一种可拉伸透明复合电极的制备方法和应用、太阳能电池

    公开(公告)号:CN118984639A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411064349.1

    申请日:2024-08-05

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明公开了一种可拉伸透明复合电极的制备方法,该制备方法包括对可拉伸衬底进行第一次氧等离子体处理和水蒸气退火,从而在可拉伸衬底上形成水蒸气层,然后旋涂AgNWs分散液、退火使得可拉伸衬底上形成AgNWs薄膜;将磺酰亚胺盐加入PH1000溶液,搅拌得到S‑PH1000溶液;对AgNWs薄膜进行第二次氧等离子体处理,然后在AgNWs薄膜上旋涂S‑PH1000溶液、退火使得AgNWs薄膜上形成S‑PH1000膜;向S‑PH1000膜滴加磺酰亚胺盐水溶液,浸润后退火得到可拉伸衬底/AgNWs/S‑PH1000电极,或者剥离可拉伸衬底得到AgNWs/S‑PH1000电极。该制备方法能够制得具有高拉伸率、高透光率和高导电率的复合电极。本发明还提供了利用该制备方法制得的可拉伸透明复合电极在柔性/可拉伸电子器件上应用。本发明还提供了将该可拉伸透明复合电极作为阳极的太阳能电池。

    一种渗透阈值降低的金属薄膜复合电极、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN118541002A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410617474.4

    申请日:2024-05-17

    摘要: 本发明涉及一种渗透阈值降低的金属薄膜复合电极、制备方法及其应用,属于光电材料技术领域。本发明在透明基底层上旋涂氧化锌前体分散液后退火得到光学增透层;在光学增透层上采用物理气相沉积的方式沉积三氧化钼润湿层,于含有水蒸气的空气中暴露后物理气相沉积金属层,得到金属薄膜复合电极。本发明通过旋涂溶胶‑凝胶氧化锌,提高了金属薄膜电极的光学透过率且改善了复合电极的机械性能;通过将三氧化钼暴露在空气中接触水蒸气以改善三氧化钼薄膜的致密性,有效抑制金属薄膜在通常的蒸镀过程中存在的岛状生长现象,降低了金属薄膜在种子层上的渗透阈值,从而提高了金属薄膜的连续性和导电性,实现兼具高电导率以及低粗糙度的金属薄膜电极。

    氧化铟导电薄膜的制备方法及其在太阳能电池中的应用

    公开(公告)号:CN118460960A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410543987.5

    申请日:2024-04-30

    摘要: 本发明公开了一种氧化铟导电薄膜的制备方法,属于太阳能电池技术领域,通过使用电子束蒸镀制备In2O3透明导电薄膜,通过调控沉积速率调节In2O3薄膜的光电性质,并将其应用在于叠层钙钛矿太阳能电池生产中。本发明提供一种氧化铟导电薄膜的制备方法及其在太阳能电池中的应用,解决现有技术中溅射制备透明导电电极时,高能粒子对钙钛矿薄膜造成破坏的问题,将氧化铟导电薄膜的作为溅射缓冲层,其透过率和电导率可通过控制氧化铟薄膜的沉积速率进行调控,实现对钙钛矿薄膜的有效保护;该薄膜能同时适用于制备n‑i‑p型结构、p‑i‑n型结构的钙钛矿太阳能电池。

    一种柔性双面太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN110491964B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN201910677563.7

    申请日:2019-07-25

    摘要: 本发明公开了一种柔性双面太阳能电池及其制备方法,包括通过金属电极连接的正面砷化镓多结太阳能电池单元和背面钙钛矿太阳能电池单元;正面砷化镓多结太阳能电池单元以GaAs单晶片为衬底,在其上依次生长有GaAs缓冲层、AlAs牺牲层、GaInP子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第一隧道结、用于减少位错的(AlxGa1‑x)1‑yInyAs梯度缓冲层和GaInAs子电池,金属电极制作在GaInAs子电池上;而后湿法腐蚀掉AlAs牺牲层,将上述外延结构和金属电极从衬底剥离,剥离后在GaInP子电池上制作正面电极;背面钙钛矿太阳能电池单元包括沉积在金属电极上的石墨‑钙钛矿混合层和沉积在石墨‑钙钛矿混合层上的ITO透明电极。本发明不仅能提高对太阳光的利用率,增加光电转换效率,且制作成柔性产品,质量轻、便于携带。

    一种AZO透明导电膜的制作方法及透明型太阳能电池器件

    公开(公告)号:CN115404444B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202210885338.4

    申请日:2022-07-26

    发明人: 李源 谢雄才

    摘要: 本发明涉及一种AZO透明导电膜的制作方法及透明型太阳能电池器件,该制作方法,包括:以金属铝含量为1%~5%的氧化锌为原料,制作成AZO金属氧化物靶材;设定磁控溅射过程中氩气等离子体的工作压力为0.15~0.35Pa、成膜功率为4KW、成膜温度为200~300℃;制成厚度为大于400nm的AZO透明导电膜,此时透明导电膜形成晶格明显的六方晶束,其表面形貌为三、四、五、六棱锥型的混合尖端表面形状;当成膜压力从0.15Pa逐渐增加到0.35Pa时,多棱锥体的111或112晶向形成的晶面角度,也因晶束的宽度变化而发生明显的变化。制成的AZO透明导电膜可以同时作为太阳能电池器件中的聚光结构或透明正电极使用。本发明透明型太阳能电池器件包含AZO透明导电膜,充分利用入射光,提高光电转化效率。

    一种半透明钙钛矿太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN118338749A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410773750.6

    申请日:2024-06-17

    摘要: 一种半透明钙钛矿太阳电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳电池领域,克服现有技术中采用氧化镍制备空穴传输层时易导致钙钛矿吸光层材料损伤,降低半透明钙钛矿太阳电池性能的缺陷。本发明半透明钙钛矿太阳电池的制备方法包括以下步骤:在衬底上依次制备第一透明电极、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和第二透明电极;采用反应等离子体沉积工艺制备所述空穴传输层:靶材成分包括氧化镍陶瓷,溅射气体为Ar,反应气体为O2,Ar流量为80~150sccm,O2流量为3~30sccm,沉积气压为0.3~0.4Pa,沉积温度为25~120℃。本发明氧化镍薄膜沉积过程不会损伤钙钛矿吸光层。

    一种钙钛矿-硅叠层太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN118102820A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410326439.7

    申请日:2024-03-21

    申请人: 河北大学

    摘要: 本发明提供了一种钙钛矿‑硅叠层太阳电池的制备方法,包括以下步骤:在硅衬底两侧分别形成钝化层,之后一面形成电子选择层,另一面形成空穴选择层并连接底部减反层;在所述电子选择层上形成ITO中间复合层,得到晶硅底电池;在ITO中间复合层上依次形成空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、透明电极,得到钙钛矿电池;所述透明电极为CNT:有机复合薄膜;最后分别在底部减反层和透明电极上形成金属电极,得到钙钛矿‑硅叠层太阳电池。本发明采用CNT:有机复合薄膜代替透明电极和缓冲层作为透明导电层结构应用于钙钛矿‑硅叠层太阳电池中,不仅获得了更高的全光谱光透过率,有助于叠层电池获得更高的转换效率,同时简化了叠层电池的制作工艺,降低了成本。