公开(公告)号：CN109390237A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810903525.4

申请日：2018-08-09

申请人： 商升特公司

发明人： H.D.巴坦

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49565 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/49534 ,  H01L23/49582

摘要： 通过对导电材料的片材进行化学半蚀刻来形成引线框架。半蚀刻暴露该引线框架的第一接触件的第一侧表面。在该第一接触件的该第一侧表面上镀覆焊料可润湿层。在镀覆焊料可润湿层之后，在该引线框架上沉积包封剂。

公开(公告)号：CN103887187B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201410061904.5

申请日：2014-02-24

申请人： 通富微电子股份有限公司

发明人： 夏鑫 ,  丁万春 ,  高国华

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体芯片，在芯片的焊盘上依次形成耐热金属层和金属浸润层，在金属浸润层上依次形成附着层和阻挡层，在阻挡层上形成焊料后回流，形成柱状凸点；提供引线框架，将形成有柱状凸点的芯片倒装于引线框架上，所述柱状凸点与引线框架的内引脚电连接；形成密封所述芯片、柱状凸点和引线框架，并裸露出所述外引脚的塑封层。本发明使得封装结构占据的横向的面积减小，整个封装结构的体积相应减小，提高了封装结构的集成度。

公开(公告)号：CN105575830B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201510712706.5

申请日：2015-10-28

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 门口卓矢 ,  柳本博 ,  平冈基记

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/16 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16502 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：将包含至少锡的焊料材料布置在半导体元件和设置有镍层和铜层的接合构件之间，使得焊料材料接触铜层，镍层设置在接合构件的表面上，并且铜层设置在镍层的表面的至少一部分上；以及使用铜层和焊料材料中的锡来熔化以及凝固焊料材料以在镍层的表面上形成Cu6Sn5。本发明还提供一种半导体装置。

公开(公告)号：CN104661164B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201410669017.6

申请日：2014-11-20

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C·Y·黄

IPC分类号： H04R19/04

CPC分类号： H04R19/005 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00238 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H04R19/04 ,  H04R2499/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明的各个实施例涉及一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。一种半导体器件包括在第一半导体裸片上实现的麦克风模块和在第二半导体裸片上实现的信号处理模块。麦克风模块包括布置在第一半导体裸片的主侧的可移动麦克风元件，并且第二半导体裸片安装在第一半导体裸片的主侧。

公开(公告)号：CN104465586B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201410828528.8

申请日：2014-12-26

申请人： 江苏长电科技股份有限公司

发明人： 梁志忠 ,  王亚琴

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种圆片级封装结构及其工艺方法，所述结构包括基板（1），所述基板（1）正面倒装有芯片（2），所述芯片（2）正面设置有金属凸点（3），所述金属凸点（3）与基板（1）之间通过锡球（4）相连接，所述芯片（2）正面与基板（1）之间设置有底部填充胶（5），所述芯片（2）背面包封有塑封料（6），所述基板（1）背面电镀有金属层（7）。本发明一种圆片级封装结构及其工艺方法，圆片上的图面设计与引线框的图面完全对应，实现整片圆片倒装于引线框，再进行圆片的切割分离以及封装，实现单颗芯片尺寸等同于引线框单颗Unit的晶圆级封装。

公开(公告)号：CN105074906B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201480019057.4

申请日：2014-03-18

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 丰田英志 ,  清水祐作 ,  千岁裕之

IPC分类号： H01L23/29 ,  C08J5/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/08 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/295 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/16 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H03H9/10 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供即使中空结构的空隙的宽度为100μm左右也能够维持中空结构、而且能够防止封装体翘曲而制作可靠性高的中空封装体的中空密封用树脂片及中空封装体的制造方法。本发明的中空密封用树脂片以70体积％以上且90体积％以下的含量含有无机填充剂，通过动态粘弹性测定得到的60～130℃下的最低熔融粘度为2000Pa·s以上且20000Pa·s以下，在150℃热固化1小时之后的20℃下的储能模量为1GPa以上且20GPa以下，在150℃热固化1小时之后的玻璃化转变温度以下的线膨胀系数为5ppm/K以上且15ppm/K以下。

公开(公告)号：CN108140630A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680061534.2

申请日：2016-12-30

申请人： 德州仪器公司

发明人： A·M·卡斯特罗 ,  史蒂文·库默尔

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 在所描述实例中，一种集成电路IC芯片(50)可包含具有导电耦合到引线框(56)的互连件的裸片(58)，其中所述引线框(56)形成所述IC芯片(50)的给定表面的部分。所述IC芯片(50)还可包含模制在所述裸片(58)及所述引线框(56)上的囊封材料(57)。所述囊封材料(57)可形成所述IC芯片(50)的另一表面。所述IC芯片(50)的所述另一表面与所述IC芯片的所述给定表面相对。所述IC芯片(50)可进一步包含沿基本上垂直于所述IC芯片(50)的所述给定表面的方向延伸穿过所述囊封材料(57)的垂直导线(54)，且所述垂直导线(54)突出穿过所述IC芯片(50)的所述另一表面以形成用于所述IC芯片(50)的垂直连接器(52)。所述垂直连接器(52)可耦合到所述裸片(58)上的所述互连件。

公开(公告)号：CN108075021A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711091194.0

申请日：2017-11-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金廷城 ,  郭重熙 ,  梁成锡

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014 ,  H01L33/48 ,  H01L33/382 ,  H01L33/60

摘要： 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括按次序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二半导体层上的第一绝缘层，其包括具有第一宽度的多个第一开口和具有与第一宽度不同的第二宽度的多个第二开口；第一电极，其通过第一开口电连接至第一半导体层；第二半导体层与第一绝缘层之间的第一子电极层，第一子电极层通过第二开口暴露出来；以及第一绝缘层上的第二子电极层，所述第二子电极层通过第二开口连接至第一子电极层，其中，彼此最为靠近的第一开口之间的第一距离不同于彼此最为靠近的第二开口之间的第二距离。

公开(公告)号：CN104956782B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201480003922.6

申请日：2014-01-09

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： L·H·M@E·李 ,  A·F·B·A·阿齐兹 ,  S·G·G·林 ,  N·S·长

IPC分类号： H05K3/36

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08245 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/80904 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/08 ,  H01L2924/00

摘要： 一种集成电路装置，包括基本上定位在第一平面中的大致平坦管芯附接焊盘(DAP)130；和基本上定位在第二平面中的大致平坦引线条160，其中，第二平面在第一平面上方且平行于第一平面，并且大致平坦引线条160具有至少一个向下且向外延伸的引线条引线162从其突出并基本上终止在第一平面中；具有多个大致平坦触点焊盘30和多个引线50的顶部引线框12，其中，触点焊盘30基本上定位在位于第二平面上方且平行于第二平面的第三平面中，引线50具有连接到触点焊盘30的近端部分60并具有基本上终止在第一平面中、向下且向外延伸的远端部分62；连接到顶部引线框12和DAP 130的IC管芯72；以及封装DAP 130、引线条162、顶部引线框12和IC管芯72的至少部分的封装材料200。

公开(公告)号：CN104934398B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201510119964.2

申请日：2015-03-18

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·奥特雷姆巴 ,  K·希斯 ,  李德森

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49503 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 在实施例中，一种电子部件包括：具有第一表面的半导体裸片，该第一表面包括第一电流电极和控制电极。该电子部件进一步包括具有第一表面的裸片焊盘，多个引线以及被耦合至多个引线中的第一引线的鸥翼形传导元件。第一电流电极被安装在裸片焊盘上，并且鸥翼形传导元件被耦合在控制电极和第一引线之间。