公开(公告)号：CN104425617B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410429498.3

申请日：2014-08-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹胁利至 ,  宫本广信

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/475 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/80

Abstract: 改进氮化物半导体材料制成的功率MISFET的可靠性。应变松弛膜布置在聚酰亚胺膜和栅极电极之间，以抑制从聚酰亚胺膜施加在电子供给层上的应力，并抑制在电子供给层和沟道层中产生的应力应变。作为结果，抑制沟道层中的沟道电子浓度的变化，以防止功率MISFET的阈值电压或通态电阻波动。

公开(公告)号：CN108735698A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810261605.4

申请日：2018-03-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大部功 ,  梅本康成 ,  柴田雅博 ,  那仓健一

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/06 ,  H01L21/60

CPC classification number: H03F1/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0652 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10337 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/444

Abstract: 本发明提供一种在使用了包含化合物半导体的基板的半导体装置中，能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在包含化合物半导体的基板上形成电路元件。在电路元件上，接合焊盘被配置为与电路元件至少局部重叠。接合焊盘包含第1金属膜以及形成于第1金属膜上的第2金属膜。第2金属膜的金属材料比第1金属膜的金属材料硬。

公开(公告)号：CN108140579A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680061341.7

申请日：2016-11-25

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 纳维恩·蒂皮尔内尼 ,  萨米尔·彭德哈卡

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/7605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本描述的实例包含一种半导体装置，其具有：衬底(22)；低缺陷层(32)，其经形成在相对于所述衬底(22)的固定位置中；及势垒层(34)，其包含形成在所述低缺陷层(32)上的III-N族半导体材料且在所述低缺陷层(32)中形成电子气体。所述装置还具有：源极接触件(52)；漏极接触件(54)；及栅极接触件(56)，其用于接收电势，所述电势用于调整所述电子气体中及所述源极接触件与所述漏极接触件之间的导电路径。最后，所述装置具有所述势垒层(34)与所述衬底(22)之间的单侧PN结(22/24)。

公开(公告)号：CN104638002B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310562469.X

申请日：2013-11-12

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 肖德元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/66977 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管、半导体器件及其制造方法，涉及隧穿场效应晶体管技术领域。该晶体管包括：位于衬底上的由III‑V族化合物半导体材料形成的半导体区；半导体区包括未掺杂的沟道区、具有第一掺杂类型的源区和具有第二掺杂类型的漏区；位于沟道区上的绝缘栅，绝缘栅被配置为当施加电压到绝缘栅时在源区和漏区之间产生电子隧穿；其中，源区和沟道区的接触面为倾斜面以增大电子隧穿区域。通过在源区与沟道区之间形成倾斜接触面，增加了电子隧穿面积，从而提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN107104102A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710097800.3

申请日：2017-02-23

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： S·帕萨萨拉希 ,  J·A·塞尔瑟多

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L27/0285 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/8124 ,  H01L27/04

Abstract: 公开了化合物半导体电路应用中的瞬态过应力保护的装置和方法。本文提供了用于化合物半导体保护钳位器的装置和方法。在某些配置中，化合物半导体保护钳位器包括电阻器‑电容器(RC)触发网络和金属‑半导体场效应晶体管(MESFET)钳位器。RC触发网络检测ESD/EOS事件何时存在于第一节点和第二节点之间，并且响应于检测到ESD/EOS事件而激活MESFET钳位器。当MESFET钳位器被激活时，MESFET钳位器在第一和第二节点之间提供低阻抗路径，从而提供ESD/EOS保护。当被禁用时，MESFET钳位器在第一和第二节点之间提供高阻抗，并且因此以低泄漏电流和小静态功率耗散操作。

公开(公告)号：CN106847811A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710059597.0

申请日：2011-12-20

Applicant: 英特尔公司

Inventor： G·A·格拉斯 ,  A·S·默西 ,  T·加尼

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L29/165 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/285 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及减小的接触电阻的自对准接触金属化。公开了用于形成低接触电阻晶体管设备的技术。P型锗层设置在p型源极/漏极区和它们相应的接触金属之间，且n型III‑V半导体材料层设置在n型源极/漏极区和它们相应的接触金属之间。n型III‑V半导体材料层可具有小带隙(例如

公开(公告)号：CN104282686B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410320367.1

申请日：2014-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 末川英介 ,  鹿口直斗 ,  池上雅明

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L27/0251 ,  H01L21/8213 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7815

Abstract: 本发明提供一种宽带隙半导体装置，其能够抑制栅极电极与源极电极之间的静电破坏，而不会增加芯片成本。本发明的宽带隙半导体装置具备：第2源极层(n+源极层(4A))，其在p基极层(3A)的表层夹着场绝缘膜(11)形成，且与n+源极层(4)在同一工序中形成；第2栅极电极(栅极多晶硅(7A))，其至少形成于场绝缘膜(11)上，且与栅极多晶硅(7)为同一层；第3栅极电极(栅极电极(12))，其形成于一侧的第2源极层上，与第2栅极电极电连接；以及第2源极电极(源极电极(9A))，其形成于另一侧的第2源极层上。

公开(公告)号：CN103168362B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201080069639.5

申请日：2010-10-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  美浓浦优一

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置设有：GaN层（2）、与GaN层（2）的Ga面形成肖特基接合的阳极电极（4）以及位于阳极电极（4）的至少一部分与GaN层（2）之间的InGaN层（3）。

公开(公告)号：CN103329256B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201180060404.4

申请日：2011-12-14

Applicant: 宜普电源转换公司

Inventor： 亚历山大·利道 ,  曹建军 ,  罗伯特·比奇 ,  J·斯特赖敦 ,  阿兰娜·纳卡塔 ,  赵广元

IPC: H01L21/337

CPC classification number: H01L21/743 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/085 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/88 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于独立地连接半导体装置的一部分中的周围材料与其各自的装置的电接触的电路、结构及技术。为达到这个目的，提供了一或多个导电阱的组合，所述一或多个导电阱在至少一个偏置极性电气隔离。

公开(公告)号：CN103875073B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201180074074.4

申请日：2011-10-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/151 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/8252 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/49 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其包含具有使多个量子点层（8）层叠而成的结构的漂移层（2），所述量子点层（8）具有含有InxGa1-xN（0≤x≤1）的量子点（6）以及埋置量子点、含有n型Inx（GayAl1-y）1-xN（0≤x≤1、0≤y≤1）的埋置层（7）。