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公开(公告)号：CN103579155A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310327642.8
申请日：2013-07-31
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/4814 , B81B7/007 , B81B2207/095 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L23/48 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05023 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/08148 , H01L2224/08221 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/13008 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13647 , H01L2224/27825 , H01L2224/29011 , H01L2224/29023 , H01L2224/29035 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29564 , H01L2224/2957 , H01L2224/29647 , H01L2224/3003 , H01L2224/30051 , H01L2224/33517 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8183 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8383 , H01L2224/9211 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01013 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953
摘要： 本发明涉及一种制造用于热压键合的键合垫（100）的方法（200），其中，所述方法（200）具有提供步骤（202）和沉积步骤（204）。在所述提供步骤（202）中提供一具有半导体结构的载体材料（102），其中，所述载体材料（102）的最外部的边缘层构造成一布线金属层（106），用于电接触所述半导体结构。在所述沉积步骤（204）中将一单层的键合金属层（104）直接在所述布线金属层（106）的表面上进行沉积，用以制造所述键合垫（100）。
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公开(公告)号：CN101473707B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200780023113.1
申请日：2007-06-22
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H05H1/24 , B23K11/0006 , B23K20/10 , B23K35/38 , B23K35/383 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2221/68313 , H01L2224/75 , H01L2224/75302 , H01L2224/75743 , H01L2224/81009 , H01L2224/81013 , H01L2224/81054 , H01L2224/81075 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H05K3/3489 , H05K2203/0195 , H05K2203/082 , H05K2203/086 , H05K2203/095
摘要： 根据本发明的电极结合方法包括：等离子体清洁步骤，用大气压等离子体(8)辐射诸如半导体器件之类的元件(1)和基底(10)中的至少一个的被清洁的电极表面(3)从而进行清洁；惰性气体氛围保持步骤，在大气压等离子体(8)的辐射结束之前，用第一惰性气体(4)覆盖被清洁的电极表面(3)及其附近，并在此后还保持该状态；以及结合步骤，在惰性气体氛围保持步骤结束之前，结合元件(1)的电极和基底(10)上的电极。电极表面(3)由此进行等离子体清洁，而没有损坏待结合到基底(10)上的元件(1)的可能性，在结合电极时保持该清洁状态，以提供高结合力和高可能性的结合状态。
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公开(公告)号：CN101473707A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780023113.1
申请日：2007-06-22
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H05H1/24 , B23K11/0006 , B23K20/10 , B23K35/38 , B23K35/383 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2221/68313 , H01L2224/75 , H01L2224/75302 , H01L2224/75743 , H01L2224/81009 , H01L2224/81013 , H01L2224/81054 , H01L2224/81075 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H05K3/3489 , H05K2203/0195 , H05K2203/082 , H05K2203/086 , H05K2203/095
摘要： 根据本发明的电极结合方法包括：等离子体清洁步骤，用大气压等离子体(8)辐射诸如半导体器件之类的元件(1)和基底(10)中的至少一个的被清洁的电极表面(3)从而进行清洁；惰性气体氛围保持步骤，在大气压等离子体(8)的辐射结束之前，用第一惰性气体(4)覆盖被清洁的电极表面(3)及其附近，并在此后还保持该状态；以及结合步骤，在惰性气体氛围保持步骤结束之前，结合元件(1)的电极和基底(10)上的电极。电极表面(3)由此进行等离子体清洁，而没有损坏待结合到基底(10)上的元件(1)的可能性，在结合电极时保持该清洁状态，以提供高结合力和高可能性的结合状态。
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公开(公告)号：CN103579155B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201310327642.8
申请日：2013-07-31
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/4814 , B81B7/007 , B81B2207/095 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L23/48 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05023 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/08148 , H01L2224/08221 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/13008 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13647 , H01L2224/27825 , H01L2224/29011 , H01L2224/29023 , H01L2224/29035 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29564 , H01L2224/2957 , H01L2224/29647 , H01L2224/3003 , H01L2224/30051 , H01L2224/33517 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8183 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8383 , H01L2224/9211 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01013 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953
摘要： 本发明涉及一种制造用于热压键合的键合垫（100）的方法（200），其中，所述方法（200）具有提供步骤（202）和沉积步骤（204）。在所述提供步骤（202）中提供一具有半导体结构的载体材料（102），其中，所述载体材料（102）的最外部的边缘层构造成一布线金属层（106），用于电接触所述半导体结构。在所述沉积步骤（204）中将一单层的键合金属层（104）直接在所述布线金属层（106）的表面上进行沉积，用以制造所述键合垫（100）。
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公开(公告)号：CN105097564A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410198249.8
申请日：2014-05-12
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 王奇峰
CPC分类号： H01L24/11 , H01J37/32 , H01L21/02068 , H01L21/50 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/0231 , H01L2224/0239 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1181 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13166 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014
