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    基台和密封完毕的半导体元件以及它们的制作方法
    1.
    发明授权
    基台和密封完毕的半导体元件以及它们的制作方法 有权

    公开(公告)号:CN104380460B

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201380030921.6

    申请日:2013-07-05

    申请人: 先端光子公司

    发明人: 宋学良 ,  佐藤望 ,  管野元太 ,  牧野瑶子

    IPC分类号: H01L23/13 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L25/03 ,  H01L25/065

    CPC分类号: H01L24/17 ,  H01L21/561 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16108 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1714 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48496 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/85395 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85466 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/4554

    摘要: 本发明提供一种能容易与主基板上的IC连接的、具备半导体元件(104)的基台(100)。本发明的一个实施方式的基台(100)包括基板(101)、电极(102)、(103)、半导体元件(104)、Au引线(105)和金凸起(106)、(107)。电极(102)、(103)、半导体元件(104)、Au引线(105)和金凸起(106)、(107)由树脂(108)在基板(101)上密封。在电极(103)上并且在Au引线(105)上利用球焊形成金凸起(107)后,对其利用划片加以切断而露出侧面。露出了的面作为基台(100)的侧面电极发挥作用。

    用于获得对印刷电路板和IC基板上的铜线键合的钯表面修饰的方法
    2.
    发明授权
    用于获得对印刷电路板和IC基板上的铜线键合的钯表面修饰的方法 有权

    公开(公告)号:CN103314651B

    公开(公告)日:2016-12-28

    申请号:CN201180062276.7

    申请日:2011-12-16

    申请人: 安美特德国有限公司

    发明人: M·厄茨柯克 ,  G·拉莫斯 ,  A·基利安

    IPC分类号: H05K3/24 ,  H01L23/498

    CPC分类号: H05K13/04 ,  H01B1/02 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05464 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/09 ,  H05K3/244 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/095 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01001

    摘要: 本发明涉及将铜线键合到基板尤其是印刷电路板和IC基板上的方法,所述基板具有包括铜键合部分和钯或钯合金层的层组合件,还涉及具有键合到上述层组合件上的铜线的基板。

    半导体封装件及其制造方法
    3.
    发明授权
    半导体封装件及其制造方法 有权

    公开(公告)号:CN102931161B

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201210428108.1

    申请日:2012-10-31

    申请人: 日月光半导体制造股份有限公司

    发明人: 余林旺 ,  胡平正 ,  张哲钦 ,  蔡裕方

    IPC分类号: H01L23/495 ,  H01L21/60

    CPC分类号: H01L24/97 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49579 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85805 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/45099

    摘要: 本发明公开一种半导体封装件及其制造方法,包括一芯片座、设置于芯片座上的一芯片及设置于芯片座旁的一第一引脚。第一引脚包含一接触部、实质上沿芯片座方向延伸的一延伸部及设置于接触部及延伸部之间的一凹曲侧表面。具有一凹曲侧表面的一第二引脚也设置于芯片座旁。第一引脚的凹曲侧表面的方向相反于第二引脚的凹曲侧表面。

    半导体器件以及半导体器件的制造方法
    4.
    发明公开
    半导体器件以及半导体器件的制造方法 失效

    公开(公告)号:CN105206586A

    公开(公告)日:2015-12-30

    申请号:CN201510617413.9

    申请日:2011-09-28

    申请人: 大日本印刷株式会社

    发明人: 增田正亲 ,  富田幸治 ,  冈本任史 ,  田中康则 ,  大泽宽 ,  宫野和幸 ,  仓桥笃史 ,  铃木博道

    IPC分类号: H01L23/28 ,  H01L23/50

    CPC分类号: H01L23/49548 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/834 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28

