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1.

发明授权
具有穿透衬底的通孔的集成电路有权

公开(公告)号：CN103109362B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201180043062.5

申请日：2011-09-13

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·A·韦斯特 , Y-J·朴

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48

CPC分类号： H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05562 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/06181 , H01L2224/08503 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16503 , H01L2224/81193 , H01L2224/81411 , H01L2224/81447 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 一种穿透衬底的通孔（TSV）芯片（200），其包括多个TSV（216），TSV（216）包括外部介电套管（221）和内部金属芯（220）以及凸出的TSV末端（217），凸出的TSV末端端部（217）包括从TSV管芯出现的侧壁。横向于凸出的TSV末端的钝化层（231）在凸出的TSV末端的侧壁的一部分上。在凸出的TSV末端的远侧部分缺少钝化层，从而提供内部金属芯的暴露部分。TSV末端包括球状远侧末端端部（217（a）），其包括第一金属层（241）和第二金属层（242），第一金属层（241）包括除焊料之外的第一金属，并且第二金属层（242）包括覆盖暴露末端部分的除焊料之外的第二金属。球状远侧末端端部覆盖TSV侧壁的一部分并在外部介电套管的最顶表面上方，并具有比在球状远侧末端端部下面的凸出的TSV末端的横截面积大≥25%的最大横截面积。

2.

发明授权
半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构有权

公开(公告)号：CN106033752B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201510120701.3

申请日：2015-03-19

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 廖国成 , 陈家庆 , 丁一权

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/16 , H01L21/486 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/08238 , H01L2224/10175 , H01L2224/11436 , H01L2224/11462 , H01L2224/1161 , H01L2224/13008 , H01L2224/13021 , H01L2224/13026 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13647 , H01L2224/16012 , H01L2224/16013 , H01L2224/16014 , H01L2224/16105 , H01L2224/16108 , H01L2224/16235 , H01L2224/16503 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81193 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/3841 , H05K3/007 , H05K3/205 , H05K3/4682 , H05K2201/09509 , H05K2201/10378 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种半导体封装结构，其包含半导体衬底、半导体芯片及导电材料。所述半导体衬底包含绝缘层、导电电路层及导电凸块。所述导电电路层从所述绝缘层的顶表面凹入，且包含至少一个衬垫。所述导电凸块安置在所述至少一个衬垫上。所述导电凸块的侧表面、所述至少一个衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面一起界定容置空间。所述导电材料电连接所述导电凸块与所述半导体芯片，且所述导电材料的一部分安置在所述容置空间中。

3.

发明公开
具有熔融温度大于260 摄氏度并包括银和锡组成的金属间化合物或铜和锡组成的金属间化合物的金属间化合物层的半导体封装件及相应制造方法有权

公开(公告)号：CN107210237A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580074691.2

申请日：2015-12-08

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： M·J·塞登 , F·J·卡尼

IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/683 , H01L23/482

CPC分类号： H01L24/32 , H01L21/4825 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/482 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/28 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/31 , H01L24/33 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/03416 , H01L2224/03418 , H01L2224/03444 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05075 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/1308 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13171 , H01L2224/16227 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/17106 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/29171 , H01L2224/29565 , H01L2224/29582 , H01L2224/29655 , H01L2224/29666 , H01L2224/3003 , H01L2224/30505 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/81439 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2224/81825 , H01L2224/83439 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/83825 , H01L2224/8481 , H01L2224/8581 , H01L2224/8681 , H01L2224/94 , H01L2924/00015 , H01L2924/01327 , H01L2924/10162 , H01L2924/12041 , H01L2224/03 , H01L2224/27 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01074 , H01L2924/01024 , H01L2924/20642 , H01L2224/48

摘要： 提供了形成半导体封装件的方法。具体实施方式包括在管芯背面(16)形成具有多个子层(40‑46)的中间金属层(26)，每个子层包含金属，所述金属选自钛、镍、铜、银、以及它们的组合。将锡层(48)沉积到所述中间金属层(26)上，然后与衬底(50)的银层(52)一起进行回流焊以形成熔融温度大于260摄氏度并包括银和锡组成的金属间化合物和/或铜和锡组成的金属间化合物的金属间化合物层(56)。形成半导体封装件的另一种方法包括在管芯(14)的顶侧(18)上的多个裸露焊盘(20)中的每个裸露焊盘上形成凸块(22)，每个裸露焊盘(20)由钝化层(24)所包围，每个凸块(22)包括如上所述的中间金属层(36)和耦接到所述中间金属层(36)的锡层(48)，锡层(48)然后被以衬底(50)的银层(52)回流焊以形成如上所述的金属间化合物层(64)。

4.

