公开(公告)号：CN104425617B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410429498.3

申请日：2014-08-27

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 竹胁利至 ,  宫本广信

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/475 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/80

摘要： 改进氮化物半导体材料制成的功率MISFET的可靠性。应变松弛膜布置在聚酰亚胺膜和栅极电极之间，以抑制从聚酰亚胺膜施加在电子供给层上的应力，并抑制在电子供给层和沟道层中产生的应力应变。作为结果，抑制沟道层中的沟道电子浓度的变化，以防止功率MISFET的阈值电压或通态电阻波动。

公开(公告)号：CN108010843B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201711137450.5

申请日：2017-11-16

申请人： 厦门市三安集成电路有限公司

发明人： 房育涛 ,  叶念慈

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明公开了一种通过极化掺杂的方法制备增强型GaN基晶体管的方法。利用AlN和GaN的自发极化强度之间存在较大的差别，可以通过组分渐变的AlxGa1‑xN实现极化掺杂获得P型AlxGa1‑xN层。在GaN基材料外延生长Al组分逐渐减小的P‑型AlxGa1‑xN层，然后在P‑型AlxGa1‑xN层上生长AlxGa1‑xN层，AlxGa1‑xN层为Al组分x从0％‑10％增加到15％‑35％的组分渐变层或x为15％‑35％的组分固定层，再制作与AlxGa1‑xN层形成欧姆接触的源、漏极以及与P‑型AlxGa1‑xN层形成肖特基接触的栅极。通过改变P‑型AlxGa1‑xN的组分厚度可以调节器件开启电压，通过改变AlxGa1‑xN层的厚度和组分可以调节导通电阻，从而获得低导通电阻高开启电压的增强型GaN基晶体管。制作方法简单，无特殊工艺要求，可控性强。

公开(公告)号：CN105226092B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201510522695.4

申请日：2010-10-19

申请人： 英特尔公司

发明人： G.德维 ,  R.S.曹 ,  M.拉多萨夫耶维奇 ,  M.V.梅茨 ,  R.皮拉里塞蒂

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

摘要： 描述基于量子阱的半导体器件以及形成基于量子阱的半导体器件的方法。一种方法包括提供布置在衬底之上并且包括量子阱沟道区的异质结构。该方法还包括在量子阱沟道区之上形成源和漏材料区。该方法还包括在源和漏材料区中形成沟槽，以便提供与漏区分离的源区。该方法还包括：在沟槽中在源区和漏区之间形成栅介电层；以及在沟槽中在栅介电层之上形成栅电极。

公开(公告)号：CN106098757B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201610281369.3

申请日：2016-04-29

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 野上洋一 ,  堀口健一 ,  东坂范雄 ,  渡边伸介 ,  北野俊明

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/8124 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

摘要： 得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。

公开(公告)号：CN109638071A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811384310.2

申请日：2018-11-20

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 王东 ,  陈兴 ,  吴勇 ,  张进成 ,  何滇 ,  伍旭东 ,  檀生辉 ,  卫祥 ,  张金生 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462

摘要： 一种基于Si衬底氮化镓HEMT低电阻欧姆接触的结构及其制作方法，属于微电子技术领域，包括Si衬底、低温氮化铝成核层、铝镓氮过渡层一、铝镓氮过渡层二、铝镓氮过渡层三、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、分居两端的漏电极和源电极以及两者中间的栅电极，上述各层从下至上依次排布，其中在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层之间形成二维电子气沟道，栅电极和铝镓氮势垒层之间还设有栅介质层，本发明制造工艺简单，重复性好，适用于Si衬底氮化镓HEMT器件应用。

公开(公告)号：CN109637924A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811539841.4

申请日：2018-12-17

申请人： 深圳大学

发明人： 刘新科 ,  胡聪 ,  王佳乐 ,  敖金平

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02043 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778

