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公开(公告)号：CN120076560A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510525314.1
申请日：2025-04-25
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种双功能双向宽光谱光电响应器件，其结构包括：两层光活性材料分别为无铅钙钛矿层和给体‑受体共聚物半导体层；光阳极和光阴极，分别为透明导电电极层和金属电极层；还包括空穴传输材料层。器件可以实现负向光探测和正向光突触的功能。调制方法为：施加可见光，器件实现了负向的光探测，且随着光强增加，光响应幅度逐渐增加；施加短波红外光，器件实现了正向光突触功能，且随着光刺激的增强，器件逐渐实现了从短期记忆向长期记忆的转变。可应用于多光谱光信号的解码、多光谱成像和光通信领域。
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公开(公告)号：CN117835709A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410013416.0
申请日：2024-01-04
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱响应的光电突触晶体管器件及其制作方法，该光电突触晶体管器件包括：绝缘层；设置于所述绝缘层一侧的栅极；设置于所述绝缘层另外一侧的沟道层，所述沟道层包括具有不同波段光吸收特征的二维材料半导体层和有机半导体层，所述二维材料半导体层和有机半导体层的异质结界面能带匹配；以及设置于所述有机半导体层上的源极和漏极。本发明技术方案拓宽了器件的光响应波段，同时两种半导体形成异质结，模拟了光电突触晶体管在紫外‑可见‑近红外‑中红外光宽光谱下的突触特性，扩展了光电突触晶体管的应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117297620A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311213206.8
申请日：2023-09-19
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及生理信号分析与识别技术领域，尤其是涉及一种基于人工神经网络的心电图信号识别方法及装置。该方法获取并预处理心电图信号数据；利用预处理后的心电图信号数据训练人工神经网络模型，并利用反向传播算法调整连接权重系数，人工神经网络模型每一层的节点与节点之间通过多对级联的突触晶体管连接，连接权重系数由各突触晶体管的电导值和每对突触晶体管的放大倍数共同确定；利用训练好的人工神经网络模型进行测试，得到心电图信号的识别结果。与现有技术相比，本发明具有心电图信号在线识别准确性高、稳定性强等优点。
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公开(公告)号：CN119907392A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510389862.6
申请日：2025-03-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种多色光电响应突触器件及其制备方法，多色光电响应突触器件为多层结构，多层结构沿着光线入射方向依次为透明导电电极层、空穴传输材料层、无铅钙钛矿层、电子传输材料层、有机半导体电荷转移复合物层和金属电极层。制备方法：制备透明导电电极层；在透明导电电极层依次通过旋涂法制备空穴传输材料层、无铅钙钛矿层、电子传输材料层和有机半导体电荷转移复合物层；在有机半导体电荷转移复合物层上真空蒸镀制备金属电极层。本发明的多色光电响应突触器件，结构设计合理，其能实现紫外‑可见‑近红外的多色光电突触功能模拟，且对可见光波段的红、绿、蓝三色光可以实现颜色识别的功能，应用前景好。
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公开(公告)号：CN117460377A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311173821.0
申请日：2023-09-12
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明提供了一种有机光电突触晶体管阵列的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，在洗烘后的基底上制备栅电极；步骤S2，在栅电极上制备绝缘层；步骤S3，在绝缘层上旋涂光刻胶，得到第一光刻胶层，进行光刻得到多个源漏电极图案，通过真空蒸镀将电极材料沉积在绝缘层上，剥离光刻胶，得到多个共面的源漏电极形成源漏电极阵列；步骤S4，在带有源漏电极阵列的绝缘层上旋涂光刻胶，得到第二光刻胶层，进行光刻得到图案模板，基于图案模板旋涂有机聚合物半导体，剥离光刻胶后，得到图案化的有机聚合物半导体作为有源活性层，制备完成后，得到有机光电突触晶体管阵列，其中，源漏电极、有源活性层均通过光刻法进行图案化。
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公开(公告)号：CN116916727A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310867208.2
申请日：2023-07-14
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明提供了一种耐高温有机突触光电晶体管，包括：基底、栅电极、绝缘层、有源层以及源漏电极，其中，有源层的材料为热稳定的半导体聚合物共混物。本发明还提供了一种耐高温有机突触光电晶体管的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，制作基底；步骤S2，在基底上制备栅电极；步骤S3，在栅电极上通过磁控溅射、原子力沉积、蒸镀或旋涂的方法制备绝缘层；步骤S4，使用热稳定的半导体聚合物共混物在绝缘层上通过旋涂、提拉或打印的方法制备有源层；步骤S5，在有源层上通过磁控溅射、蒸镀或滴涂的方法制备源漏电极后，制备得到耐高温有机突触光电晶体管。本发明提供的耐高温有机突触光电晶体管能够在25℃‑200℃的温度范围内实现光信号对类突触行为的调控。
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公开(公告)号：CN115666142A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211354772.6
申请日：2022-11-01
Applicant: 同济大学
Abstract: 一种具有宽光谱响应的突触晶体管器件，其特征在于，包括：浮栅层，用于捕获不同波长的光信号从而产生光生载流子；隧穿层，设置在浮栅层上，用于储存浮栅层内产生的光生载流子；有源层，设置在隧穿层上，用于传输电荷载流子和光生载流子；源漏电极，两个源漏电极对称设置在有源层上，用于提供驱动电压，驱动有源层中电荷载流子和光生载流子的流动，形成回路；基底，设置在突触晶体管器件最底端，用于作为制备突触晶体管器件的基础；栅电极，设置在基底上，用于诱导出有源层中的电荷载流子；绝缘层，设置在栅电极与浮栅层之间，用于隔绝栅电极和有源层的导通，其中，浮栅层的材料为具有宽光谱响应的量子点，浮栅层与有源层之间形成异质结结构。
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