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公开(公告)号：CN118020387A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202280063560.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖显示装置。显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层以及第二绝缘层，第一发光器件包括第一像素电极、公共电极及第一中间层，第一中间层包含第一无机化合物及第一有机化合物，第一有机化合物具有非共用电子对，第一有机化合物与第一无机化合物起到相互作用而形成单占据分子轨道。第二发光器件包括第二像素电极、公共电极及第二中间层，第二中间层包含第一无机化合物及第一有机化合物。第一绝缘层覆盖第一中间层的顶面的一部分及侧面以及第二中间层的顶面的一部分及侧面，第二绝缘层隔着第一绝缘层与第一中间层的顶面的一部分及侧面以及第二中间层的顶面的一部分及侧面重叠。
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公开(公告)号：CN116569241A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180080919.4
申请日：2021-12-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。本发明是一种显示装置，该显示装置包括第一导电体、第一导电体上的第一绝缘体、设置在第一绝缘体的开口的内部的第二导电体、与第二导电体的顶面及第一绝缘体的顶面接触的第一发光层以及与第一发光层的顶面接触的第三导电体。
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公开(公告)号：CN115968502A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202180050368.7
申请日：2021-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种特性的不均匀小的半导体装置。形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成导电体，在导电体上形成第二绝缘体，在第二绝缘体上形成第三绝缘体，在第三绝缘体上形成氧化物，进行第一加热处理，以及在进行第一加热处理之后，接着进行第二加热处理，其中第一加热处理的温度低于第二加热处理的温度。
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公开(公告)号：CN107123683B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201710144162.6
申请日：2012-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/22
Abstract: 本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源电极层及漏电极层。在该半导体装置的制造工序中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及栅电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，通过化学机械抛光法去除栅电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源电极层及漏电极层。在形成栅极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。
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公开(公告)号：CN107980178A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201680048760.7
申请日：2016-08-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/4763 , H01L27/12 , H01L29/423 , H01L21/4757 , H01L21/465
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/465 , H01L21/47573 , H01L21/47635 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L29/42372 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78648
Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体；第二绝缘体；第二导电体；第三导电体；第四导电体；第五导电体；埋入在形成于第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第五导电体的开口部中的第一导电体及第一绝缘体；第二导电体的侧面及底面与第四导电体接触的区域；以及第三导电体的侧面及底面与第五导电体接触的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104704638B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201380054450.2
申请日：2013-10-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L27/1156
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02617 , H01L21/02631 , H01L27/1156 , H01L29/26 , H01L29/66969 , H01L29/78 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 通过抑制其电特性的变化来提供一种包括氧化物半导体的极可靠半导体器件。氧从设置在氧化物半导体层下面的基绝缘层以及设置在氧化物半导体层之上的栅绝缘层提供给其中形成沟道的区域，由此填充可能在沟道中生成的氧空位。此外，抑制通过氧化物半导体层中形成的沟道附近的源电极层或漏电极层从氧化物半导体层提取氧，由此抑制可能在沟道中生成的氧空位。
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公开(公告)号：CN103779426B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410046438.3
申请日：2010-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。
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公开(公告)号：CN102136498B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201010620963.3
申请日：2010-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L27/12 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78678 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78648
Abstract: 本发明名称为“薄膜晶体管”。提供一种具有有利电特性和高生产率的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括覆盖栅电极的栅绝缘层、与栅绝缘层接触的半导体层、与部分半导体层接触并充当源区和漏区的杂质半导体层及与杂质半导体层接触的布线。半导体层包括具有凹凸形状且在栅绝缘层侧上形成的微晶半导体区和与微晶半导体区接触的非晶半导体区。在半导体层与布线之间提供势垒区。
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公开(公告)号：CN102136500B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110044658.9
申请日：2009-10-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/127 , G02F1/134309 , G02F1/136227 , G02F1/167 , G09F21/04 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0809 , G09G2310/0251 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G11C19/28 , H01L21/465 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的是建立用于制造使用氧化物半导体的半导体器件的加工技术。在衬底上方形成栅电极，在栅电极上方形成栅绝缘层，在栅绝缘层上方形成氧化物半导体层，通过湿法蚀刻加工氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，通过第一干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过第二干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者通过干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过所述干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。
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公开(公告)号：CN101728275B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN200910206584.7
申请日：2009-10-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L27/127 , G02F1/134309 , G02F1/136227 , G02F1/167 , G09F21/04 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0809 , G09G2310/0251 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G11C19/28 , H01L21/465 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的是建立用于制造使用氧化物半导体的半导体器件的加工技术。在衬底上方形成栅电极，在栅电极上方形成栅绝缘层，在栅绝缘层上方形成氧化物半导体层，通过湿法蚀刻加工氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，通过第一干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过第二干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者通过干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过所述干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。
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