公开(公告)号：CN118460960A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410543987.5

申请日：2024-04-30

申请人： 西北工业大学

发明人： 李灿 ,  李祯 ,  杜黎明 ,  孟瑞 ,  贾春媚

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/30 ,  C23C14/54 ,  C23C14/35 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K30/82 ,  H10K71/60

摘要： 本发明公开了一种氧化铟导电薄膜的制备方法，属于太阳能电池技术领域，通过使用电子束蒸镀制备In2O3透明导电薄膜，通过调控沉积速率调节In2O3薄膜的光电性质，并将其应用在于叠层钙钛矿太阳能电池生产中。本发明提供一种氧化铟导电薄膜的制备方法及其在太阳能电池中的应用，解决现有技术中溅射制备透明导电电极时，高能粒子对钙钛矿薄膜造成破坏的问题，将氧化铟导电薄膜的作为溅射缓冲层，其透过率和电导率可通过控制氧化铟薄膜的沉积速率进行调控，实现对钙钛矿薄膜的有效保护；该薄膜能同时适用于制备n‑i‑p型结构、p‑i‑n型结构的钙钛矿太阳能电池。