    摘要: 本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法,半导体器件具备:引线框架,其包括裸片焊盘以及配置于裸片焊盘周围的多个引线部;半导体元件,其载置于引线框架的裸片焊盘上;以及接合线,其对引线框架的引线部与半导体元件进行电连接。引线框架、半导体元件以及接合线被密封树脂部密封。密封树脂部具有设置于半导体元件和半导体元件周围的中央区域以及位于中央区域周缘的周缘区域。中央区域的厚度大于周缘区域的厚度。各引线部分别具有从密封树脂部的背面向外侧露出的外部端子。俯视观察下,多个引线部的外部端子配置于至少一个圆周上。外部端子是宽度随着接近所述圆周的中心而变窄的形状。

    印刷电路板、其制造方法及具有印刷电路板的堆叠封装件
    5.
    发明公开
    印刷电路板、其制造方法及具有印刷电路板的堆叠封装件 无效

    公开(公告)号:CN105101636A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201510271845.9

    申请日:2015-05-25

    申请人: 三星电机株式会社

    发明人: 金惠进 ,  郑橞洹 ,  姜明杉 ,  奉康昱 ,  高永宽 ,  成旼宰

    IPC分类号: H05K1/18

    CPC分类号: H05K1/111 ,  C25D5/02 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/115 ,  H05K1/183 ,  H05K1/185 ,  H05K3/0091 ,  H05K3/064 ,  H05K3/284 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H05K2201/09036

    摘要: 提供了一种印刷电路板、其制造方法及具有印刷电路板的堆叠封装件,所述印刷电路板连接到基板的一个表面,第一电子组件安装在所述一个表面上。印刷电路板包括至少一个绝缘层,所述至少一个绝缘层具有容纳第一电子组件的至少一部分的腔室,腔室具有由绝缘材料制成的内表面。

    半导体器件用接合线及其制造方法
    6.
    发明公开
    半导体器件用接合线及其制造方法 无效

    公开(公告)号:CN104781920A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201380057629.3

    申请日:2013-09-04

    申请人: MK电子株式会社

    发明人: 金相烨 ,  文晶琸 ,  洪性在 ,  金承贤

    IPC分类号: H01L21/60

    CPC分类号: H01L24/45 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/30 ,  B23K35/302 ,  B23K35/40 ,  B23K35/404 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/43 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049

    摘要: 本发明涉及一种半导体器件用接合线及其制造方法,并且更具体地,涉及包括以下步骤的半导体器件用接合线的制造方法:在具有第一金属作为主要组分的芯材料上形成具有第二金属作为主要组分的第一涂层;对在其上形成了所述第一涂层的所述芯材料进行拉线;以及在已经完成了所述拉线的所述芯材料和所述第一涂层上形成具有第三金属作为主要组分的第二涂层。当使用本发明的接合线和其制造方法时,可以降低对芯片的损害,同时防止芯材料暴露,并且提高耐酸性和第二侧面的接合性。

    包含相关系统、装置及方法的功率放大器模块
    7.
    发明公开
    包含相关系统、装置及方法的功率放大器模块 有权

    公开(公告)号:CN104410373A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410509826.0

    申请日:2013-06-13

    申请人: 西凯渥资讯处理科技公司

    发明人: 霍华德·E·陈 ,  亦凡·郭 ,  庭福·吴·黄 ,  迈赫兰·贾纳尼 ,  田·敏·古 ,  菲利浦·约翰·勒托拉 ,  安东尼·詹姆斯·洛比安可 ,  哈迪克·布潘达·莫迪 ,  黄·梦·阮 ,  马修·托马斯·奥扎拉斯 ,  山德拉·刘易斯·培帝威克 ,  马修·肖恩·里德 ,  詹斯·阿尔布雷希特·理吉 ,  大卫·史蒂芬·雷普利 ,  宏晓·邵 ,  宏·沈 ,  卫明·孙 ,  祥志·孙 ,  帕特里克·劳伦斯·韦尔奇 ,  小彼得·J·札帕帝 ,  章国豪

