公开(公告)号：CN105308732A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480036296.0

申请日：2014-06-05

申请人： 皇家飞利浦有限公司

发明人： J.雷 ,  S.希亚菲诺 ,  A.H.尼克尔 ,  M.G.吴 ,  S.阿克拉姆

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/11 ,  B23K1/20 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11826 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种用于使芯片（40）上的焊料凸块的顶表面处于相同平面中以确保芯片（40）与衬底（62）之间的更可靠的键合的技术。芯片（40）提供有可以具有不同高度的焊接垫（42,44）。电介质层（50）形成在焊接垫（42,44）之间。相对厚的金属层（52）电镀在焊接垫（42,44）之上。对金属层（52）平面化以使焊接垫（42,44）之上的金属层（52）部分的顶表面处于相同平面中并且处于电介质层（50）上方。基本上均匀薄的焊料层（58）沉积在平面化的金属层部分（52）之上使得焊料凸块的顶表面基本上处于相同平面中，该平面可以基本上平行于芯片（40）的顶表面或者在相对于芯片（40）的顶表面的角度处。芯片（40）然后定位在具有对应金属垫（64）的衬底（62）之上，并且使焊料（58）回流或超声键合到衬底垫（64）。

公开(公告)号：CN104916552A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410453506.8

申请日：2014-09-05

申请人： 株式会社东芝

发明人： 小牟田直幸

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14152 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/30155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8188 ,  H01L2224/81905 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83

摘要： 本发明提供一种可防止在焊锡接合部产生龟裂的半导体装置的制造方法及半导体装置。将第1-第2电极焊垫位置对准而将包含第1贯通通道及接合在所述第1贯通通道的第2电极焊垫的第2半导体芯片搭载在包含第1电极焊垫的第1半导体芯片。将第2-第3电极焊垫位置对准而将第3半导体芯片搭载在第2半导体芯片，该第3半导体芯片包含第2贯通通道、在一面接合在所述第2贯通通道的第3电极焊垫、在另一面以接合在所述第2贯通通道的方式隔着保护膜而形成的配线及以接合在所述配线的方式形成的第4电极焊垫。将第1～第3电极焊垫接合，将树脂填充至包含第1～第3半导体芯片的积层体的间隙。将基板上的焊锡凸块与各积层体的第4电极焊垫位置对准而接合，并且利用黏接材固定多个积层体。最后，利用塑模树脂将积层体及基板的一面密封后将多个积层体单片化。

公开(公告)号：CN102484100B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201080041417.2

申请日：2010-09-03

申请人： EV集团E·索尔纳有限责任公司

发明人： M.温普林格

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80205 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80815 ,  H01L2224/8082 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 用于将多个芯片（3）接合到在前侧包含芯片（3’）的基础晶片（1）上的方法，其中在基础晶片（1）的背侧以至少一个层堆叠芯片（3），并且在垂直相邻的芯片（3， 3’）之间建立导电连接（7），所述方法具有以下的步骤：a）将基础晶片（1）的前侧（2）固定在载体(5)上，b）将至少一层芯片（3）放置在基础晶片（1）的背侧（6）上的定义位置中，和c）在与载体(5)固定的基础晶片（1）上热处理芯片（3， 3’），其特征在于，在步骤c）之前，将基础晶片（1）的芯片（3’）至少部分地分隔成基础晶片（1）的分离的芯片堆叠片段（1c）。

公开(公告)号：CN104584214A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380046406.7

申请日：2013-08-12

申请人： 皇家飞利浦有限公司

发明人： 邹泉波 ,  S.阿克拉姆 ,  J.C.布哈特 ,  M.N.特里伊尤 ,  R.布兰克

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/76894 ,  H01L21/78 ,  H01L24/83 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

摘要： 在一个实施例中，半导体器件晶片（10）包含电气组件并且具有在器件晶片（10）的第一侧上的电极（28）。通过使用键合材料（32）（例如聚合物或金属）将透明载体晶片（30）键合到器件晶片（10）的第一侧。然后，在载体晶片（30）为器件晶片（10）提供机械支撑的同时，处理（诸如减薄）器件晶片（10）的第二侧。然后通过使激光束（46）穿过载体晶片（30）来将载体晶片（30）从器件晶片（10）去键合，载体晶片（30）对光束的波长基本上透明。光束撞击在键合材料（32）上，键合材料（32）吸收光束的能量，以使键合材料（32）与载体晶片（30）之间的化学键合断裂。然后从器件晶片（10）移除所释放的载体晶片（30），并且从器件晶片（10）清除残余键合材料。

公开(公告)号：CN104112707A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410313880.8

