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公开(公告)号：CN107046019A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611123491.4
申请日：2016-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01L23/3736 , H01L21/76804 , H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L21/76847 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53204 , H01L23/53276 , H01L23/5386
Abstract: 本公开提供了一种半导体元件结构及其形成方法。半导体元件结构包括半导体基底及位于半导体基底之上的介电层。半导体元件结构还包括位于介电层之中的导电部件。导电部件包括触媒层及导电构件，且触媒层介于导电构件与介电层之间。触媒层物理接触导电构件，且触媒层连续地围绕导电构件的侧壁及底部。触媒层的材质不同于导电构件的材质，且触媒层具有降低导电构件的一形成温度的能力。
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公开(公告)号：CN107946361A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710903364.4
申请日：2017-09-29
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 张艳争
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/45 , H01L23/488
CPC classification number: H01L29/45 , H01L21/283 , H01L21/823814 , H01L21/82385 , H01L23/53204 , H01L27/0922 , H01L29/401 , H01L29/417 , H01L29/66333 , H01L29/66348 , H01L29/66666 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7827 , H01L2224/05 , H01L2224/48463 , H01L29/7813 , H01L24/05 , H01L29/456 , H01L29/66734 , H01L2224/04042 , H01L2224/05017 , H01L2224/4847 , H01L2924/13091
Abstract: 本发明提供半导体装置。在Ti膜设置于由BPSG等构成的层间绝缘膜上的情况下，由于Ti膜吸出层间绝缘膜所含有的氧，所以导致Ti膜变化为TiO2膜。这样，TiO2膜与层间绝缘膜的密合性降低。因此，存在源电极或发射电极从层间绝缘膜剥离，半导体装置的可靠性降低的问题。本发明的半导体装置具有：半导体基板；绝缘膜，其含有氧，且设置于半导体基板上，具有使半导体基板露出的开口；第一势垒金属部，其至少设置于开口的底部，层叠有一种以上的膜；上部电极，其设置于绝缘膜的上方，在绝缘膜的上表面与上部电极之间不设置势垒金属，或者在绝缘膜的上表面与上部电极之间还具备与第一势垒金属部的构成不同的第二势垒金属部。
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公开(公告)号：CN107785347A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710733545.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/53204 , H01L23/53209 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/0508 , H01L2224/05567 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/13005 , H01L2224/13007 , H01L2224/1301 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13181 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1358 , H01L2224/13582 , H01L2224/13583 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13616 , H01L2224/1362 , H01L2224/13624 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13649 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/13664 , H01L2224/13666 , H01L2224/13669 , H01L2224/13673 , H01L2224/13676 , H01L2224/13678 , H01L2224/13679 , H01L2224/1368 , H01L2224/13681 , H01L2224/13684 , H01L2224/1369 , H01L2224/16238 , H01L2224/2919 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/0665 , H01L23/49816
Abstract: 提供了一种半导体芯片和电子装置。该半导体芯片包括：基底；一个或更多个导电焊盘，设置在基底上；一个或更多个凸起，电连接到一个或更多个导电焊盘，其中，一个或更多个凸起包括：金属芯；聚合物层，设置在金属芯的表面的上方；导电涂层，设置在聚合物层的表面的上方并且电连接到一个或更多个导电焊盘。
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公开(公告)号：CN105023848B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410301559.8
申请日：2014-06-27
Applicant: 启碁科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
CPC classification number: C23C18/1605 , B32B3/02 , B32B3/30 , B32B15/043 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , B32B2255/24 , B32B2457/00 , C23C18/182 , G03F7/202 , H01L23/06 , H01L23/49838 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/5228 , H01L23/528 , H01L23/53204 , H01L23/53228 , H01L23/53233 , H01L23/53242 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H05K1/09 , H05K3/0026 , H05K3/107 , H05K3/243 , H05K2201/0338 , H05K2203/072 , Y10T428/12361 , Y10T428/24331
Abstract: 一种基板结构的制造方法及基板结构。该基板结构的制造方法包括：直接形成一第一金属层于一基底上；直接形成一第一保护层于该第一金属层上；藉由使用包括一硫醇基的一化合物来直接形成一第二保护层于该第一保护层上；图形化该第二保护层以形成具有暴露该第一保护层的一开口的一图案；以及形成一第二金属层于该第二保护层的该开口内，且直接形成于该第一保护层上。本发明是相比传统实际操作更有效率且更符合成本效益的方法来发展图形化结构于基板上。
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公开(公告)号：CN109560061A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201711278102.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L23/53204 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/04105 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05657 , H01L2224/05664 , H01L2224/11002 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16227 , H01L2224/221 , H01L2924/15174 , H01L2924/00014 , H01L23/49838 , H01L23/49866