摘要： 本发明提供了一种层结构复合材料及其制备方法，由于采用表面化学的方式进行了界面处理，提升了材料性能的同时避免了杂质引起的功能缺陷，具体的制备方法为：将抛光后的GaN衬底进行清洗处理；用酸清除氮化镓表面的原生氧化物；在原子层沉积仪中，以惰性气体为载气体，衬底温度为250‑350℃，用三甲基铝处理衬底其中一个表面；在原子层沉积仪中以惰性气体为载气体，利用铝源和氧源，衬底温度为250‑350℃，沉积氧化铝介质层；在氧化铝介质层镀上金属膜。

公开(公告)号：CN109300787A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201811104661.3

申请日：2018-09-21

申请人： 苏州汉骅半导体有限公司

发明人： 倪贤锋 ,  范谦 ,  何伟

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/30612

摘要： 本申请提出一种回收碳面极性碳化硅衬底的方法，包括：提供一外延结构，所述外延结构包括待回收的碳面极性碳化硅衬底、以及依次层叠于所述碳化硅衬底上的氮面极性的氮化镓缓冲层、势垒层和氮面极性的氮化镓沟道层；采用湿法刻蚀去除所述氮面极性的氮化镓沟道层、势垒层和氮面极性的氮化镓缓冲层；清洗所述碳面极性碳化硅衬底并吹干。本申请所提出的碳面极性的碳化硅衬底的回收方法，能够加快去除外延结构的速率，加快了回收效率，并且无需使用抛光和研磨工艺，不会减少碳化硅衬底的厚度，降低了后续工艺的难度。

公开(公告)号：CN109037326A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810789995.2

申请日：2018-07-18

申请人： 大连理工大学

发明人： 黄火林 ,  李飞雨 ,  陶鹏程 ,  孙仲豪 ,  曹亚庆

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/778

摘要： 一种具有P型埋层结构的增强型HEMT器件及其制备方法，属于半导体晶体管器件制作领域。技术要点包括：在半导体衬底上依次生长缓冲层、i‑GaN漂移层、势垒层和栅极钝化层，所述i‑GaN漂移层上设置有源电极和漏电极，所述栅极钝化层上设置有栅电极，所述i‑GaN漂移层中内嵌P型埋层。该结构利用P型埋层形成PN结内建电场，从而耗尽栅极下方的二维电子气达到增强型的目的。有益效果是:本发明所述的具有P型埋层结构的增强型HEMT器件及其制备方法能够实现在二维电子气沟道导电性能不发生退化的情况下同时提高器件稳定而均匀的正向阈值电压，对该领域是个重要的技术补充。

公开(公告)号：CN109037066A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810881617.7

申请日：2018-08-06

申请人： 苏州汉骅半导体有限公司

发明人： 范谦 ,  倪贤锋 ,  何伟

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/683 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/401 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L2221/68363

摘要： 本申请提出一种半导体器件及其制造方法，包括：在第一衬底上依次生长缓冲层和势垒层；在所述势垒层上生长第一源极、第一漏极和第一栅极，形成第一结构；在所述第一结构上生长介质层；将所述介质层与第二衬底键合，并去除所述第一衬底，形成第二结构；将所述第二结构倒置，并对所述缓冲层进行减薄处理；在减薄后的缓冲层上生长第二源极、第二漏极和第二栅极。本申请所提出的半导体器件及其制造方法，降低了接触电阻，减小了背栅与二维电子气之间的距离，增强对沟道的控制能力。

公开(公告)号：CN109037063A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810689962.0

申请日：2018-06-28

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 董志华 ,  蒋俊杰 ,  刘国华 ,  李仕琦 ,  刘杰 ,  程知群

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L35/34 ,  H01L35/32

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L35/28 ,  H01L35/325

摘要： 本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑VHEMT器件的制备方法，现有的GaN器件在工作过程中会产生大量的热，使沟道温度上升，从而使器件的导通电阻增大，使器件的输出电流下降，造成能源浪费的问题。由于器件的能量密度高，所以沟道过热，现有的器件采用的解决策略是将这些热量用散热器发散掉。而本发明在器件中引入了温差发电机构，回收了现有器件沟道中被浪费的能量，提高了器件的效率，减小了能量的损失，具有节约能源的优势。