-
公开(公告)号：CN106033752B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510120701.3
申请日：2015-03-19
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L24/16 , H01L21/486 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/08238 , H01L2224/10175 , H01L2224/11436 , H01L2224/11462 , H01L2224/1161 , H01L2224/13008 , H01L2224/13021 , H01L2224/13026 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13647 , H01L2224/16012 , H01L2224/16013 , H01L2224/16014 , H01L2224/16105 , H01L2224/16108 , H01L2224/16235 , H01L2224/16503 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81193 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/3841 , H05K3/007 , H05K3/205 , H05K3/4682 , H05K2201/09509 , H05K2201/10378 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种半导体封装结构，其包含半导体衬底、半导体芯片及导电材料。所述半导体衬底包含绝缘层、导电电路层及导电凸块。所述导电电路层从所述绝缘层的顶表面凹入，且包含至少一个衬垫。所述导电凸块安置在所述至少一个衬垫上。所述导电凸块的侧表面、所述至少一个衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面一起界定容置空间。所述导电材料电连接所述导电凸块与所述半导体芯片，且所述导电材料的一部分安置在所述容置空间中。
-
公开(公告)号：CN104377184B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410394689.0
申请日：2014-08-12
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L29/0657 , H01L2224/02371 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/06164 , H01L2224/16013 , H01L2224/16105 , H01L2224/24226 , H01L2224/48227 , H01L2224/811 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/13091 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/03
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，包括：一半导体基底，具有一第一表面及与第一表面相对的一第二表面；一介电层，位于半导体基底的第一表面上，其中介电层包括一开口，开口露出一导电垫；一侧边凹陷，至少位于半导体基底的一第一侧边，且由第一表面朝第二表面延伸；一上凹陷，至少位于导电垫外侧的介电层的一侧边；一导线，电性连接导电垫，且延伸至上凹陷及侧边凹陷。本发明不仅能够有效降低晶片封装体的整体尺寸，还可增加晶片封装体的输出信号的布局弹性。
-
公开(公告)号：CN103493191B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201280020504.9
申请日：2012-04-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/4853 , H01L23/3142 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/4985 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05553 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/11312 , H01L2224/11318 , H01L2224/1134 , H01L2224/1146 , H01L2224/11505 , H01L2224/11515 , H01L2224/13017 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1411 , H01L2224/16052 , H01L2224/16058 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/1703 , H01L2224/17104 , H01L2224/17107 , H01L2224/73204 , H01L2224/8112 , H01L2224/8114 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81203 , H01L2224/81439 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/3025 , H01L2924/3841 , H05K1/181 , H05K3/341 , H05K3/3457 , H05K13/0465 , H05K2203/0278 , Y02P70/613 , H01L2224/13012 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种电子元器件的多个外部端子与基板的表面电极的接合部不会与电子元器件的侧面发生接触的电子元器件模块的制造方法以及由该制造方法所制造出的电子元器件模块。多个凸点（6）由厚度较厚的部分即厚壁部和厚度较薄的部分即薄壁部所构成，在俯视电子元器件时，厚壁部位于相应的各个外部端子（2）的电子元器件的中央侧，薄壁部位于相应的各个外部端子（2）的与电子元器件的中央侧相反的一侧，以此方式在基板的一个面上分别形成厚壁部和薄壁部。使所形成的多个凸点（6）发生变形后与多个外部端子（2）接合而成的多个接合部（7）形成为，与俯视电子元器件时的电子元器件的中央侧的高度相比，与电子元器件的中央侧相反的一侧的高度较低。
-
公开(公告)号：CN104380460B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201380030921.6
申请日：2013-07-05
Applicant: 先端光子公司
IPC: H01L23/13 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L25/03 , H01L25/065
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/561 , H01L23/13 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/49805 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/03 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/03334 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05669 , H01L2224/06155 , H01L2224/13144 , H01L2224/16105 , H01L2224/16108 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1714 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48157 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48496 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48666 , H01L2224/48669 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48764 , H01L2224/48766 , H01L2224/48769 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/48866 , H01L2224/48869 , H01L2224/48997 , H01L2224/4911 , H01L2224/49175 , H01L2224/73207 , H01L2224/73265 , H01L2224/81193 , H01L2224/85395 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2224/85466 , H01L2224/8592 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06551 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15159 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/03 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/48455 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明提供一种能容易与主基板上的IC连接的、具备半导体元件(104)的基台(100)。本发明的一个实施方式的基台(100)包括基板(101)、电极(102)、(103)、半导体元件(104)、Au引线(105)和金凸起(106)、(107)。电极(102)、(103)、半导体元件(104)、Au引线(105)和金凸起(106)、(107)由树脂(108)在基板(101)上密封。在电极(103)上并且在Au引线(105)上利用球焊形成金凸起(107)后，对其利用划片加以切断而露出侧面。露出了的面作为基台(100)的侧面电极发挥作用。
-
公开(公告)号：CN106373937A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610584881.5