申请日：2014-07-03

申请人： 上海交通大学

发明人： 胡安民 ,  李明 ,  胡丰田 ,  王浩哲

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81345

摘要： 本发明公开了一种基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法，包括步骤为：选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件，两两形成一待键合偶；在待键合偶的其中一侧的焊盘上形成镍微针锥；在待键合偶的另一侧的焊盘上形成铜微针锥；将待键合偶的一侧元件吸附在键合装置压头表面；将所述待键合偶的两侧焊盘对准，使所述镍微针锥与所述铜微针锥匹配接触，向所述待键合偶一侧施加键合压力和超声振动并保持一定时间，使得所述镍微针锥与所述铜微针锥互连键合。本发明的工艺过程简单，无需加热及助焊剂，可避免热损伤，提高产品可靠性；微针锥结构缩短了超声键合的时间，提高了互连的有效性和键合密度。

公开(公告)号：CN103400823A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310324237.0

申请日：2013-07-30

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 陆建刚 ,  陆原 ,  黄卫东

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1076 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种包含铜柱的细间距叠层封装结构，包括下封装体和上封装体。下封装体包括下基板，第一芯片安装在下基板上表面的芯片封装区并与下基板电连接；在下基板上表面的焊接区制作有铜柱，在铜柱上植有第一焊球；第一焊球和下基板的上表面被封装材料预封装，第一焊球的顶部露出下基板上表面的封装材料；上封装体包括上基板，第二芯片安装在上基板的上表面并与上基板电连接；所述上基板下表面的焊接区植有第二焊球。上基板和下基板通过第二焊球与第一焊球的对接形成互连。本发明采用了铜柱可减小焊球的球径，从而达到细间距封装的目的。本发明采用的焊线方式制作铜柱，省略了电镀工艺的复杂工艺，具有制作简单、成本低等优点。

公开(公告)号：CN102822955A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180004736.0

申请日：2011-10-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 小盐哲平 ,  松森正史 ,  境忠彦 ,  石川隆稔

IPC分类号： H01L21/607 ,  H01L21/60 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/75 ,  H01L24/97 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/758 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81026 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 在作为至少包含铜在内的金属间的超声波接合来进行第一电极和第二电极之间的金属接合时，在由接合辅助剂覆盖第一电极和第二电极之间的接触界面的状态下，进行超声波接合，由此，能够抑制伴随超声波接合的实施而在第一电极和第二电极的接合界面形成氧化膜，所以能够在确保所要求的接合强度的同时，实现对第一电极或第二电极使用了铜的超声波接合，能够实现半导体元件的安装中的成本削减。

公开(公告)号：CN101978484B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200980110178.9

申请日：2009-04-06

申请人： 阿德威尔斯股份有限公司

发明人： 中居诚也

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/607

CPC分类号： H01L24/81 ,  B06B3/00 ,  B23K20/106 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67144 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75355 ,  H01L2224/75801 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种谐振器的支承装置，其能够在任意的位置支承谐振器，使谐振器以规定的振动频率稳定振动，从而向对象物有效地施加超声波振动，为了提供这种谐振器的支承装置，在谐振器(7)的第一被支承部及第二被支承部分别插入至少利用支承部件形成的与上述被支承部分别接触的部分的第一夹紧机构(21)及第二夹紧机构(22)，从而支承谐振器(7)，且所述支承部件的材质使用对数衰减率大于0.01且小于1的材质、或者声速大于5900m/s的材质。

公开(公告)号：CN101479846B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200780023981.X

申请日：2007-06-20

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： W·苏多尔 ,  M·威尔逊

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/607

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83851

摘要： 一种位于第一电气部件与第二电气部件(250，260)之间的倒装电耦合件。该耦合件包括凸点(210)和焊盘(220)。该凸点(210)电耦合到第一电气部件(250)。该焊盘(220)电耦合到第二电气部件(260)。该焊盘(220)电耦合到该凸点(210)的对应耦合表面(214)并且该焊盘(220)的尺寸小于该凸点(210)的对应耦合表面(214)。可以利用超声波柱形凸点键合工艺、导电环氧树脂等将焊盘(220)和凸点(210)电耦合到一起。

公开(公告)号：CN102187458A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141580.3

申请日：2009-08-19

申请人： 美光科技公司

发明人： 欧文·R·费伊 ,  沃伦·M·法恩沃思 ,  戴维·R·亨布里

IPC分类号： H01L25/065

CPC分类号： H01L23/5384 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/1162 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11826 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13075 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83141 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明揭示包含用于穿硅通孔的穿透结构的堆叠式裸片互连结构以及相关联的系统及方法。根据特定实施例，一种系统包含具有第一衬底材料的第一半导体衬底及由所述第一半导体衬底承载的穿透结构。所述系统进一步包含具有带有预形成的凹部的第二衬底材料的第二半导体衬底。所述第一半导体衬底的所述穿透结构接纳于所述第二半导体衬底的所述凹部中且与所述凹部机械啮合并紧固到所述第二半导体衬底。