公开(公告)号：CN106158800B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610526261.6

申请日：2011-12-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 玉城朋宏 ,  中泽芳人

IPC: H01L23/488 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7816 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/29099

Abstract: 本发明涉及半导体器件。在功率MOSFET等的超结结构中，主体单元部分的浓度相对较高，所以针对使用现有技术的外围端接结构或降低表面场结构的外围部分难以确保击穿电压等于或高于单元部分的击穿电压。具体而言，问题出现在于，在芯片的外围拐角部分中，由于电场集中导致击穿电压的变化对于超结结构中的电荷失衡变得敏感。在本发明中，在诸如在有源单元区域和芯片外围区域中的每个区域中具有超结结构的功率MOSFET之类的半导体功率器件中，与第一导电类型的漂移区域的表面的第二导电类型的主结耦合并具有比主结浓度更低浓度的、第二导电类型的表面降低表面场区域的外端位于主结的外端与芯片外围区域中的超结结构的外端之间的中间区域中。

公开(公告)号：CN106206497B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201510283638.5

申请日：2015-05-28

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 朴星珉

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/72 ,  H01L24/90 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请公开了功率半导体模块及其制造方法。该功率半导体模块可包括第一器件以及以预定间隔与第一器件隔开的第二器件。第一装配端子被固定地布置在第一器件与第二器件之间以成为第一连接端子。第二装配端子被固定地装配为与第一器件的外表面和第二器件的外表面接触以成为第二连接端子。

公开(公告)号：CN105161467B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201510500187.6

申请日：2015-08-14

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 马雅青 ,  吴义伯 ,  王彦刚 ,  李云 ,  余军 ,  戴小平 ,  刘国友

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于电动汽车的功率模块，该功率模块包括：半导体芯片；第一导热板和焊接层，第一导热板通过焊接层与半导体芯片的第一表面上的相应端口连接；第二导热板和金属焊球阵列，第二导热板通过金属焊球阵列与半导体芯片的第二表面上的相应端口连接；功率端子和控制端子，功率端子和控制端子与第一导热板连接；以及，封装外壳。该功率模块采用了焊球互连、双面散热的形式，可以解决功率模块内部寄生电感、散热效率的问题，从而保证了模块的性能可靠。

公开(公告)号：CN107078128B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201580049069.6

申请日：2015-09-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 泽田研一

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49844 ,  H01L23/647 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48265 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2224/45099

Abstract: 根据一个实施例的一种半导体模块(10A)包括：纵向型第一晶体管芯片和第二晶体管芯片(12A、12B)，其中，被形成在第一晶体管芯片的后表面上的第二主电极焊盘(20)被安装在衬底上的第一布线图案(74)上并且与其连接，在第一晶体管芯片的前表面上与第一主电极焊盘一起形成的第一控制电极焊盘(16)被电连接到衬底上的第二布线图案(76)，在第二晶体管的前表面上的与第二控制电极焊盘一起形成第三主电极焊盘(18)被安装在第一布线图案上并且与其连接，并且在第二晶体管芯片的后表面上形成的第二控制电极焊盘(16)被电连接到第三布线图案。

公开(公告)号：CN109690768A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201680089135.7

申请日：2016-09-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤田重人 ,  松田哲也

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L23/051 ,  H01L23/48 ,  H01L24/72 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091

Abstract: 本发明的目的在于提供对半导体芯片短路时的电流路径的断开以及电弧放电的产生进行抑制的半导体模块。本发明涉及的半导体模块(100)具备：至少1个半导体芯片(2)；框体(5)，其对半导体芯片(2)进行收容；以及至少1个压力部件(10)，其配置在半导体芯片(2)的上部电极(2a)与设置于框体(5)的上侧电极(3)之间，将上部电极(2a)与上侧电极(3)电连接，压力部件(10)具有弹性，压力部件(10)具备：导电块(12)；以及板簧部件(11)，其具备电流路径(11a、11b)，所述电流路径(11a、11b)以使得导电块(12)的至少一部分进入所述电流路径(11a、11b)之间的方式彼此相对。

公开(公告)号：CN109643976A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052046.X

申请日：2017-08-23

Applicant: 安普林荷兰有限公司

Inventor： 约翰内斯·A·M·德波特 ,  诸毅 ,  尤里·沃洛凯恩 ,  维特里奥·库柯 ,  阿尔贝图斯·G·W·P·范佐耶伦 ,  约尔丹·康斯坦丁诺夫·斯蒂什塔洛夫 ,  约瑟夫斯·H·B·范德赞登

