳定的热学性能，良好的成膜性能，具有较高的空穴传输性能，能被应用于制备有机场效应晶体管器件；且制备方法简单，产率较高。
-
公开(公告)号：CN107698743B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201710896869.2
申请日：2017-09-28
申请人： 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
摘要： 本发明公开了一种含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物及其制备方法与应用。该共轭聚合物的结构如式I所示。该类聚合物具有较宽的紫外‑可见‑近红外吸收光谱、良好的热学稳定性，具有合适的前沿轨道能级，有利于空穴和电子注入，可以制备较空气稳定的双极性场效应晶体管。该化合物的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性。以本发明含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物为有机半导体层制备的PFET的迁移率和开关比都比较高，式(I)的迁移率最高为0.53cm2V‑1s‑1，开关比大于104；在PFET器件中有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN107814918B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201711136229.8
申请日：2017-11-16
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一类氮杂吲哚酮苯并呋喃酮‑噻吩苯并噻二唑共轭聚合物，其结构式如式Ⅰ所示，该类聚合物具有较宽的紫外‑可见‑近红外吸收光谱、良好的热学稳定性，具有合适的前沿轨道能级，有利于空穴和电子注入，可以制备空气稳定的双极性场效应晶体管。本发明的氮杂吲哚酮苯并呋喃酮‑噻吩苯并噻二唑共轭聚合物的合成步骤少、收率高、聚合物度高、纯化工艺简单易行，适合大规模工业合成。以本发明氮杂吲哚酮苯并呋喃酮‑噻吩苯并噻二唑共轭聚合物半导体材料为半导体层制备的有机场效应晶体管具有很高的空穴和电子迁移率。
-
公开(公告)号：CN109897168A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910140508.4
申请日：2019-02-26
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C08G61/12 , H01L51/30 , C07D333/28
摘要： 本发明公开了一种基于二噻吩丙烯腈的不等规聚合物及其制备方法与应用。该基于二噻吩丙烯腈的不等规聚合物结构式如式I所示。上述式I中，R选自下述任意一种：C5-C80(优选C5-C50)的直链或支链烷基，n为聚合度为5-200。本发明还提供式I所示聚合物的制备方法。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，宜于大规模合成。以本发明的基于二噻吩丙烯腈的不等规聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，空穴迁移率为1.48cm2V-1s-1，开关比为103；电子迁移率为1.27cm2V-1s-1，开关比为103。本发明的聚合物在有机场效应晶体管器件中有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109749058A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201711062918.9
申请日：2017-11-02
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C08G61/12 , C07D495/22 , H01L51/30
摘要： 本发明公开了一种蒽并二噻吩酰亚胺聚合物及其制备方法与应用。所述蒽并二噻吩酰亚胺聚合物的结构式如式I所示，其中R为C1～C60的直链或支链烷基。本发明提供的式I所示化合物能够作为半导体层用于制备聚合物场效应晶体管。以本发明蒽并二噻吩酰亚胺聚合物为半导体层制备的有机场效应晶体管的迁移率(μ)和开关比都非常高(μ最高超过4cm2V-1s-1，开关比大于104)，在有机场效应晶体管中有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN106632410B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201611183130.9
申请日：2016-12-20
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C07D519/00 , C08G61/12 , H01L51/05 , H01L51/30
摘要： 本发明公开了一种吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮聚合物。该吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮聚合物的结构如式Ⅰ所示。以本发明吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的空穴迁移率为1.31×10‑3cm2V‑1s‑1，开关比大于103‑104；在有机场效应晶体管器件中有非常高的的应用前景。
-
公开(公告)号：CN106323867B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610670006.9
申请日：2016-08-15
申请人： 清华大学 , 中国科学院化学研究所
IPC分类号： G01N19/02
摘要： 本发明提供一种石墨烯膜球的制备方法，包括：将氧化硅微球分散在基底表面，所述氧化硅微球在所述基底的表面为单层分布；将分散有氧化硅微球的基底放置进反应炉中；通入保护气体，排出反应炉中的空气；通入还原性气体并加热反应炉至反应温度；在保护气体及还原性气体的保护下，向反应炉通入碳源气体，经过预定反应时间，在氧化硅微球的表面直接生长石墨烯，形成石墨烯层。本发明提供的石墨烯膜球的制备方法工艺简单，且具有更长的使用寿命。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
195 条记录 (耗时 0.037 秒)
