公开(公告)号：CN108400157A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810104358.7

申请日：2018-02-02

申请人： 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金泽大学

发明人： 野口仁 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  山崎聪 ,  德田规夫

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02

CPC分类号： C30B25/20 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/272 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02617

摘要： 本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。

公开(公告)号：CN103594419B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201210293349.X

申请日：2012-08-16

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 马小龙 ,  殷华湘 ,  付作振

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L21/0257 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/268 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/12

摘要： 本发明公开了一种高迁移率材料层制造方法，包括：在衬底中和/或上形成多种前驱物；脉冲激光处理，使得多种前驱物相互反应形成高迁移率材料层。此外还提供了一种半导体器件制造方法，包括：在绝缘衬底上形成缓冲层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在缓冲层上形成第一高迁移率材料层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在第一高迁移率材料层上形成第二高迁移率材料层；在第一和第二高迁移率材料层中形成沟槽隔离并定义有源区。依照本发明的半导体器件制造方法，通过调整激光处理的脉冲个数和能量密度，在绝缘衬底上分多次形成了多层高迁移率材料以用作器件沟道区，有效提高了器件载流子迁移率并进一步提高了器件驱动能力。

公开(公告)号：CN107527815A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610452293.6

申请日：2016-06-21

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 李一凡 ,  冯立伟 ,  许力介 ,  陈俊仁 ,  胡益诚 ,  吴典逸 ,  林钰书 ,  杨能辉

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/823821 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66969

摘要： 本发明公开一种外延层的制作方法，包含提供一硅基底，一介电层覆盖硅基底，接着形成一凹槽于硅基底和介电层内，之后进行一选择性外延成长步骤以及一非选择性外延成长步骤，分别形成一第一外延层和第二外延层于凹槽内，第一外延层不覆盖介电层的上表面，其中凹槽由第一外延层和第二外延层共同填满，最后平坦化第一外延层和第二外延层。

公开(公告)号：CN107424909A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710064161.0

申请日：2017-02-04

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 文英慜 ,  任星淳

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/02617

摘要： 本发明实施方式公开了沉积用掩模的制造方法，该方法使用电铸镀将金属镀层在电极板上来制造包括焊接部、肋部和图案部的沉积用掩模，该方法包括：将第一光致抗蚀剂层涂覆在电极板上；向第一光致抗蚀剂层照射光，其中，半色调掩模布置在光源与第一光致抗蚀剂层之间，以在第一光致抗蚀剂层上形成多个曝光区域，其中，半色调掩模具有阻断区域、透射区域以及一个或多个半透射区域；对多个曝光区域进行显影，以将第一镀层区域暴露至外部；将第一金属层镀层在第一镀层区域上；对第一光致抗蚀剂层进行灰化，以将第二镀层区域暴露至外部；将第二金属层镀层在第一金属层和电极板上的第二镀层区上；以及去除第一光致抗蚀剂层和电极板。

公开(公告)号：CN103572259B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310306141.1

申请日：2013-07-19

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 加藤寿 ,  三浦繁博

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/02617 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 本发明提供成膜装置和成膜方法。一边使旋转台旋转，一边重复进行向晶圆供给处理气体而形成反应层的步骤和利用等离子体来对该反应层进行改性的步骤，从而形成薄膜。并且，在形成该薄膜之后，停止处理气体的供给，并使用加热灯将晶圆加热到比成膜温度高的温度而进行薄膜的改性。

公开(公告)号：CN105355542A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510747029.0

申请日：2015-11-05

申请人： 南京国盛电子有限公司

发明人： 仇光寅 ,  肖建农 ,  骆红 ,  金龙

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/8222

CPC分类号： H01L21/02367 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/8222

摘要： 本发明公开了一种采用变温变掺杂流量的双极型晶体管外延片制造方法，采用变温变掺杂工艺，低的起始生长温度和高的N型掺杂流量可以有效控制B原子的蒸发，随着外延层的加厚，逐步抑制外延的自掺杂。后续减小掺杂流量有效降低外延层N型杂质的过度掺杂，保证产品外延层要求的过渡区可控，同时提高生长温度可以抑制图形漂移。

