公开(公告)号：CN109638000A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201910085845.8

申请日：2019-01-29

Applicant: 安徽安努奇科技有限公司

Inventor： 魏胜 ,  程伟 ,  王晓东 ,  左成杰 ,  何军

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/522 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/16148

Abstract: 本发明公开了一种集成电感结构和集成电路。其中，集成电感结构包括：至少两个平面电感，所述至少两个平面电感依次层叠设置，且不同的所述平面电感形成于不同功能模块的金属层中；至少一个连接部件，所述至少一个连接部件设置于相邻两个所述功能模块之间，且任意相邻两个所述平面电感通过所述连接部件电连接。本发明的技术方案通过将构成电感的平面电感分别设置于不同的功能模块中，在保证电路集成度的情况下提高了电感的品质因数。

公开(公告)号：CN108695243A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810216533.1

申请日：2018-03-16

Applicant: 英特尔公司

Inventor： F·华 ,  T·卡姆嘎因 ,  J·M·斯旺

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/022 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/5384

Abstract: 实施例包括器件和方法，包括一种器件，包括：包括半导体的衬底，所述衬底包括有源元件的正面和与所述正面相对的背面。所述器件包括背面上的电介质层；以及在背面上的电介质层上的无源部件。在特定实施例中，无源器件形成在自组装单层(SAM)上。描述和要求保护了其他实施例。

公开(公告)号：CN105047619B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510187746.2

申请日：2015-04-20

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  何志伟 ,  刘沧宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/49811 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/093 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06151 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06165 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明揭露一种晶片堆叠封装体及其制造方法。该晶片堆叠封装体包括：至少一第一基底，其具有一第一侧及相对的一第二侧，且包括一凹口及多个重布线层，凹口位于第一基底内且邻接其一侧边，多个重布线层设置于第一基底上且延伸至凹口的一底部；至少一第二基底，设置于第一基底的第一侧；多个焊线，对应设置于凹口内的重布线层上，且延伸至第二基底上；以及至少一装置基底，设置于第一基底的第二侧。本发明可有效降低晶片堆叠封装体的整体尺寸。

公开(公告)号：CN104465568B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201410492487.X

申请日：2014-09-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R.马恩科普夫 ,  W.莫尔泽 ,  B.梅姆勒 ,  E.戈伊茨 ,  H-J.巴思 ,  S.阿伯斯 ,  T.梅耶

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本描述的实施例包含嵌入在微电子基底中的堆叠式微电子管芯及其制造方法。在一个实施例中，至少一个第一微电子管芯附连到第二微电子管芯，其中在第二微电子管芯与所述至少一个第一微电子管芯之间提供底部填充材料。然后通过在基底材料中层压第一微电子管芯和第二微电子管芯来形成微电子基底。

公开(公告)号：CN104637904B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201410025291.X

申请日：2014-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴胜郁 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/528 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/111 ,  H05K2201/09727 ,  H05K2201/10674 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种封装件包括第一封装组件和第二封装组件。第一封装组件包括位于第一封装组件的表面处的第一金属导线和第二金属导线。第二金属导线平行于第一金属导线。第二金属导线包括具有第一宽度的窄金属导线部分和具有大于第一宽度的第二宽度的宽金属导线部分，宽金属导线部分连接至窄金属导线部分。第二封装组件位于第一封装组件的上方。第二封装组件包括与第一金属导线的一部分重叠的金属凸块、以及将金属凸块接合至第一金属导线的导电连接件。导电连接件与第一金属导线的顶面和侧壁相接触。金属凸块邻近窄金属导线部分。本发明还公开了用于增大凸块与导线距离的导线上凸块设计。

公开(公告)号：CN103377956B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310129982.X

申请日：2013-04-15

Applicant: 亚太优势微系统股份有限公司

Inventor： 殷宏林 ,  谢哲伟 ,  林立元

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49866 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/27614 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48148 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种基材的接合方法，包含：首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材之表面，一第二银层覆盖第二基材之表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一锡层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆之质量，使技术能实际应用于产品量产之上。

公开(公告)号：CN103620771B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201280029535.0

申请日：2012-09-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横山贤司 ,  川端毅 ,  萩原清己

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/00 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/17136 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 半导体装置(10)具备：扩展型半导体芯片(20)，其包括第1半导体芯片(11)及被设置为从其侧面向外扩展的扩展部(21)；和第2半导体芯片(12)，其经由多个凸起(14)而与扩展型半导体芯片连接，并且与第1半导体芯片(11)电连接。第1半导体芯片(11)比第2半导体芯片(12)小。在扩展部(21)设置有至少1个外部端子。

公开(公告)号：CN103035618B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210032013.8

申请日：2012-02-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种工件，包括：第一含铜柱，该第一含铜柱具有顶面和侧壁；第一保护层，该第一保护层位于第一含铜柱的侧壁上而不位于第一含铜柱的顶面上方；测试焊盘，该测试焊盘包括第二含铜柱，该第二含铜柱具有顶面和侧壁，该测试焊盘电连接至第一含铜柱；以及第二保护层，该第二保护层被设置在第二含铜柱的侧壁上，而不设置在第二含铜柱的顶面上方，第一保护层和第二保护层包含铜和聚合物的化合物，并且是介电层。本发明还提供了用于3DIC测试的结构设计。

公开(公告)号：CN102881666B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210295014.1

申请日：2012-08-17

Applicant: 香港应用科技研究院有限公司

Inventor： 徐逸杰 ,  杨丹 ,  罗佩璁

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L27/146 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/16108 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16157 ,  H01L2224/16168 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92222 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/19 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种晶圆级封装的半导体器件，整个封装器件形成后才分离成单个器件。该半导体器件封装包括半导体芯片，有一个或多个焊盘与该芯片连接，还有一保护层连接在该半导体芯片之上。至少在半导体芯片的侧边缘和底表面上有一隔离层。有互连金属化凸点靠近该半导体芯片的一个或多个侧边缘，并电连接到至少一个焊盘上。一个小型化的图像传感器可以和数字信号处理器和存储器芯片以及透镜和保护盖垂直集成在一起。

公开(公告)号：CN104603640A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201480001837.6

申请日：2014-09-04

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： N·J·A·范费恩 ,  R·戈申 ,  D·约格夫 ,  A·利夫内

IPC: G01T1/24

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L24/09 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/042 ,  H01L25/043 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/14663 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/091 ,  H01L2224/09165 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/16506 ,  H01L2224/171 ,  H01L2224/81047 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明总体上涉及一种辐射探测器元件，其中，光电二极管通过至少一个包括两个熔合的焊球的连接被横向地固定到探测器元件基板，其中，所述两个熔合的焊球中的第一个接触所述光电二极管，并且所述两个熔合的焊球中的第二个接触所述探测器元件基板。本发明还涉及一种横向地附接两个基板，具体为构造上述辐射探测器元件的方法。本发明还涉及包括至少一个辐射探测器元件的成像系统。