IPC: H03F3/195 ,  H03F1/56 ,  H03F1/02 ,  H01L23/66

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/18 ,  H01L28/40 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6661 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30111 ,  H03F1/0205 ,  H03F1/0288 ,  H03F1/565 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/216 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/225 ,  H03F2200/267 ,  H03F2200/297 ,  H03F2200/301 ,  H03F2200/306 ,  H03F2200/309 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/391 ,  H03F2200/402 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/75 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种封装射频功率放大器。本发明还涉及一种包括该封装射频功率放大器的用于移动通信的蜂窝基站。根据本发明的封装RF功率放大器包括被耦接到射频功率晶体管的输出端的输出网络，其中，该输出网络包括在晶体管的输出端和封装的输出引线之间沿第一方向延伸的多个第一键合线、在射频功率晶体管的输出端和地之间串联连接的第二电感器和第一电容器、以及串联连接在地与第二电感器和第一电容器之间的结点之间的第三电感器和第二电容器。根据本发明，第一和第二电容器被集成在单个无源管芯上，并且第三电感器包括串联连接的第一部件和第二部件，其中，第一部件至少部分地沿第一方向延伸，并且第二部件至少部分地沿与第一方向相反的方向延伸。替代地，第三电感器基本上垂直于第一方向延伸。

公开(公告)号：CN104037138B

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201410080562.1

申请日：2014-03-06

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 林诗轩 ,  陈泽忠 ,  萧永宽 ,  方金明 ,  潘弈豪 ,  廖俊和

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及形成超高密度嵌入式半导体管芯封装的半导体器件和方法。半导体器件具有多个半导体管芯。第一预制绝缘膜被布置在半导体管芯上。在第一预制绝缘膜上形成导电层。在半导体管芯和第一预制绝缘膜上形成互连结构。在半导体管芯上层压第一预制绝缘膜。第一预制绝缘膜包括玻璃布料、玻璃纤维或玻璃填料。半导体管芯被嵌入第一预制绝缘膜内，其中第一预制绝缘膜覆盖半导体管芯的第一表面和侧表面。互连结构被形成在与第一表面相对的半导体管芯的第二表面上。在半导体管芯上布置第一预制绝缘膜之后，去除第一预制绝缘膜的一部分。在第一预制绝缘膜上布置第二预制绝缘膜。

公开(公告)号：CN103681397B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201310165525.6

申请日：2013-05-07

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 林耀剑 ,  陈康

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在载体上形成累积式互连结构用于在中间阶段的测试的半导体装置及方法。一种半导体装置，具有形成于载体上的第一互连结构。在测试第一互连结构为已知良好之后，将半导体小片设置在第一互连结构上。半导体小片为已知良好小片。在第一互连结构上形成诸如凸起或钉头凸起的竖直互连结构。离散型半导体装置设置在第一互连结构或第二互连结构上。密封剂沉积于半导体小片、第一互连结构和竖直互连结构上。密封剂的一部分被去除，以露出竖直互连结构。第二互连结构形成于密封剂上且电性连接于竖直互连结构。第一互连结构或第二互连结构包括具有嵌入的玻璃布、玻璃丝网、填料或纤维的绝缘层。

公开(公告)号：CN104658989B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201410436288.7

申请日：2014-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/19 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种封装件结构和用于形成封装件结构的方法。该封装件结构包括半导体管芯和部分或全部密封半导体管芯的模塑料。该封装件结构还包括位于模塑料中的贯通封装过孔。该封装件结构还包括位于贯通封装过孔和模塑料之间的界面层。该界面层包括绝缘材料且与模塑料直接接触。

公开(公告)号：CN105408999B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201480042376.7

申请日：2014-08-06

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 托马斯·戴尔·博尼菲尔德 ,  拜伦·威廉斯 ,  施里尼瓦萨恩·贾根内森

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01G4/10 ,  H01G4/14 ,  H01G4/206 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L27/0288 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0642 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 在所描述的实例中，集成电路(100)包含隔离电容器(116)，其包含二氧化硅电介质层(120)及聚合物电介质层(122)。所述聚合物电介质层(122)在所述二氧化硅电介质层(120)上方且延伸跨越所述集成电路(100)。接合垫(126)在所述隔离电容器(116)的顶板(124)上。另一接合垫(130)在所述隔离电容器(116)外部且通过穿过所述聚合物电介质层(122)的通孔(132)电耦合到金属互连件(110)的实例。