公开(公告)号：CN104160478A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201180076458.X

申请日：2011-12-28

申请人： 英特尔公司

发明人： N·慕克吉 ,  M·V·梅茨 ,  J·M·鲍尔斯 ,  V·H·勒 ,  B·朱-金 ,  M·R·勒梅 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  N·戈埃尔 ,  L·周 ,  P·G·托尔钦斯基 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  R·S·周

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664

摘要： 本发明描述了在非天然表面上形成具有减小的表面粗糙度和体缺陷密度的异质层的方法以及由此形成的器件。在一个实施例中，该方法包括提供带有具有晶格常数的顶表面的衬底以及将第一层沉积在衬底的顶表面上。第一层具有顶表面，该顶表面的晶格常数不同于衬底的顶表面的第一晶格常数。第一层被退火并抛光以形成抛光表面。第二层然后沉积在抛光表面之上。

公开(公告)号：CN103681794A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310206392.2

申请日：2013-05-29

申请人： 株式会社东芝

发明人： 原田佳幸 ,  彦坂年辉 ,  吉田学史 ,  洪洪 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

摘要： 本发明涉及半导体晶片、半导体器件和用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种半导体晶片包括衬底、AlN缓冲层、基础层、第一高Ga成分层、高Al成分层、低Al成分层、中间单元和第二高Ga成分层。所述第一层在所述基础层上提供。所述高Al成分层在所述第一层上提供。所述低Al成分层在所述高Al成分层上提供。所述中间单元在所述低Al成分层上提供。所述第二层在所述中间单元上提供。所述第一层具有第一拉伸应变以及所述第二层具有大于所述第一拉伸应变的第二拉伸应变。备选地，所述第一层具有第一压缩应变，所述第二层具有小于所述第一压缩应变的第二压缩应变。

公开(公告)号：CN103650108A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280032405.2

申请日：2012-05-23

申请人： 硅电子股份公司

发明人： P·施托克 ,  G·萨克塞 ,  U·罗特哈默尔 ,  S·B·塔帕 ,  H·施文克 ,  P·德赖尔 ,  F·幕莫勒 ,  R·迈尔胡贝尔

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/24 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02587 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/78 ,  H01L29/205

摘要： 本发明涉及层状半导体基板，其包括-单晶的第一层(1)，其含有至少80％的硅，并且具有第一厚度和第一晶格常数(a1)，所述第一晶格常数(a1)由第一掺杂剂元素和第一掺杂剂浓度决定，和-单晶的第二层(2)，其含有至少80％的硅，并且具有第二厚度和第二晶格常数(a2)，所述第二晶格常数(a2)由第二掺杂剂元素和第二掺杂剂浓度决定，所述第二层(2)与所述第一层直接接触，和-单晶的第三层(4)，其包含III族氮化物，使得所述第二层位于所述第一层和所述第三层之间，其中所述第二晶格常数(a2)大于所述第一晶格常数(a1)，其中所述第一层(1)和所述第二层(2)的晶格是晶格匹配的，并且其中所述层状半导体基板的弓形在-50μm至50μm的范围内。本发明还涉及制造该层状半导体基板的方法。

公开(公告)号：CN103247679A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210495135.0

申请日：2012-11-28

申请人： 国际商业机器公司

发明人： C·D·迪米特罗普洛斯 ,  D·B·法默 ,  A·格里尔 ,  林佑民 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  D·法伊弗 ,  朱文娟

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/0237 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： 本发明涉及石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质。在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在所述氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。所述氮化硅层用作所述二氧化铪层的润湿剂，由此阻止在所述石墨烯层的顶上形成不连续的二氧化铪柱。一起形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶上呈现连续的形态。