公开(公告)号：CN103094334B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201210215829.4

申请日：2012-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政烨 ,  鲜于文旭 ,  文彰烈 ,  朴用永 ,  梁佑荣 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/45 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如，扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。

公开(公告)号：CN104638000B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201410645228.6

申请日：2014-11-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 西森理人 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制造方法。其中，一种半导体器件包括：形成在衬底上方的第一氮化物半导体层；形成在第一氮化物半导体层上方的第二氮化物半导体层；形成在第二氮化物半导体层和第一氮化物半导体层的一部分中的元件隔离区域；形成在第二半导体层和元件隔离区域上方的栅电极、源电极以及漏电极；以及以从漏电极的侧表面的上部突出的方式形成的漏极场板。

公开(公告)号：CN105977218A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510860542.0

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鬼木悠丞 ,  巫凯雄

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/18

CPC classification number: H01L21/02227 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02241 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/20 ,  H01L29/452 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供一种半导体结构，包括：半导体元件；及钝化层，包括硫化铟形成于半导体元件的表面上，其中半导体元件的表面包括铟基三五族化合物半导体材料。本公开亦提供此半导体结构的制造方法。本公开通过形成一硫化铟钝化层，以提供较佳的铟基半导体表面的品质，齐聚有较低的界面态(Dit)密度、较低的肖特基阻障高度(Schottky barrier height)、且可抑制原生氧化物层的形成等等。

公开(公告)号：CN103094335B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210042249.X

申请日：2012-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄敬源 ,  游承儒 ,  姚福伟 ,  许竣为 ,  余俊磊 ,  熊志文 ,  杨富智

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种半导体结构包括：第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上方，并且第二III-V族化合物层的组成成分不同于第一III-V族化合物层的组成成分。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二III-V族化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III-V族化合物层上方。栅电极设置在源极部件和漏极部件之间的第二III-V族化合物层的上方。氟区域内嵌在栅电极下方的第二III-V族化合物层中。栅极介电层设置在第二III-V族化合物层上方。栅极介电层具有氟区段，该氟区段位于氟区域上方以及栅电极的至少一部分下方。本发明还提供了高电子迁移率晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN102237402B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201110109142.8

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/743 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件具备：第一半导体层，其设置在基板上且含有第一导电型的氮化物半导体；第二半导体层，其设置在所述第一半导体层上、且含有具有与所述第一半导体层的表面载流子浓度相同量的表面载流子浓度的第二导电型的氮化物半导体。在所述第二半导体层上设置第三半导体层，其含有比所述第二半导体层的带隙宽度更宽的氮化物半导体。所述氮化物半导体元件进一步具备第一主电极，其与所述第二半导体层电连接；第二主电极，其与所述第一主电极隔开地设置、且与所述第二半导体层电连接；以及具备控制电极，其在所述第一主电极和所述第二主电极之间、隔着绝缘膜设置在贯通所述第三半导体层和所述第二半导体层而到达所述第一半导体层的第一沟槽的内部。

公开(公告)号：CN104064594A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410056424.X

申请日：2014-02-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  冈本直哉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H02M3/33569 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/16

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器。一种半导体器件，包括：氮化物半导体多层；布置在氮化物半导体多层上的绝缘膜；以及布置在绝缘膜上的栅电极，其中氮化物半导体多层具有在与绝缘膜的在栅电极下方的区域的界面附近的第一氧化区域，该第一氧化区域的氧浓度高于在与绝缘膜的除在栅电极下方之外的区域的界面附近的区域的氧浓度。

公开(公告)号：CN103548126A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024373.1

申请日：2012-06-08

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  市川磨 ,  卜部友二 ,  宫田典幸 ,  前田辰郎 ,  安田哲二

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/20 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522

Abstract: 提供一种半导体基板的制造方法，包括：通过外延成长将化合物半导体层形成于基底基板上的步骤；由包含硒化合物的清洗液对化合物半导体层的表面进行清洗的步骤；在化合物半导体层的表面上形成绝缘层的步骤。作为硒化合物可以举出硒氧化物。作为硒氧化物，可以举出H2SeO3。清洗液可以进一步包含从水、氨和乙醇构成的组中选择的一种以上的物质。当化合物半导体层的表面是由InxGa1-xAs(0≤x≤1)构成时，绝缘层最好是由Al2O3构成。Al2O3最好是由ALD法形成。

公开(公告)号：CN103367424A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310100368.0

申请日：2013-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供化合物半导体及其制造方法。本发明提供一种AlGaN/GaN HEMT，其包括化合物半导体堆叠结构；在化合物半导体堆叠结构上界定元件区的元件隔离结构；形成在元件区上而不形成在元件隔离结构上的第一绝缘膜；至少形成在元件隔离结构上并且氢含量高于第一绝缘膜的氢含量的第二绝缘膜；以及通过第二绝缘膜形成在化合物半导体堆叠结构的元件区上的栅电极。

公开(公告)号：CN103311290A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210576962.2

申请日：2012-12-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/28264 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。具体而言，提供一种制造半导体器件的方法，可以在衬底上形成氮化物半导体层，通过ALD的蒸汽氧化在氮化物半导体层上形成第一绝缘层，通过ALD的氧等离子体氧化在第一绝缘层上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成栅电极，以及在氮化物半导体层上形成源电极和漏电极。该氮化物半导体层可以包括在衬底上的第一半导体层和在第一半导体层上的第二半导体层。

公开(公告)号：CN103201827A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180054221.1

申请日：2011-11-08

Applicant: 图尔库大学

Inventor： 佩卡·劳卡宁 ,  约科·朗 ,  马尔科·蓬基宁 ,  马留卡·图奥米宁 ,  韦科·图奥米宁 ,  约翰尼·达尔 ,  尤哈尼·韦于吕宁

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/02 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02241 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31666 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205

Abstract: 处理化合物半导体衬底的方法，在该方法中，在真空条件下，从含In的III-As、III-Sb或III-P衬底的表面清除非晶态原生氧化物，随后将清洁过的衬底加热至大约250-550℃的温度并通过将氧气引入到该衬底的表面上将其氧化。本发明还涉及化合物半导体衬底以及该衬底在如MOSFET的晶体管结构中的用途。