申请日：2016-07-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L23/5386 , H01L22/32 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/0401 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/14132 , H01L2224/14133 , H01L2224/14142 , H01L2224/14143 , H01L2224/16057 , H01L2224/16105 , H01L2224/16106 , H01L2224/17051 , H01L2224/171 , H01L2224/17106 , H01L2225/06513 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L23/49811 , H01L23/49838
Abstract: 一种半导体芯片包括具有有源器件区的半导体本体、一个或更多个金属化层以及多个接触端子，所述一个或更多个金属化层与所述半导体本体绝缘开并且被配置成将接地、电源以及信号中的一个或更多个载送至所述有源器件区，所述多个接触端子形成在所述金属化层中的最外一层内或设置在所述金属化层中的最外一层上并且被配置成提供至所述半导体芯片的外部电路径。为所述半导体芯片限定相邻接触端子之间的最小距离。一组或更多组相邻接触端子具有电通用性或功能通用性以及小于所限定的最小距离的间距。单个共享焊点能够将所述半导体芯片的两个或更多个接触端子连接至诸如电路板、内插器或另一个半导体芯片的衬底的一个或更多个接触端子。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104916552A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410453506.8
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 小牟田直幸
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49844 , H01L23/5384 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/1403 , H01L2224/14152 , H01L2224/14155 , H01L2224/14181 , H01L2224/14505 , H01L2224/16105 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/1713 , H01L2224/17181 , H01L2224/17517 , H01L2224/2731 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/2919 , H01L2224/30155 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81815 , H01L2224/8188 , H01L2224/81905 , H01L2224/81986 , H01L2224/83192 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2224/92242 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83
Abstract: 本发明提供一种可防止在焊锡接合部产生龟裂的半导体装置的制造方法及半导体装置。将第1-第2电极焊垫位置对准而将包含第1贯通通道及接合在所述第1贯通通道的第2电极焊垫的第2半导体芯片搭载在包含第1电极焊垫的第1半导体芯片。将第2-第3电极焊垫位置对准而将第3半导体芯片搭载在第2半导体芯片，该第3半导体芯片包含第2贯通通道、在一面接合在所述第2贯通通道的第3电极焊垫、在另一面以接合在所述第2贯通通道的方式隔着保护膜而形成的配线及以接合在所述配线的方式形成的第4电极焊垫。将第1～第3电极焊垫接合，将树脂填充至包含第1～第3半导体芯片的积层体的间隙。将基板上的焊锡凸块与各积层体的第4电极焊垫位置对准而接合，并且利用黏接材固定多个积层体。最后，利用塑模树脂将积层体及基板的一面密封后将多个积层体单片化。
-
公开(公告)号：CN104752401A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410858222.7
申请日：2014-11-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , H05K1/18
CPC classification number: H01L23/4985 , H01L23/49811 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/131 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16105 , H01L2224/16111 , H01L2224/16237 , H01L2224/75251 , H01L2224/75253 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81201 , H01L2224/8121 , H01L2224/8123 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/83204 , H01L2224/83851 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H05K1/113 , H05K1/116 , H05K3/3436 , H05K3/3494 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 本公开内容总体上涉及包括衬底和电子部件的系统和方法。所述衬底包括包含孔的电路板、布线层和至少部分地设置在所述孔内的第一互连件部分。所述电子部件包括耦合到所述第一互连件部分的第二互连件部分，以在所述电子部件与所述布线层之间形成互连件。
-
公开(公告)号：CN104377184A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410394689.0
申请日：2014-08-12
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L29/0657 , H01L2224/02371 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/06164 , H01L2224/16013 , H01L2224/16105 , H01L2224/24226 , H01L2224/48227 , H01L2224/811 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/13091 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/03
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，包括：一半导体基底，具有一第一表面及与第一表面相对的一第二表面；一介电层，位于半导体基底的第一表面上，其中介电层包括一开口，开口露出一导电垫；一侧边凹陷，至少位于半导体基底的一第一侧边，且由第一表面朝第二表面延伸；一上凹陷，至少位于导电垫外侧的介电层的一侧边；一导线，电性连接导电垫，且延伸至上凹陷及侧边凹陷。本发明不仅能够有效降低晶片封装体的整体尺寸，还可增加晶片封装体的输出信号的布局弹性。
-
公开(公告)号：CN103178039A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310036168.3
申请日：2013-01-30
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L2224/13 , H01L2224/1302 , H01L2224/16 , H01L2224/16105 , H01L2224/16237 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81345 , H01L2924/00012
Abstract: 半导体封装及其制造方法。半导体封装包括一基板、一第一导电凸起物、一晶粒、一导电垫与一焊料。基板具有一基板表面。第一导电凸起物位在基板上并凸出基板表面。第一导电凸起物具有一下导电部分与一上导电部分。下导电部分具有一上表面。上导电部分凸出于下导电部分的上表面。上导电部分具有一梯形表面或倾斜表面邻接下导电部分的上表面。晶粒具有一晶粒表面。导电垫位在晶粒上。晶粒表面垂直于基板表面。第一导电凸起物通过焊料与导电垫物理连结及电性连结。
-
公开(公告)号：CN1775656B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200510062852.4
申请日：2005-03-31
Applicant: 朗迅科技公司
Inventor： 纳戈什·R.·巴萨万哈利 , 雷蒙德·A.·司瑞利 , 奥玛·D.·络皮兹
IPC: B82B1/00
CPC classification number: H01L24/12 , B81B7/0006 , B82Y10/00 , H01L24/16 , H01L24/90 , H01L2224/13078 , H01L2224/13099 , H01L2224/1319 , H01L2224/16105 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81345 , H01L2224/81385 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01055 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及高密度纳米结构互连。具体地，公开了用于形成导电和/或导热互连的方法和设备，其中，使第一表面和第二表面通过设置在所述表面中的至少一个上的多个纳米结构相互接触。在一个实施例中，纳米结构的第一组区域被设置在电子封装的部件例如微处理器上。然后使所述第一组区域与衬底上的纳米结构的对应的第二组区域接触，从而产生强的摩擦接合。在另一个说明性的实施例中，在部件比如微处理器上设置多个纳米结构，然后使纳米结构与衬底接触。纳米结构的分子和衬底的分子之间的吸引力产生分子间作用力，从而在纳米结构和衬底之间形成接合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
94
records
(took 0.02 seconds)
