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公开(公告)号：CN115863782A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310118098.X
申请日：2021-10-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/058 , H01M10/0525 , H01M4/485
Abstract: 本发明涉及一种锂离子二次电池。提供一种二次电池，该二次电池为在提高充电深度时的dQ/dVvsV曲线中在4.55V附近具有较宽峰的正极活性物质的二次电池。或者，提供一种二次电池，该二次电池使用如下正极活性物质：在充电电压为4.6V以上且4.8V以下，充电深度为0.8以上且低于0.9的情况下也不成为H1‑3型结构，可以保持CoO2层的偏离被抑制的晶体结构。在dQ/dVvsV曲线中4.55V附近的峰较宽意味着在其附近的抽出锂所需的能量变化少且晶体结构的变化少。因此，可以得到CoO2层的偏离及体积的变化影响较少且即使充电深度较高也较稳定的正极活性物质。
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公开(公告)号：CN117477002A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310919435.5
申请日：2023-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/525 , H01M4/46
Abstract: 提供一种劣化小的二次电池。提供一种可靠性高的二次电池。二次电池中的正极活性物质包含钴酸锂的结晶。正极活性物质具有包括平行于结晶的(00l)面的表面的第一区域及包括平行于与(00l)相交的面的表面的第二区域。正极活性物质包含镁。第一区域包括镁浓度为0.5atomic％以上且10atomic％以下的部分。第二区域包括镁浓度高于第一区域且为4atomic％以上且30atomic％以下的部分。并且第二区域包括氟浓度高于第一区域且为0.5atomic％以上且10atomic％以下的部分。
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公开(公告)号：CN116034488A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180057131.1
申请日：2021-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种晶体管特性不均匀小的半导体装置。包括如下工序：在包括氧化物半导体器件的结构体中形成到达氧化物半导体器件的开口的工序；将第一导电体嵌入开口中的工序；以与第一导电体的顶面接触的方式形成第二导电体的工序；通过溅射法以覆盖结构体、第一导电体及第二导电体的方式形成第一阻挡绝缘膜的工序；以及通过ALD法在第一阻挡绝缘膜上形成第二阻挡绝缘膜的工序，其中第一阻挡绝缘膜及第二阻挡绝缘膜具有抑制氢的扩散的功能。
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公开(公告)号：CN117916893A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280061603.5
申请日：2022-09-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/26 , H01L21/268 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/428 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/532 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括晶体管。晶体管包括氧化物、氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体、第一绝缘体所包括的开口内的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体以及第四绝缘体上的第三导电体。开口包括与氧化物重叠的区域。第三导电体包括隔着第二绝缘体、第三绝缘体及第四绝缘体与氧化物重叠的区域。第二绝缘体与氧化物的顶面及开口的侧壁接触。第二绝缘体的厚度比第三绝缘体的厚度小。第四绝缘体与第三绝缘体相比不容易透过氧。在晶体管的沟道长度方向的截面中，第三导电体的宽度为3nm以上且15nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117178382A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280028298.X
申请日：2022-04-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/13
Abstract: 提供一种循环特性中的放电容量保持率得到提高的正极活性物质。本发明的一个方式是一种二次电池，包括：以线压100kN/m以上且3000kN/m以下的范围进行挤压的正极；以及负极，其中，在将正极用于由锂构成负极的测试用电池，进行反复50次的如下充放电循环的循环测试，即在25℃以上且45℃以下的环境下以0.5C(1C＝200mA/g)的充电倍率对测试用电池进行恒流充电至4.7V的电压，然后直到充电倍率成为0.05C为止以4.7V的电压进行恒压充电，接下来以0.5C的放电倍率进行恒流放电至2.5V的电压，并且按每次循环测量电池的放电容量的情况下，在第50次循环测量出的放电容量的值满足50次循环整体中的放电容量的最大值的35％以上且低于100％的范围。
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公开(公告)号：CN115312756A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210485669.9
申请日：2022-05-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01M10/0525 , C01G51/00
Abstract: 本发明提供一种正极活性物质、二次电池、电子设备及车辆。提供一种由充放电循环引起的放电容量的下降得到抑制的正极活性物质及使用该正极活性物质的二次电池。提供一种正极活性物质，其中放电状态和以较高电压进行充电的状态之间的晶体结构的变化少，例如CoO2层的偏离较少。例如，提供一种正极活性物质，其中在放电状态下具有属于空间群R‑3m的层状岩盐型晶体结构且在LixCoO2中的x超过0.1且为0.24以下的充电状态下具有属于空间群P2/m的晶体结构，并且在通过粉末X射线衍射进行分析时，衍射图案至少在2θ为19.47±0.10°及2θ为45.62±0.05°处具有峰。
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公开(公告)号：CN119856298A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380063723.3
申请日：2023-09-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , C01G51/42 , C01G53/42 , H01M4/1391 , H01M4/62
Abstract: 提供一种容量高且安全性高的二次电池。该电池包括包含正极活性物质及导电材料的正极，正极活性物质包含钴、氧、镁以及镍，正极活性物质的中值粒径为1μm以上且12μm以下，在对正极活性物质的具有(00l)面以外的面的区域的深度方向的EDX线分析中，镁的分布具有与镍的分布重叠的部分，导电材料贴在正极活性物质的(00l)面以外的面的一部分。
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公开(公告)号：CN117043989A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280020100.3
申请日：2022-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525
Abstract: 提供一种充放电循环测试中的放电容量保持率的下降得到抑制的电池。一种包括正极及负极的电池，其中，在将电池的正极用作由锂金属构成负极的测试用电池的正极进行反复如下充放电循环50次的测试，即在25℃环境下或45℃环境下以1C(1C＝200mA/g)的充电倍率对测试用电池进行恒流充电至4.6V的电压，然后直到充电倍率成为0.1C为止以4.6V的电压进行恒压充电，接下来以1C的放电倍率进行恒流放电至2.5V的电压，并且按每次循环测量放电容量时，在第50次循环测量出的放电容量的值满足50次循环整体中的放电容量的最大值的90％以上且低于100％。
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公开(公告)号：CN116031400A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310134781.2
申请日：2021-10-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种锂离子二次电池。提供一种二次电池，该二次电池为在提高充电深度时的dQ/dVvsV曲线中在4.55V附近具有较宽峰的正极活性物质的二次电池。或者，提供一种二次电池，该二次电池使用如下正极活性物质：在充电电压为4.6V以上且4.8V以下，充电深度为0.8以上且低于0.9的情况下也不成为H1‑3型结构，可以保持CoO2层的偏离被抑制的晶体结构。在dQ/dVvsV曲线中4.55V附近的峰较宽意味着在其附近的抽出锂所需的能量变化少且晶体结构的变化少。因此，可以得到CoO2层的偏离及体积的变化影响较少且即使充电深度较高也较稳定的正极活性物质。
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