公开(公告)号：CN108140628A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058117.2

申请日：2016-10-07

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 胁山悟 ,  清水完 ,  林利彦 ,  中村卓矢 ,  城直树

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及摄像装置，所述摄像装置包括第一半导体元件，所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘。所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层。所述摄像装置包括第二半导体元件，所述第二半导体元件包括至少一个电极。所述摄像装置包括微凸块，所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极。所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部，并且所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。

公开(公告)号：CN102484100A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080041417.2

申请日：2010-09-03

申请人： EV集团E·索尔纳有限责任公司

发明人： M.温普林格

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80205 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80815 ,  H01L2224/8082 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 用于将多个芯片（3）接合到在前侧包含芯片（3’）的基础晶片（1）上的方法，其中在基础晶片（1）的背侧以至少一个层堆叠芯片（3），并且在垂直相邻的芯片（3，3’）之间建立导电连接（7），所述方法具有以下的步骤：a）将基础晶片（1）的前侧（2）固定在载体(5)上，b）将至少一层芯片（3）放置在基础晶片（1）的背侧（6）上的定义位置中，和c）在与载体(5)固定的基础晶片（1）上热处理芯片（3，3’），其特征在于，在步骤c）之前，将基础晶片（1）的芯片（3’）至少部分地分隔成基础晶片（1）的分离的芯片堆叠片段（1c）。

公开(公告)号：CN107210240B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201680007974.X

申请日：2016-02-01

申请人： 伊文萨思公司

发明人： R·坎卡尔 ,  C·E·尤佐 ,  A·R·西塔拉姆

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/768 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/528 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1379 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/81905 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/364 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2064

摘要： 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。

公开(公告)号：CN103354210B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310263865.2

申请日：2013-06-27

申请人： 清华大学

发明人： 蔡坚 ,  刘子玉 ,  王谦 ,  王水弟 ,  胡杨 ,  陈瑜

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/1705 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81355 ,  H01L2224/81359 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81897 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/81906 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/81

摘要： 本发明针对现有键合方法都存在温度高、压力大且表面改性成本高等问题，提供一种键合方法及采用该键合方法形成的键合结构，其能够克服这些缺陷且能够在常温低压下进行晶圆级键合，该键合方法包括：生成能够相互嵌套的键合结构，其中所述能够相互嵌套的键合结构之间的摩擦热大于它们之间的键合能；以及利用所述能够相互嵌套的键合结构之间的摩擦热来键合所述能够相互嵌套的键合结构。

公开(公告)号：CN103109349B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201080069192.1

申请日：2010-10-13

申请人： 德塞拉股份有限公司

发明人： 瓦格·奥甘赛安 ,  贝勒卡西姆·哈巴 ,  伊利亚斯·默罕默德 ,  克雷格·米切尔 ,  皮尤什·萨瓦利亚

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/06166 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81

摘要： 微电子单元（140B、184B）包括微电子元件，例如具有单晶形式的半导体区域的集成电路芯片（102）。半导体区域具有以第一方向延伸的正面、邻近正面的有源电路元件（124）、远离正面（112）的背面（114）、及向背面延伸的导电通路（120）。导电通路可通过无机介电层（122）与半导体区域绝缘。开口（154）可从背面延伸，穿过半导体区域的部分厚度，沿第一方向，开口和导电通路具有各自的宽度（156、158）。在开口与导电通路相交处，开口的宽度（156）可比导电通路的宽度（158）更大。后触点（168）可与导电通路（120）电连接，并在背面（114）暴露，用于与如另一类似微电子单元（140A）、微电子封装或电路板等外部电路元件电连接。

公开(公告)号：CN101379892A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200880000126.1

申请日：2008-09-08

申请人： 香港应用科技研究院有限公司

发明人： 史训清 ,  马薇 ,  谢斌 ,  仲镇华

IPC分类号： H05K1/00

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： 本发明描述了一种制作硅通孔结构的方法，利用脉冲激光能量，该硅通孔结构可以用来在两个堆叠半导体元件之间形成一个互连。具体地，在每个半导体元件上形成至少一个硅通孔，而每个硅通孔都填充满一个由第一种金属形成的金属栓。然后，一个半导体元件被叠加在另一个半导体元件上，使得硅通孔对齐，并且施加脉冲激光能量到硅通孔，从而在两个金属栓之间形成一个键合。

公开(公告)号：CN1942281A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011996.5

申请日：2005-04-06

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 笹冈达雄 ,  堀江聪 ,  青仓勇 ,  八木能彦 ,  深田和岐

IPC分类号： B23K20/24 ,  H01L21/60 ,  H05K3/32

CPC分类号： B23K1/203 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/749 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/81009 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81012 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H05K3/328 ,  H05K3/3489 ,  H05K3/383 ,  H05K2201/0373 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0307 ,  Y10S438/974 ,  Y10T156/1023 ,  Y10T156/14 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明实现一种接合方法及其装置，在利用初始清洗工序(S1)将被接合物(1b、2a)的表面进行清洗、除去氧化物及吸附物等妨碍接合物质(G)之后，利用表面粗糙度控制工序(S3)在一方的接合面(1b)上形成规定粗糙度的凹凸，并利用表面处理工序(S5)除去附着在接合面(1b、2a)上的再吸附物(F)，将形成了凹凸的接合面(1b)与另一方的接合面(2a)压紧，进行接合，通过这样能够在大气压条件下进行常温金属接合。

公开(公告)号：CN107210240A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680007974.X

申请日：2016-02-01

申请人： 伊文萨思公司

发明人： R·坎卡尔 ,  C·E·尤佐 ,  A·R·西塔拉姆

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/768 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/528 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1379 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/81905 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/364 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2064

摘要： 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。

公开(公告)号：CN102760664B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210133547.X

申请日：2012-04-28

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 邢智蛘 ,  乌尔里希·克鲁姆贝因 ,  斯特凡·马滕斯 ,  王佩利 ,  郭健彬 ,  施明计 ,  陈敬伟 ,  霍斯特·托伊斯

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。一实施方式包括在裸片上形成凸块，该凸块具有顶部阻焊层，通过在支撑衬底的接触垫上直接按压顶部阻焊层使该顶部阻焊层熔化，以及在裸片和支撑衬底之间形成触点。

公开(公告)号：CN103109349A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201080069192.1

申请日：2010-10-13

申请人： 德塞拉股份有限公司

发明人： 瓦格·奥甘赛安 ,  贝勒卡西姆·哈巴 ,  伊利亚斯·默罕默德 ,  克雷格·米切尔 ,  皮尤什·萨瓦利亚

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/06166 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81

摘要： 微电子单元包括微电子元件，例如具有单晶形式的半导体区域的集成电路芯片。半导体区域具有以第一方向延伸的正面、邻近正面的有源电路元件、远离正面的背面、及向背面延伸的导电通路。导电通路可通过无机介电层与半导体区域绝缘。开口可从背面延伸，穿过半导体区域的部分厚度，沿第一方向，开口和导电通路具有各自的宽度。在开口与导电通路相交处，开口的宽度可比导电通路的宽度更大。后触点可与导电通路电连接，并在背面暴露，用于与如另一类似微电子单元、微电子封装或电路板等外部电路元件电连接。