宽光谱响应的光电突触晶体管器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN117835709A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410013416.0

    申请日:2024-01-04

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明公开了一种宽光谱响应的光电突触晶体管器件及其制作方法,该光电突触晶体管器件包括:绝缘层;设置于所述绝缘层一侧的栅极;设置于所述绝缘层另外一侧的沟道层,所述沟道层包括具有不同波段光吸收特征的二维材料半导体层和有机半导体层,所述二维材料半导体层和有机半导体层的异质结界面能带匹配;以及设置于所述有机半导体层上的源极和漏极。本发明技术方案拓宽了器件的光响应波段,同时两种半导体形成异质结,模拟了光电突触晶体管在紫外‑可见‑近红外‑中红外光宽光谱下的突触特性,扩展了光电突触晶体管的应用范围。

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