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公开(公告)号:CN119907392A
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202510389862.6
申请日:2025-03-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种多色光电响应突触器件及其制备方法,多色光电响应突触器件为多层结构,多层结构沿着光线入射方向依次为透明导电电极层、空穴传输材料层、无铅钙钛矿层、电子传输材料层、有机半导体电荷转移复合物层和金属电极层。制备方法:制备透明导电电极层;在透明导电电极层依次通过旋涂法制备空穴传输材料层、无铅钙钛矿层、电子传输材料层和有机半导体电荷转移复合物层;在有机半导体电荷转移复合物层上真空蒸镀制备金属电极层。本发明的多色光电响应突触器件,结构设计合理,其能实现紫外‑可见‑近红外的多色光电突触功能模拟,且对可见光波段的红、绿、蓝三色光可以实现颜色识别的功能,应用前景好。
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公开(公告)号:CN120076560A
公开(公告)日:2025-05-30
申请号:CN202510525314.1
申请日:2025-04-25
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种双功能双向宽光谱光电响应器件,其结构包括:两层光活性材料分别为无铅钙钛矿层和给体‑受体共聚物半导体层;光阳极和光阴极,分别为透明导电电极层和金属电极层;还包括空穴传输材料层。器件可以实现负向光探测和正向光突触的功能。调制方法为:施加可见光,器件实现了负向的光探测,且随着光强增加,光响应幅度逐渐增加;施加短波红外光,器件实现了正向光突触功能,且随着光刺激的增强,器件逐渐实现了从短期记忆向长期记忆的转变。可应用于多光谱光信号的解码、多光谱成像和光通信领域。
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公开(公告)号:CN117769262A
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202311497053.4
申请日:2023-11-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明提供了一种自供电无电荷传输层的钙钛矿弱光光电探测器,包括:透明基底以及在透明基底上依次设置的钙钛矿吸光活性层、修饰层以和金属电极,其中,钙钛矿吸光活性层的材料为三元有机阳离子混合卤化物钙钛矿(CsFAMA)Pb(BrI)3,修饰层的材料为苯基三甲基氯化铵。上述自供电无电荷传输层的钙钛矿弱光光电探测器的制备方法,包括以下步骤:步骤S1,制备钙钛矿前驱体溶液;步骤S2,使用钙钛矿前驱体溶液通过旋涂法在经预处理的透明基底上制备钙钛矿吸光活性层;步骤S3,制备苯基三甲基氯化铵溶液并通过旋涂法在钙钛矿吸光活性层上制备修饰层;步骤S4:在修饰层上真空蒸镀金属电极,完成制备。该自供电无电荷传输层的钙钛矿弱光光电探测器可用于弱光检测及成像。
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公开(公告)号:CN117693209A
公开(公告)日:2024-03-12
申请号:CN202311497055.3
申请日:2023-11-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明提供了一种自供电的可见光盲的红外光电探测器,包括:沿光线入射方向依次设置的钙钛矿滤光层、透明导电衬底、空穴传输层、有机半导体光活性层、电子传输层和金属电极。本发明还提供了上述自供电的可见光盲的红外光电探测器的制备方法,包括以下步骤:步骤S1,预处理透明导电衬底;步骤S2,制备钙钛矿溶液并通过旋涂法在透明导电衬底的背面制备钙钛矿滤光层;步骤S3,通过旋涂法在透明导电基底上依次制备空穴传输层、有机半导体光活性层以及电子传输层;步骤S4:在电子传输层上通过蒸镀或者压印制备金属电极后,制备得到自供电的可见光盲的红外光电探测器。该自供电的可见光盲的红外光电探测器可应用于红外光波段的弱光检测及成像。
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