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公开(公告)号：CN104956782A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201480003922.6
申请日：2014-01-09
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
发明人： L·H·M@E·李 , A·F·B·A·阿齐兹 , S·G·G·林 , N·S·长
IPC分类号： H05K3/36
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L21/82 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/08245 , H01L2224/131 , H01L2224/16245 , H01L2224/73251 , H01L2224/80904 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/92222 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/80 , H01L2224/16 , H01L2224/08 , H01L2924/00
摘要： 一种集成电路装置，包括基本上定位在第一平面中的大致平坦管芯附接焊盘(DAP)130；和基本上定位在第二平面中的大致平坦引线条160，其中，第二平面在第一平面上方且平行于第一平面，并且大致平坦引线条160具有至少一个向下且向外延伸的引线条引线162从其突出并基本上终止在第一平面中；具有多个大致平坦触点焊盘30和多个引线50的顶部引线框12，其中，触点焊盘30基本上定位在位于第二平面上方且平行于第二平面的第三平面中，引线50具有连接到触点焊盘30的近端部分60并具有基本上终止在第一平面中、向下且向外延伸的远端部分62；连接到顶部引线框12和DAP 130的IC管芯72；以及封装DAP 130、引线条162、顶部引线框12和IC管芯72的至少部分的封装材料200。
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公开(公告)号：CN104465418B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410818160.7
申请日：2014-12-24
申请人： 通富微电子股份有限公司
发明人： 石磊
CPC分类号： H01L21/561 , H01L21/4821 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/49541 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49861 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/08225 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73251 , H01L2224/80904 , H01L2224/81005 , H01L2224/81801 , H01L2224/83005 , H01L2224/83104 , H01L2224/85005 , H01L2224/85439 , H01L2224/85464 , H01L2224/9202 , H01L2224/9222 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/01046 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2224/08 , H01L2224/48 , H01L2224/80 , H01L2224/85 , H01L21/56 , H01L2924/066
摘要： 本发明提供一种扇出晶圆级封装方法，包括以下工艺步骤：提供载板；在载板上贴上一层可剥离保护膜,并在特定区域形成图形开口；在所述的图形开口中形成金属层；将带有金属层的保护膜从载板上剥离；将芯片安装在所述的在金属层上，并进行打线或植球；对芯片和金属布线进行塑封。本发明的技术方案，工艺简单，封装精度高，成本低，能够适用于高密集的I/O端封装结构中，特别适用于薄型封装工艺中。
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公开(公告)号：CN104956782B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201480003922.6
申请日：2014-01-09
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
发明人： L·H·M@E·李 , A·F·B·A·阿齐兹 , S·G·G·林 , N·S·长
IPC分类号： H05K3/36
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L21/82 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/08245 , H01L2224/131 , H01L2224/16245 , H01L2224/73251 , H01L2224/80904 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/92222 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/80 , H01L2224/16 , H01L2224/08 , H01L2924/00
摘要： 一种集成电路装置，包括基本上定位在第一平面中的大致平坦管芯附接焊盘(DAP)130；和基本上定位在第二平面中的大致平坦引线条160，其中，第二平面在第一平面上方且平行于第一平面，并且大致平坦引线条160具有至少一个向下且向外延伸的引线条引线162从其突出并基本上终止在第一平面中；具有多个大致平坦触点焊盘30和多个引线50的顶部引线框12，其中，触点焊盘30基本上定位在位于第二平面上方且平行于第二平面的第三平面中，引线50具有连接到触点焊盘30的近端部分60并具有基本上终止在第一平面中、向下且向外延伸的远端部分62；连接到顶部引线框12和DAP 130的IC管芯72；以及封装DAP 130、引线条162、顶部引线框12和IC管芯72的至少部分的封装材料200。
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公开(公告)号：CN104576421A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410572473.9
申请日：2014-10-24
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： P.帕尔姆
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/603 , H01L23/482 , H01L25/07 , H01L25/16
CPC分类号： H01L24/89 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/295 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/09 , H01L24/24 , H01L24/31 , H01L24/32 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/05018 , H01L2224/08112 , H01L2224/08137 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/80031 , H01L2224/80488 , H01L2224/80801 , H01L2224/8082 , H01L2224/8085 , H01L2224/80904 , H01L2224/8203 , H01L2224/83005 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/83801 , H01L2224/83825 , H01L2224/83851 , H01L2224/83889 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/141 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/8382
