背侧层的磁检测
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101828261B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200880111860.5

    申请日:2008-10-16

    IPC分类号: H01L23/58

    摘要: 本发明涉及一种包括具有第一侧和相对的第二侧的衬底的集成电路。在衬底的第一侧(S1)上设置电路(EC),其中该电路(EC)包括至少一个磁场传感器(Snsr1,Snsr2,Snsr3,Snsr4)。该集成电路还包括通过采用晶片级类型沉积处理步骤,在衬底(SUB)的第二侧(S2)上设置的可磁化区(MR)。可磁化区(MR)的磁矩配置成用于产生在至少一个磁场传感器(Snsr,Snsr1,Snsr2,Snsr3,Snsr4)的位置可检测的磁场(H1,H2)。本集成电路构成了一个非常简单的结构,并且实现了高度小型化的解决方案,由于缩小了尺寸很适合用于银行卡。尝试从其环境(例如银行卡)去除根据本发明的集成电路会造成可磁化区(MR)损坏(部分去除)或者甚至完全去除。本发明提供了抵御外来攻击的第一级安全。本发明的实施例提供了更高的安全级别。阐述了可以有利地集成在该集成电路中的各种磁场传感器。本发明也涉及设置有这种集成电路的卡。按照本发明的设计的卡更加安全。本发明还涉及初始化这种集成电路的方法以及检验这种集成电路真实性的方法。

    半导体集成电路
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100576508C

    公开(公告)日:2009-12-30

    申请号:CN200410057877.0

    申请日:2004-08-20

    发明人: 逸见卓也

    摘要: 在具有用与半导体衬底(4)和层间绝缘膜(7)中的至少某一方的热膨胀系数不同的材料形成的屏蔽膜(1)的半导体集成电路(100)中,屏蔽膜(1)具有屏蔽部(9)和开口部(12),此外,被屏蔽部(9)包围了其周围的独立开口部(12a)和被开口部(12)包围了其周围的独立屏蔽部(11)中的至少某一方存在多个,分散配置在芯片的整个表面上。或者,在通过屏蔽屏蔽部(9)内的电路元件(21)和电路布线(16)的部分的与上述半导体衬底(4)的表面(4a)平行的任意的直线上开口部(12)存在多个。

    集成电路及其制造方法

    公开(公告)号:CN1675768A

    公开(公告)日:2005-09-28

    申请号:CN03819383.3

    申请日:2003-07-01

    IPC分类号: H01L23/544 H01L23/58

    摘要: 根据本发明的集成电路(1)包括一组单元(10),每一单元(11、13、15、19)包括具有器件参数的电子器件(20),该器件参数的参数值为随机参数变化的函数。该组单元(10)包括具有第一随机参数变化的第一子组(12)的识别单元(13);和第二子组(14)的单元(11、15、19),其能够通过测量识别单元(13)的参数值之间的随机差来产生识别代码。根据本发明,第二子组(14)的单元(11、15、19)具有小于第一随机参数变化的第二随机参数变化,由此使识别代码的产生相对较容易。