    IPC分类号: H03F3/19 ,  H03F3/24

    CPC分类号: H03F1/0205 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

    摘要: 本发明涉及包含相关系统、装置及方法的功率放大器模块,其包含:功率放大器,其包含GaAs双极晶体管,所述GaAs双极晶体管具有集极、邻接所述集极的基极及射极,所述集极在与所述基极的结处具有至少约3×1016cm-3的掺杂浓度,所述集极还具有其中掺杂浓度远离所述基极增加的至少第一分级;及RF发射线,其由所述功率放大器驱动,所述RF发射线包含导电层及所述导电层上的表面处理镀层,所述表面处理镀层包含金层、接近所述金层的钯层及接近所述钯层的扩散势垒层,所述扩散势垒层包含镍且具有小于约镍在0.9GHz下的集肤深度的厚度。本发明还提供所述模块的其它实施例连同其相关方法及组件。

    有基岛预填塑封料先镀后刻引线框结构及其生产方法
    8.
    发明授权
    有基岛预填塑封料先镀后刻引线框结构及其生产方法 有权 转让 许可

    公开(公告)号:CN102324414B

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201110268360.6

    申请日:2011-09-13

    申请人: 江苏长电科技股份有限公司

    发明人: 梁志忠 ,  谢洁人 ,  吴昊 ,  耿丛正 ,  夏文斌 ,  郁科峰

    IPC分类号: H01L23/495 ,  H01L21/60

    CPC分类号: H01L24/97 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

    摘要: 本发明涉及一种有基岛预填塑封料先镀后刻引线框结构及其生产方法,所述结构包括基岛(1)和引脚(2),所述基岛(1)和引脚(2)正面镀有第一金属层(5),基岛(1)和引脚(2)背面镀有第二金属层(6),所述基岛(1)与引脚(2)之间以及引脚(2)与引脚(2)之间的蚀刻区域均填充有塑封料(4),所述塑封料(4)与第一金属层(5)和第二金属层(6)齐平。本发明的有益效果是:引线框底部不需要再贴附一层昂贵的抗高温软性有机物胶膜,也没有背景中所述的装片、打线、包封会产生的各种问题,成品良率得到大大提升,而且引线框采用正背面同时蚀刻,在工序上可减少50%的复杂度,降低了成本,又可以减少因为二次对位造成的错位风险。

    在烧结银层上包括扩散焊接层的半导体器件
    9.
    发明公开
    在烧结银层上包括扩散焊接层的半导体器件 有权 复审申请

    公开(公告)号:CN103035601A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210299693.X

    申请日:2012-08-22

    申请人: 英飞凌科技股份有限公司

    发明人: N.厄施勒 ,  R.施佩克尔斯 ,  K.特鲁诺夫

    IPC分类号: H01L23/488 ,  H01L21/60

    CPC分类号: H01L23/3735 ,  H01L23/04 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

    摘要: 本发明涉及在烧结银层上包括扩散焊接层的半导体器件。半导体器件包括衬底以及衬底上的第一烧结银层。所述半导体器件包括第一半导体芯片以及把第一半导体芯片耦合到第一烧结银层的第一扩散焊接层。

    具有与垫件连接的集成电路封装系统及其制造方法
    10.
    发明公开
    具有与垫件连接的集成电路封装系统及其制造方法 有权

    公开(公告)号:CN102768958A

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN201210137716.7

    申请日:2012-05-04

    申请人: 星科金朋有限公司

    发明人: B·T·道 ,  A·S·川斯珀特 ,  蔡佩燕

    IPC分类号: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/49

    CPC分类号: H01L23/49548 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

    摘要: 本发明涉及具有与垫件连接的集成电路封装系统及其制造方法,一种制造集成电路封装系统的方法,包括:形成外围导线,该外围导线具有外围导线底侧、外围导线顶侧、外围导线非水平侧、外围导线水平脊、及外围导线导电板,该外围导线水平脊延伸自该外围导线非水平侧;于该外围导线顶侧上形成第一顶部分布层,该第一顶部分布层具有第一顶部终端;将集成电路连接至该第一顶部分布层,该集成电路具有直接在多个该第一顶部终端上的中央部分;以及直接在该第一顶部分布层的底部范围及该外围导线水平脊的外围导线脊较低侧上涂布绝缘层。

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