摘要： 半导体器件和用于制造半导体器件的方法。器件包括包含第一面的第一半导体芯片，其中第一接触焊盘被布置在第一面之上。器件还包括包含第一面的第二半导体芯片，其中第一焊盘被布置在第一面之上，其中第一半导体芯片和第二半导体芯片被布置成使得第一半导体芯片的第一面面向第一方向，且第二半导体芯片的第一面面向与第一方向相反的第二方向。第一半导体芯片横向地位于第二半导体芯片的轮廓之外。
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公开(公告)号：CN104576421B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410572473.9
申请日：2014-10-24
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： P.帕尔姆
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/603 , H01L23/482 , H01L25/07 , H01L25/16
CPC分类号： H01L24/89 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/295 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/09 , H01L24/24 , H01L24/31 , H01L24/32 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/05018 , H01L2224/08112 , H01L2224/08137 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/80031 , H01L2224/80488 , H01L2224/80801 , H01L2224/8082 , H01L2224/8085 , H01L2224/80904 , H01L2224/8203 , H01L2224/83005 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/83801 , H01L2224/83825 , H01L2224/83851 , H01L2224/83889 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/141 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 半导体器件和用于制造半导体器件的方法。器件包括包含第一面的第一半导体芯片，其中第一接触焊盘被布置在第一面之上。器件还包括包含第一面的第二半导体芯片，其中第一焊盘被布置在第一面之上，其中第一半导体芯片和第二半导体芯片被布置成使得第一半导体芯片的第一面面向第一方向，且第二半导体芯片的第一面面向与第一方向相反的第二方向。第一半导体芯片横向地位于第二半导体芯片的轮廓之外。
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公开(公告)号：CN104916556A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510101174.1
申请日：2015-03-06
申请人： 株式会社迪思科
发明人： 关家一马
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/6835 , H01L24/08 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/08225 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/27334 , H01L2224/29194 , H01L2224/32225 , H01L2224/80143 , H01L2224/80385 , H01L2224/80904 , H01L2224/80907 , H01L2224/83002 , H01L2224/83143 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/8385 , H01L2224/83907 , H01L2224/9205 , H01L2224/95 , H01L2224/95146 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/80 , H01L2924/00014 , H01L2224/19 , H01L2224/83085
摘要： 本发明提供一种能够以高精度排列芯片的芯片排列方法。芯片排列方法将多个芯片(19)排列于晶片(11)上，构成为包括：槽形成步骤，在晶片的正面(11a)侧形成交叉的多个槽(13)，这多个槽(13)分别划分出芯片载置区域(15)；液体供给步骤，对芯片载置区域供给液体(17)；芯片载置步骤，在实施了液体供给步骤后，将芯片载置于液体上并通过液体的表面张力将芯片定位于芯片载置区域上；以及液体去除步骤，在实施了芯片载置步骤后，去除液体，从而使多个芯片排列于晶片上。
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公开(公告)号：CN104465418A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410818160.7
申请日：2014-12-24
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
发明人： 石磊
CPC分类号： H01L21/561 , H01L21/4821 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/49541 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49861 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/08225 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73251 , H01L2224/80904 , H01L2224/81005 , H01L2224/81801 , H01L2224/83005 , H01L2224/83104 , H01L2224/85005 , H01L2224/85439 , H01L2224/85464 , H01L2224/9202 , H01L2224/9222 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/01046 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2224/08 , H01L2224/48 , H01L2224/80 , H01L2224/85 , H01L21/56 , H01L2924/066 , H01L2224/8319
摘要： 本发明提供一种扇出晶圆级封装方法，包括以下工艺步骤：提供载板；在载板上贴上一层可剥离保护膜，并在特定区域形成图形开口；在所述的图形开口上形成金属层；将带有金属层的保护膜从载板上剥离；将芯片安装在所述的在金属层上，并进行打线或植球；对芯片和金属布线进行塑封。本发明的技术方案，工艺简单，封装精度高，成本低，能够适用于高密集的I/O端封装结构中，特别适用于薄型封装工艺中。
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公开(公告)号：CN102810484A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210172597.9
申请日：2012-05-30
申请人： 拉碧斯半导体株式会社
发明人： 齐藤弘和
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/19 , H01L2224/214 , H01L2224/221 , H01L2224/73267 , H01L2224/80904 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2224/82 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置，提供一种半导体装置的制造方法，抑制搭载半导体芯片的基板的结晶缺陷，并且缩短制造时间。在本实施方式的半导体装置（101）（其制造方法）中，经过如下工序之后，在该状态下在第二绝缘膜（16）上形成布线结构（26）：在基板（例如第一半导体芯片（10））上形成第一绝缘膜（14）的工序，在第一绝缘膜（14）形成开口部（14B）的工序，在第一绝缘膜（14）的开口部内搭载第二半导体芯片（12）的工序，以及跨越在第二半导体芯片（12）上和第一绝缘膜（14）上形成第二绝缘膜（16）的工序。
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