Abstract: 一种集成扇出型封装体包括管芯、绝缘包封体、重布线路结构、导电端子以及障壁层。所述管芯被所述绝缘包封体包封。所述重布线路结构包括重布线导电层。所述重布线导电层设置在所述绝缘包封体中且从所述绝缘包封体的第一表面延伸到所述绝缘包封体的第二表面。所述导电端子设置在所述绝缘包封体的所述第二表面之上。所述障壁层夹置在所述重布线导电层与所述导电端子之间。所述障壁层的材料不同于所述重布线导电层的材料及所述导电端子的材料。本发明实施例还提供一种制造集成扇出型封装体的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107833651A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711005729.8
申请日：2017-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院 , 上海航天设备制造总厂
IPC: H01B1/22 , H01L23/532 , B82Y30/00 , B22F1/00
CPC classification number: H01B1/22 , B22F1/0062 , B22F1/0074 , B82Y30/00 , H01L23/53204 , H01L23/53242
Abstract: 本发明提供了一种复合纳米银膏的制备方法及快速烧结封装方法，制备方法包括S1清洗、离心微米银片；S2在S1所得微米银片中混入纳米银颗粒和有机溶剂，超声、搅拌；S3在S2所得混合溶液中加入有机载体和表面活性剂，超声、搅拌得到复合纳米银膏；封装方法包括S1通过点胶或者丝网印刷涂覆银膏；S2将涂覆有复合纳米银膏的芯片和基板对准堆叠；S3使用热压焊或超声热压焊烧结完成互连。本发明实现了复合纳米银膏快速烧结封装，降低了材料成本，制备过程绿色环保，简化了封装工艺和设备，提高了生产效率，有利于节能减排，并能够减少纳米银膏烧结体在服役过程中继续烧结引起的体积收缩，提高封装器件的寿命和可靠性，适用于完成电子封装领域中高温电子器件的高可靠性低温封装互连。
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公开(公告)号：CN103681558B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201210337060.3
申请日：2012-09-12
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L23/53204 , H01L24/00 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05541 , H01L2224/05572 , H01L2224/05584 , H01L2224/05616 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/16503 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/3651 , H01L2924/00014 , H01L2924/206 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
Abstract: 一种半导体封装件中的连接结构，其设于基板的连接垫上，其包括凸块底下金属层以及一焊锡材料，且该凸块底下金属层依序为形成于该连接垫上的钛层、铜层、镍层及金属层，而该金属层为金层、银层、铅层或铜层的其中一者，又该金属层的厚度为0.5至5微米，所以当回焊该焊锡材料以形成焊锡凸块后，该焊锡凸块与该金属层之间不会产生锡镍化合物，以避免于该凸块底下金属层与该焊锡凸块之间发生凸块脱落的问题。
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公开(公告)号：CN105990229A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510844545.5
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76855 , H01L21/76889 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L21/768 , H01L21/76802 , H01L23/522 , H01L23/53204
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括位于半导体器件的栅极结构之上的介电层。半导体器件还包括导电互连件，其被配置成连接栅极结构和导电互连件之上的I/O区。半导体器件还包括设置在导电互连件和介电层之间的金属硅化物层，其中，金属硅化物是不同于导电互连件的金属的硅化物形式。本发明还提供了一种用于制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN105023848A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410301559.8
申请日：2014-06-27
Applicant: 启碁科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
CPC classification number: C23C18/1605 , B32B3/02 , B32B3/30 , B32B15/043 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , B32B2255/24 , B32B2457/00 , C23C18/182 , G03F7/202 , H01L23/06 , H01L23/49838 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/5228 , H01L23/528 , H01L23/53204 , H01L23/53228 , H01L23/53233 , H01L23/53242 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H05K1/09 , H05K3/0026 , H05K3/107 , H05K3/243 , H05K2201/0338 , H05K2203/072 , Y10T428/12361 , Y10T428/24331
Abstract: 一种基板结构的制造方法及基板结构。该基板结构的制造方法包括：直接形成一第一金属层于一基底上；直接形成一第一保护层于该第一金属层上；藉由使用包括一硫醇基的一化合物来直接形成一第二保护层于该第一保护层上；图形化该第二保护层以形成具有暴露该第一保护层的一开口的一图案；以及形成一第二金属层于该第二保护层的该开口内，且直接形成于该第一保护层上。本发明是相比传统实际操作更有效率且更符合成本效益的方法来发展图形化结构于基板上。
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公开(公告)号：CN103681285A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310102336.4
申请日：2013-03-27
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 姜东均
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/49
CPC classification number: H01L21/76841 , C23C16/18 , C23C16/45542 , H01L21/28079 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/485 , H01L23/53204 , H01L23/53266 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L29/4236 , H01L29/4958 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种形成具有降低的电阻率的无氟钨扩散阻挡层的方法、一种利用无氟钨扩散阻挡层的半导体器件，以及一种用于形成这样的半导体器件的方法。
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