摘要： 一种芯片封装结构的处理方法。本发明采用O2或N2中的至少一种气体的等离子体轰击第一电连接结构、第二电连接结构及暴露所述第一电连接结构、第二电连接结构的绝缘层。上述轰击过程中，O2或N2所产生的等离子体会与沉积在绝缘层表面的金属阳离子反应生成金属原子或金属化合物，上述金属原子、金属化合物为电中性，因而与绝缘层之间无静电吸附，易于脱离绝缘层表面，且上述金属原子、金属化合物也不易反粘至绝缘层表面，对等离子体腔室抽真空即可将上述金属原子、金属化合物排出。
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公开(公告)号：CN100352025C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN03822918.8
申请日：2003-09-25
申请人： 东丽工程株式会社
发明人： 山内朗
CPC分类号： H01L24/81 , H01L24/75 , H01L2224/16 , H01L2224/75 , H01L2224/751 , H01L2224/75252 , H01L2224/75301 , H01L2224/7565 , H01L2224/75753 , H01L2224/81009 , H01L2224/81013 , H01L2224/81054 , H01L2224/81121 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种接合装置，具有：清洗室；清洗单元，在该清洗室内在减压情况下对所说金属接合部的接合面照射能量波；接合单元，在大气中将从所说清洗室内取出的被接合物的金属接合部彼此接合；输送单元，将至少就一方被接合物而言在前的被接合物和后续的被接合物实质上同时至少沿着向所说清洗室内送入的方向和从清洗室内送出的方向进行输送。在将清洗后的被接合物取出至大气中进行接合时，特别是围绕清洗室进行的被接合物的送入和送出以及传递能够圆滑且以较短时间完成，能够以高处理量批量生产既定的接合制品。其结果，可缩短整个接合工序的生产节拍时间、降低接合工序所需要的成本。
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公开(公告)号：CN103377956B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310129982.X
申请日：2013-04-15
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明提供一种基材的接合方法，包含：首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材之表面，一第二银层覆盖第二基材之表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一锡层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆之质量，使技术能实际应用于产品量产之上。
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公开(公告)号：CN103212776B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210495330.3
申请日：2012-11-28
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： B23K20/00 , B23K20/24 , B23K20/26 , H01L21/603 , H01L23/488 , H01R4/00 , H01R43/00
CPC分类号： H01L21/76254 , B23K20/026 , B23K20/24 , B23K20/26 , B23K2101/42 , G21K5/02 , H01L21/2686 , H01L21/32134 , H01L21/67017 , H01L21/67069 , H01L21/67092 , H01L21/67115 , H01L21/67144 , H01L23/488 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/11462 , H01L2224/118 , H01L2224/1182 , H01L2224/1184 , H01L2224/11845 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16501 , H01L2224/75102 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/81002 , H01L2224/8101 , H01L2224/81013 , H01L2224/81014 , H01L2224/8102 , H01L2224/81031 , H01L2224/81047 , H01L2224/81054 , H01L2224/81075 , H01L2224/8109 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8122 , H01L2224/818 , H01L2224/8183 , H01L2224/81907 , H01L2224/81986 , H01L2224/83192 , H01L2224/9211 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/20105 , H01L2924/20108 , H01L2924/2021 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要： 本发明提供一种电子器件、制造方法和电子器件制造装置。根据本公开内容，所述制造方法包括：使第一电子元件的第一电极的顶表面暴露于有机酸，利用紫外光照射第一电极的暴露于有机酸的顶表面，以及通过对第一电极和第二电子元件的第二电极进行加热和相互压制来接合第一电极和第二电极。
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公开(公告)号：CN1437256A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN03104240.6
申请日：2003-02-08
申请人： 日本电气株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： H05K3/3436 , H01L21/563 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05599 , H01L2224/10145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/1181 , H01L2224/1182 , H01L2224/11901 , H01L2224/11906 , H01L2224/13023 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13565 , H01L2224/136 , H01L2224/13609 , H01L2224/16 , H01L2224/16237 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/814 , H01L2224/81801 , H01L2224/8191 , H01L2224/92125 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H05K2201/0367 , H05K2201/2081 , Y02P70/613 , H01L2224/13099 , H01L2224/29099
摘要： 用能使组件成形的电解镀敷法，将由铜等形成的柱状块，经过晶片上的接合膜和粘接膜，形成在布线薄膜上。例如金的防氧化膜在柱状块的上表面或一部分上表面和侧表面形成。例如氧化膜这样的防沾湿膜，按需要形成在柱状块上。如果这个块焊接至布线基板上的焊盘，焊料将沾湿于柱状块上表面整个区域，和侧表面的部分区域。因此能形成稳定而可靠的连接。另外，由于柱状块不熔化，半导体线路板和组装线路板之间的距离不因焊料而变窄。
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公开(公告)号：CN108780826A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016398.X
申请日：2017-02-10
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L25/075 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L25/0756 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2224/81013 , H01L2224/81894 , H01L2224/81895 , H01L2224/81896 , H01L2224/83013 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2933/0016
摘要： 提出一种光电子器件(50)，其具有半导体本体(10a-c)，所述半导体本体具有光学有源区域(12)；其还具有载体(60)和连接层对(30a-c)，所述连接层对具有第一连接层(32)和第二连接层(34)，其中：半导体本体设置在载体上，第一连接层设置在半导体本体和载体之间并且与半导体本体连接，第二连接层设置在第一连接层和载体之间，选自第一连接层和第二连接层中的至少一个层包含透射辐射的且能导电的氧化物，并且第一连接层和第二连接层至少局部地在一个或多个连接区域中直接彼此连接，使得连接层对参与半导体本体到载体上的机械联接。第一和/或第二连接层具有多个在相应的层之内彼此电绝缘的、能导电的子区域(80，82)，其中所述子区域中的至少两个子区域与半导体本体在光学有源区域的不同侧上能导电地连接。
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