发明公开
半导体装置及用于制造半导体装置的方法有权

公开(公告)号：CN105938827A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610120953.0

申请日：2016-03-03

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 萧友享 , 李秋雯 , 杨秉丰 , 林光隆

IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 , B23K1/0016 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K2101/40 , C22C9/02 , C22C13/00 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/1182 , H01L2224/13025 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/13686 , H01L2224/16146 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/81193 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2225/06582 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L23/52 , H01L23/488 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/31 , H01L24/33 , H01L2224/26 , H01L2224/27 , H01L2224/33 , H01L2224/331 , H01L2224/33505

摘要： 本发明涉及一种半导体装置及一种用于制造所述半导体装置的方法。所述半导体装置包含半导体裸片、半导体元件及焊料层。所述半导体裸片包含铜柱。所述半导体元件包含表面处理层，其中所述表面处理层的材料为镍、金及钯中的至少两者的组合。所述焊料层位于所述铜柱与所述表面处理层之间。所述焊料层包含第一金属间化合物IMC及第二金属间化合物，其中所述第一金属间化合物包含铜、镍及锡中的至少两者的组合。所述第二金属间化合物为金与锡的组合、钯与锡的组合或两者。

5.

发明公开
形成用于芯片堆叠的体积减少的互连的方法及其互连有权

公开(公告)号：CN105810603A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610031246.4

申请日：2016-01-18

申请人： 国际商业机器公司

发明人： P·A·格鲁伯 , 佐久间克幸 , D-Y·史

IPC分类号： H01L21/603

CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05147 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0612 , H01L2224/065 , H01L2224/11003 , H01L2224/11334 , H01L2224/1141 , H01L2224/1144 , H01L2224/11849 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/14104 , H01L2224/16012 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16503 , H01L2224/17181 , H01L2224/73204 , H01L2224/81022 , H01L2224/81065 , H01L2224/8109 , H01L2224/811 , H01L2224/8112 , H01L2224/81201 , H01L2224/8121 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/81203 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L24/19

摘要： 一种形成用于包括多个硅层的芯片堆叠的体积减少的互连的方法，该方法包括：形成多个导电结构，导电结构的至少一个子集中的每个导电结构具有针对导电结构被转移到其上的对应凸块下冶金焊盘的导电材料的体积，该体积被配置为使得导电结构的未回流直径与对应焊盘的直径的比率为约三分之一比一或更小；将导电结构转移到硅层；在基本上竖直的维度上堆叠硅层，使得给定硅层上的导电结构中的每个导电结构与邻近硅层的下侧上的对应电接触位置对准；以及加热互连，以便以冶金方式键合邻近硅层的多个电接触位置。

6.

发明授权
包括在优选方向生长的Cu6Sn5晶粒的电性连接结构及其制备方法有权

公开(公告)号：CN103390565B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210154178.2

申请日：2012-05-18

申请人： 财团法人交大思源基金会

发明人： 陈智 , 林汉文

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , B23K1/00

CPC分类号： H01R13/03 , B23K1/0016 , H01L21/4846 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05541 , H01L2224/05647 , H01L2224/13111 , H01L2224/16503 , H01L2224/81191 , H01L2224/81447 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2924/01322 , H01L2924/3651 , H01R43/02 , Y10T29/49213 , Y10T428/12903 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种包括在优选方向生长的Cu6Sn5晶粒的电性连接结构及其制备方法。本发明的电性连接结构的制备方法包括步骤：A、提供一第一基板；B、在第一基板的部分表面形成一第一纳米双晶铜层；C、使用一焊料将第一基板与一第二基板连接，第二基板具有一第二电性垫，第二电性垫包括第二纳米双晶铜层，且焊料配置于第一及第二纳米双晶铜层之间；以及D、以200℃至300℃的温度进行回焊(reflow)使焊料部分转换为一介金属化合物(intermetallic compound，IMC)层，且介金属化合物层包括在优选方向(preferred orientation)生长的Cu6Sn5晶粒；其中，第一及第二纳米双晶铜层的50％以上的体积分别包括双晶铜晶粒。

7.

发明公开
半导体封装制造过程及其结构无效

公开(公告)号：CN103972114A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310054918.X

申请日：2013-02-20

申请人： 颀邦科技股份有限公司

发明人： 何荣华 , 吴非艰 , 郭志明 , 张世杰 , 涂家荣

IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/603 , H01L23/488

CPC分类号： H01L24/81 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/13006 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13562 , H01L2224/1601 , H01L2224/16503 , H01L2224/81048 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81898 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012

摘要： 本发明是有关于一种半导体封装制造过程，其包含下列步骤：提供第一基板，该第一基板具有第一金属凸块，该第一金属凸块具有对接部，该对接部具有第一软化点；提供第二基板，该第二基板具有第二金属凸块，该第二金属凸块具有第二软化点，且该第一金属凸块的该第一软化点小于该第二金属凸块的该第二软化点，该第二金属凸块具有顶面及侧壁；进行加热步骤，以使该第一金属凸块的该对接部呈软化状态；以及压合该第一基板与该第二基板，以该第二金属凸块嵌入呈该软化状态的对接部，以使呈该软化状态的对接部受压延伸包覆该第二金属凸块的该顶面及该侧壁。