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公开(公告)号：CN104541369A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380042332.X
申请日：2013-08-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/57 , G06F7/588 , G06F21/73 , G09C1/00 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H04L9/0866 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了具有物理不可克隆功能的安全器件以及制造所述安全器件的方法。器件包括衬底以及在所述衬底上形成的至少一个高k/金属栅器件，所述至少一个高k/金属栅器件代表所述物理不可克隆功能。在一些实施例中，所述至少一个高k/金属栅器件可以经过可变性增强。在一些实施例中，所述安全器件可以包括用于测量所述至少一个高k/金属栅器件的至少一个属性的测量电路。
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公开(公告)号：CN103247679A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210495135.0
申请日：2012-11-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/0237 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/02617 , H01L21/02661 , H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/66045 , H01L29/7781 , H01L29/78684
Abstract: 本发明涉及石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质。在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在所述氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。所述氮化硅层用作所述二氧化铪层的润湿剂，由此阻止在所述石墨烯层的顶上形成不连续的二氧化铪柱。一起形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶上呈现连续的形态。
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公开(公告)号：CN101048857A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200480044297.6
申请日：2004-10-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 通常用于降低集成电路中RC延迟的是多孔有机硅酸盐的电介质膜，该有机硅酸盐含有二氧化硅状主链与直接连接到网络中S∶L原子的烷基或芳基(以对材料增加疏水性和产生自由体积)。Si－R键很少幸免于对等离子体或通常用于加工的化学处理的曝露；在具有开孔结构的材料中特别是这样的。当Si－R键断裂时，材料由于亲水性硅烷醇的形成而损失疏水性和损害低介电常数。使用新颖类别的硅烷化剂恢复材料的疏水性的方法，该硅烷化剂具有通式(R2N)XSiR’Y，其中X和Y分别是1－2和3－2的整数，和其中R和R’选自氢、烷基、芳基、烯丙基、苯基和乙烯基部分。多孔有机硅酸盐的机械强度也由于甲硅烷基化处理而改进。
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公开(公告)号：CN103778955B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201310484751.0
申请日：2013-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/56
CPC classification number: H01L23/576 , G06F21/86 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及制造这种集成电路的方法。具有篡改检测和响应装置的一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的至少一个存储单元。当所述至少一个光伏电池暴露于辐射时，所述至少一个光伏电池产生电流，该电流引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。具有篡改检测和响应装置的另一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的反应材料，其中来自所述至少一个光伏电池的电流触发所述反应材料中的放热反应。
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公开(公告)号：CN103778955A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310484751.0
申请日：2013-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/56
CPC classification number: H01L23/576 , G06F21/86 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及制造这种集成电路的方法。具有篡改检测和响应装置的一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的至少一个存储单元。当所述至少一个光伏电池暴露于辐射时，所述至少一个光伏电池产生电流，该电流引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。具有篡改检测和响应装置的另一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的反应材料，其中来自所述至少一个光伏电池的电流触发所述反应材料中的放热反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101048857B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200480044297.6
申请日：2004-10-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 通常用于降低集成电路中RC延迟的是多孔有机硅酸盐的电介质膜，该有机硅酸盐含有二氧化硅状主链与直接连接到网络中S：L原子的烷基或芳基(以对材料增加疏水性和产生自由体积)。Si-R键很少幸免于对等离子体或通常用于加工的化学处理的曝露；在具有开孔结构的材料中特别是这样的。当Si-R键断裂时，材料由于亲水性硅烷醇的形成而损失疏水性和损害低介电常数。使用新颖类别的硅烷化剂恢复材料的疏水性的方法，该硅烷化剂具有通式(R2N)XSiR’Y，其中X和Y分别是1-2和3-2的整数，和其中R和R’选自氢、烷基、芳基、烯丙基、苯基和乙烯基部分。多孔有机硅酸盐的机械强度也由于甲硅烷基化处理而改进。
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公开(公告)号：CN1975583A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610171821.7
申请日：2006-11-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70216
Abstract: 一种在使用高数值孔径成像工具的光刻工艺中将具有感光区域的抗蚀剂层曝光到图像的方法和系统。其中利用了基板，其具有反射成像工具的射线的层，以及在反射层上具有感光区域的抗蚀剂层，其具有厚度。成像工具适于将包含虚像的射线投射到抗蚀剂层上，包含虚像的射线的一部分穿过抗蚀剂层，并反射回抗蚀剂层。反射的射线穿过抗蚀剂层的厚度在抗蚀剂层中形成投射的虚像的干涉图案。选择抗蚀剂层的感光区域相对于反射层的厚度和位置，以在干涉图案中在抗蚀剂厚度方向上包括干涉图案的较高对比度部分，并从抗蚀剂层的感光区域中在抗蚀剂厚度方向上排除干涉图案的较低对比度部分，以提高抗蚀剂层的感光区域中虚像的对比度。
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公开(公告)号：CN103247679B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210495135.0
申请日：2012-11-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/0237 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/02617 , H01L21/02661 , H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/66045 , H01L29/7781 , H01L29/78684
Abstract: 本发明涉及石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质。在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在所述氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。所述氮化硅层用作所述二氧化铪层的润湿剂，由此阻止在所述石墨烯层的顶上形成不连续的二氧化铪柱。一起形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶上呈现连续的形态。
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公开(公告)号：CN104103567A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410122665.X
申请日：2014-03-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: C01B31/0446 , C01B32/184 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/0272 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L29/1606 , H01L2221/68345 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , Y10T156/11 , Y10T156/1153
Abstract: 本发明涉及晶片尺度外延石墨烯转移。一种用于二维材料的转移的方法包括：在衬底上形成二维材料的扩展层，扩展层具有单层。在扩展层上形成应力源层，以及应力源层被配置为向扩展层的最近单层施加应力。通过机械分裂扩展层剥落最近单层，其中最近单层保留在应力源层上。
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公开(公告)号：CN103779376A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310484752.5
申请日：2013-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/24 , H01L27/142 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/2472 , H01L23/576 , H01L27/24 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及用于制造这种集成电路的方法。一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括至少一种反应材料和耦合到所述至少一种反应材料的至少一个存储单元。所述至少一种反应材料中的放热反应引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。另一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括衬底、所述衬底上的至少一个门以及位于所述至少一个门的第一阱和第二阱之间的反应材料。所述反应材料中的反应引起所述门中的短路。
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