公开(公告)号：CN108461474A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810105995.6

申请日：2018-02-02

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： E.迈尔斯 ,  V.维瓦雷斯

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32115 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13193 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03

摘要： 本发明涉及半导体器件、制作其的方法和加强其中的管芯的方法。一种半导体器件可包括：管芯，所述管芯包括第一主面、第二主面和侧面，所述侧面连接第一主面和第二主面；至少一个传导柱，所述至少一个传导柱布置在所述管芯的第一主面上并且电耦合到所述管芯；以及绝缘体，所述绝缘体布置在所述管芯的第一主面上，所述绝缘体包括上主面和侧面，其中所述至少一个传导柱被暴露在所述绝缘体的上主面上，并且其中所述管芯的侧面和所述绝缘体的侧面是共面的。

公开(公告)号：CN108122868A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711186765.9

申请日：2017-11-24

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： B·S·库克 ,  A·维诺戈帕 ,  L·哥伦布 ,  R·R·多林

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/367 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/324 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53276 ,  H01L27/0248 ,  H01L2224/48463 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/3738

摘要： 本申请涉及经过附加处理的热引导沟槽，其中公开了一种集成电路(100)，其具有包括半导体材料(104)的衬底(102)以及设置在衬底(102)之上的互连区(106)。该集成电路(100)包括衬底(102)中的热引导沟槽(130)。热引导沟槽(130)包括其中相邻纳米颗粒(135)彼此粘附的粘附纳米颗粒膜(134)。热引导沟槽(130)具有比接触热引导沟槽(130)的半导体材料(104)更高的热导率。粘附纳米颗粒膜(134)通过附加工艺来形成。

公开(公告)号：CN108093655A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201680039677.3

申请日：2016-09-21

申请人： 新电元工业株式会社

发明人： 福田祐介

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/48463

摘要： 本发明的半导体装置，包括：碳化硅半导体层，其主面侧配置有多个层；以银为主要成分构成的电极层，为所述多个层中的一个层，并且具有与导电性的连接构件相连接的电极连接面；以及以碳化钛为主要成分构成的第一金属层，为所述多个层中的与所述电极层不同的一个层，并且具有：所述电极连接面露出至外部后与所述电极层相接合的第一接合面、以及与所述半导体层电气连接的第二接合面。

公开(公告)号：CN104221130B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201380016231.5

申请日：2013-02-20

申请人： 天工方案公司

发明人： K.程

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/469 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/485 ,  H01L23/4855 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/532 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/535 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/41 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本申请公开了与诸如化合物半导体的半导体的铜互连金属化相关的改进的结构、装置和方法。在示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的第一钛(Ti)层、设置在第一Ti层之上的第一阻挡层、设置在第一阻挡层之上的第二Ti层和设置在第二Ti层之上的铜(Cu)层。在另一个示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的Ti层、设置在第一Ti层之上的第一氮化钛(TiN)层和设置在第一TiN层之上的Cu层。在再一个示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的堆叠，并且该堆叠包括势垒、设置在势垒之上的Cu层和设置在Cu层之上的第一Ti层。该金属化结构还可包括设置在第一Ti层之上的溅射的钛钨(TiW)层。

公开(公告)号：CN107946361A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710903364.4

申请日：2017-09-29

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 张艳争

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/45 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/283 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/82385 ,  H01L23/53204 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/401 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7827 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/48463 ,  H01L29/7813 ,  H01L24/05 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66734 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2924/13091

摘要： 本发明提供半导体装置。在Ti膜设置于由BPSG等构成的层间绝缘膜上的情况下，由于Ti膜吸出层间绝缘膜所含有的氧，所以导致Ti膜变化为TiO2膜。这样，TiO2膜与层间绝缘膜的密合性降低。因此，存在源电极或发射电极从层间绝缘膜剥离，半导体装置的可靠性降低的问题。本发明的半导体装置具有：半导体基板；绝缘膜，其含有氧，且设置于半导体基板上，具有使半导体基板露出的开口；第一势垒金属部，其至少设置于开口的底部，层叠有一种以上的膜；上部电极，其设置于绝缘膜的上方，在绝缘膜的上表面与上部电极之间不设置势垒金属，或者在绝缘膜的上表面与上部电极之间还具备与第一势垒金属部的构成不同的第二势垒金属部。

公开(公告)号：CN107887357A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710756479.5

申请日：2017-08-29

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 河野秀逸

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： G01P15/0802 ,  G01C19/5783 ,  G01P3/44 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01L29/84 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/118 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/48

摘要： 本发明提供一种能够对与对象进行接合的接合强度的下降进行抑制的电子器件、电子器件装置、电子设备以及移动体。电子器件具有：基体；功能元件，其被配置在所述基体上；配线，其被配置在所述基体上，并与所述功能元件电连接；端子，其被配置在所述基体上，并与所述配线电连接，所述端子具有与所述配线不重叠的非重叠区域。此外，所述端子具有与所述配线重叠的重叠区域。

公开(公告)号：CN107564838A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710526806.8

申请日：2017-06-30

申请人： 库利克和索夫工业公司

发明人： B·米尔顿 ,  W·秦

IPC分类号： H01L21/67 ,  G06F17/50

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L21/48 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85123 ,  H01L2224/85125 ,  H01L2224/85127 ,  H01L2224/85129 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099

摘要： 提供了一种生成与半导体封装相关的导线环路轮廓的方法。该方法包括以下步骤：(a)提供与半导体封装相关的封装数据；和(b)产生半导体封装的导线环路的环路轮廓，该环路轮廓包括沿着该导线环路的长度的至少一部分的容许带。

公开(公告)号：CN107534047A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680023750.8

申请日：2016-05-02

申请人： 索尼公司

发明人： 宫泽信二

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC分类号： H04N5/3742 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/14 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/2257 ,  H04N5/341 ,  H04N5/374

摘要： 本发明涉及能够使装置尺寸进一步变小的固态摄像装置及其制造方法和电子设备。固态摄像装置包括第一结构和第二结构的层叠体，在第一结构中形成有像素阵列单元，在像素阵列单元中二维地排列有用于执行光电转换的像素，在第二结构中形成有用于将从像素输出的像素信号输出至装置外部的输出电路单元。输出电路单元、贯穿用于构成第二基板的一部分的半导体基板的第一通孔以及连接至装置外部的信号输出用外部端子设置在第一结构的像素阵列单元的下方。本发明能够应用于例如固态摄像装置等。

公开(公告)号：CN104576599B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410454274.8

申请日：2014-09-09

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 林子闳 ,  洪建州

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08123 ,  H01L2224/08265 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明公开一种半导体结构。半导体结构包括：基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；被动元件，设置于所述导电垫上，并穿过所述第二钝化层；以及有机可焊性保护膜，覆盖所述被动元件。本发明所公开的半导体结构，有机可焊性保护膜可以防止表面效应的发生，此外，能够减小电阻并具有较高的品质因数。

公开(公告)号：CN104521324B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201380041886.8

申请日：2013-07-26

申请人： 皇家飞利浦有限公司

发明人： J.A.舒格

IPC分类号： H05B33/08

CPC分类号： H01L25/167 ,  H01L23/5386 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73253 ,  H05B33/083

摘要： 一种LED电路（40）包括每一个安装在相应LED控制电路（42）之上的集成电路LED（50）。LED控制电路（42）通过集成电路电气连接在一起以定义LED控制电路串，每一个LED控制电路具有引向电路的至少一个控制线（44）。这提供具有LED的单独控制的多个LED的紧凑电路。