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公开(公告)号：CN103809285B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201310374199.X
申请日：2013-08-26
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00603 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81C1/0015 , G02B26/0833
摘要： 一种自对准垂直式梳状传感器及其制作方法，是将一具有阻挡层、第一元件层及第一屏蔽层的第一晶圆与一具有第二元件层、第二屏蔽层的第二晶圆接合，其中阻挡层介于第一元件层与第二元件层之间，且在两晶圆接合前，先图案化阻挡层以形成联集图案用以定义预定在第一元件层形成的第一齿状部及预定在第二元件层形成的第二齿状部的结构。借由阻挡层作为蚀刻第一元件层及蚀刻第二元件层时的蚀刻屏蔽，使第一齿状部构成的梳状结构与第二齿状部构成的梳状结构上下自对准，且呈上下两排错位排列。
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公开(公告)号：CN103377956B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310129982.X
申请日：2013-04-15
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明提供一种基材的接合方法，包含：首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材之表面，一第二银层覆盖第二基材之表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一锡层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆之质量，使技术能实际应用于产品量产之上。
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公开(公告)号：CN103964372A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410020879.6
申请日：2014-01-17
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
发明人： 谢哲伟
摘要： 一整合式微机电元件及其制造方法，在制造方法中是利用牺牲层辅助来使多层微机电结构晶圆整合至电路晶圆上，形成的微机电元件具有包括结构具备平坦的表面形貌、及能使用单晶硅及多晶硅等稳定的高温成型材料等优点，特别适用于具高填充因子的微机电数组元件的制作。本发明的有益效果包括：解决在牺牲层移除时电路晶圆上的膜层材料同时被蚀刻破坏的问题。
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公开(公告)号：CN118961006A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411063764.5
申请日：2024-08-05
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
IPC分类号： G01L1/20
摘要： 一种应力感测元件，包含第一硅元件层、第二硅元件层、基板连接层，及基板。该第一硅元件层具有悬膜区及至少一用于感测该悬膜区的应力变化的应力感测单元，该第二硅元件层连接于该第一硅元件层的底面，包含凸块单元，及位于该悬膜区外侧的外框，且该凸块单元与该外框以间隙相隔开。该基板连接层位于该外框反向该第一硅元件层的表面。该基板经由该基板连接层与该外框连接，并具有至少一贯通该基板并与该间隙连通的开孔。借此，提供一种具有良好感测特性的应力感测元件。
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公开(公告)号：CN103809285A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310374199.X
申请日：2013-08-26
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00603 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81C1/0015 , G02B26/0833
摘要： 一种自对准垂直式梳状传感器及其制作方法，是将一具有阻挡层、第一元件层及第一屏蔽层的第一晶圆与一具有第二元件层、第二屏蔽层的第二晶圆接合，其中阻挡层介于第一元件层与第二元件层之间，且在两晶圆接合前，先图案化阻挡层以形成联集图案用以定义预定在第一元件层形成的第一齿状部及预定在第二元件层形成的第二齿状部的结构。借由阻挡层作为蚀刻第一元件层及蚀刻第二元件层时的蚀刻屏蔽，使第一齿状部构成的梳状结构与第二齿状部构成的梳状结构上下自对准，且呈上下两排错位排列。
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公开(公告)号：CN118545671A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310161253.6
申请日：2023-02-24
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
摘要： 一种具有内嵌磁性材料的载板，包含基板、磁性材料、两个介电隔绝层，及导电金属层。所述基板包括两个相对的基板表面，及贯穿所述基板表面的基板通孔。所述磁性材料覆盖于所述基板通孔的内缘，包括两个相对从而分别与所述基板表面实质平行的磁性材料表面，及与所述基板通孔的内缘实质平行的磁性材料内缘。所述介电隔绝层分别设置在所述基板表面与所述磁性材料表面上。所述导电金属层分布于所述磁性材料内缘，并延伸至所述介电隔绝层的表面。借此，在后续制程时，磁性材料不会裸露在制程化学溶液中，从而避免磁性材料受损，提高制程良率。
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公开(公告)号：CN103964372B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410020879.6
申请日：2014-01-17
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
发明人： 谢哲伟
摘要： 一整合式微机电元件及其制造方法，在制造方法中是利用牺牲层辅助来使多层微机电结构晶圆整合至电路晶圆上，形成的微机电元件具有包括结构具备平坦的表面形貌、及能使用单晶硅及多晶硅等稳定的高温成型材料等优点，特别适用于具高填充因子的微机电数组元件的制作。本发明的有益效果包括：解决在牺牲层移除时电路晶圆上的膜层材料同时被蚀刻破坏的问题。
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公开(公告)号：CN103377956A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310129982.X
申请日：2013-04-15
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明提供一种基材的接合方法，包含:首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材的表面，一第二银层覆盖第二基材的表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一钖层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆的质量，使技术能实际应用于产品量产之上。
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公开(公告)号：CN103245377A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210505202.2
申请日：2012-11-30
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
CPC分类号： G01P1/00 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , G01P15/0802 , G01P15/123
摘要： 一种单体化复合传感器及其封装品，所述封装品包含：一单体化复合传感器、一封盖及一底板。单体化复合传感器包含：一主体、一复合体、至少一连结梁及多个传感元件。复合体包括相连接的一质量块及一薄膜，两者共同界定出至少一空腔。连结梁连结主体与复合体，使复合体可相对于主体作运动。其中至少一个传感元件形成于薄膜位于空腔上的区域。封盖连接于单体化复合传感器的上表面，遮盖复合体及所述连结梁并与复合体及连结梁相间隔，且设有多个穿孔。底板连接于单体化复合传感器的下表面，与封盖位于单体化复合传感器的相反两侧，且与复合体相间隔。
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